瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:28
2027 英飛凌科技發(fā)表新一代薄晶圓技術(shù)IGBT TRENCHSTOP 5 系列產(chǎn)品，其導(dǎo)通損失和切換損失均遠(yuǎn)低于目前的領(lǐng)導(dǎo)解決方案。透過(guò)這項(xiàng)突破性的產(chǎn)品，英飛凌為 IGBT 效能立下新標(biāo)竿，繼續(xù)在效率
2012-11-16 08:55:052814 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場(chǎng)截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:008908 為滿足電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專門(mén)優(yōu)化，可以滿足電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用 （如車(chē)載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361998 GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過(guò)業(yè)界驗(yàn)證，對(duì)于節(jié)能工作意義重大，其中包括助力實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:50:591540 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
2019-11-22 15:16:322459 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門(mén)針對(duì)分立式汽車(chē)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步豐富了英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:042272 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:491311 
【 2024 年 11 月 20 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5
2024-11-20 18:27:291134 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺(tái)達(dá)雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺(tái)灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺(tái)達(dá)電子選用，使得臺(tái)達(dá)電子向著利用綠色電力實(shí)現(xiàn)
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
中國(guó)上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”）的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對(duì)比 如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復(fù)時(shí)間Trr，反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)損耗Err明顯降低?！ ?5 總結(jié) 基本半導(dǎo)體主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
650 V CoolSiC?混合
分立器件，該
器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開(kāi)關(guān)
IGBT 和一個(gè)
CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價(jià)比并帶來(lái)高可靠性。這種組合為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
650V IGBT4，旨在提供更大的設(shè)計(jì)自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度，并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低，帶來(lái)了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門(mén)設(shè)計(jì)用于中高電流應(yīng)用。相對(duì)于
2018-12-07 10:16:11
電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實(shí)耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr 和trr最大值。我們還評(píng)估了這種新器件在典型HID半橋電路應(yīng)用中的性能：省去4個(gè)
2018-12-03 13:43:55
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列（RC指
2010-01-25 08:44:191090 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌發(fā)布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大MOSFET陣容
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用
2010-01-29 08:53:011539 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:172280 英飛凌RC-D功率開(kāi)關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:422070 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車(chē)用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車(chē)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181199 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:422388 2015年3月2日，德國(guó)慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓?xiě)?yīng)用于汽車(chē)中的高速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292863 
意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002707 / 650V IGBT和一個(gè)NTC熱敏電阻。Q2PACK模塊采用一個(gè)分立式NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，使用160A / 1200V IGBT、100A / 650V IGBT和一個(gè)NTC熱敏電阻。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)適用于更高的功率電平。
2019-03-14 06:12:006116 
CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251416 
650 V 場(chǎng)截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個(gè)全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率以滿足嚴(yán)格的能源之星標(biāo)準(zhǔn)。 這些趨勢(shì)對(duì)選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵
2021-06-01 14:56:252726 
由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:022050 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無(wú)引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231813 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:203459 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:36
0 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開(kāi)關(guān)型）”共21種機(jī)型，該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)特性，并大大減少了開(kāi)關(guān)時(shí)的過(guò)沖。
2023-02-09 10:19:251901 
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過(guò)業(yè)界驗(yàn)證，對(duì)于節(jié)能工作意義重大，其中包括助力實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:58:091481 英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，這可以使電動(dòng)商用車(chē)的電池電壓達(dá)到450Vdc
2023-05-19 12:42:271225 系列IGBT，1700V系列IGBT，Hybrid系列IGBT，中壓SGTMOS等多個(gè)系列產(chǎn)品；性能優(yōu)異，可靠性和穩(wěn)定性高，廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)汽車(chē)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域、高頻電源
2022-05-19 09:54:262109 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:401608 
供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微mos代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-08-02 17:12:198 在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級(jí)為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:221072 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求
2023-11-21 08:14:061085 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:351604 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:021808 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:001646 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:0746430 
英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L(zhǎng)需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256 
近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:192224 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 6A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT6N65ST數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-08 16:35:253 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT10N65SC資料文檔.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-08 17:15:311 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 10A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT10N65SS文檔.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-09 16:22:112 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N65SC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:20:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 15A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT15N65SY數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:22:420 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT20N65SC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:25:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT20N65SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:41:330 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 20A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT20N65SS數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 16:56:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 30A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT30N65SE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:03:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:08:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:09:161 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 40A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT40N65UH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:10:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT50N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:49:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT50N65UE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:52:381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 50A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT50N65UH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:53:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT60N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:56:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 60A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT60N65UH數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:57:221 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N65HCN數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:58:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《650V 75A溝槽和場(chǎng)阻IGBT JJT75N65HE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 18:01:090 英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器，這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動(dòng)電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動(dòng)MOS電壓驅(qū)動(dòng)型功率晶體管，如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?，無(wú)需額外的專用電源來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:171228 擴(kuò)展至400V領(lǐng)域，并推出了全新的CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI服務(wù)器電源(PSU)日益增長(zhǎng)的功率需求，同時(shí)保持了服務(wù)器機(jī)架規(guī)
2024-05-29 11:36:221603 
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品，基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù)，可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì)，大幅度提升器件的電流密度。同時(shí)優(yōu)化了器件的開(kāi)關(guān)特性，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前， 英飛凌正在通過(guò)采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其 CoolSiC MOSFET分立
2024-09-07 10:02:072095 森國(guó)科近期推出的650V/60A IGBT（型號(hào)：KG060N065LD-R），憑借其業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗和高速開(kāi)關(guān)性能，在電力電子領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注。
2024-10-17 15:41:59898 森國(guó)科推出的650V/6A IGBT（型號(hào)：KG006N065SD-B）在風(fēng)扇、泵和吸塵器等家電領(lǐng)域的應(yīng)用上做到了高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精準(zhǔn)控制。
2024-11-13 16:36:131162 
英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視
2024-11-28 01:00:46839 JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊，采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片，帶熱敏電阻（NTC）和可選 PressFIT壓接針腳技術(shù)。
2025-01-16 14:16:081125 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹(shù)立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031016 龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
隨著便攜儲(chǔ)能、新能源及工業(yè)電源應(yīng)用對(duì)高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件，其性能已成為決定整機(jī)效能與可靠性的關(guān)鍵因素。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應(yīng)用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
深挖1ED21x7x系列：650V高端柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越性能與應(yīng)用解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)于功率器件的高效、穩(wěn)定運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。今天我們就來(lái)深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-18 16:10:12227 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論