目前的7nm已經(jīng)廣泛應(yīng)用在各大半導(dǎo)體企業(yè)的芯片當(dāng)中，如麒麟980、蘋果A12等。臺積電方面也表示，7nm是其產(chǎn)能提升最快的一代工藝。 目前公開的信息顯示，臺積電7nm工藝共有兩代，第一代在2018年4月份大規(guī)模投產(chǎn)，第二代，將EUV（極紫外光）技術(shù)引入進(jìn)7nm的商業(yè)生產(chǎn)當(dāng)
2020-08-23 08:23:00
6178 推動科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:423754 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917459 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個月后開始試產(chǎn)！
2018-10-11 11:45:234222 三星官方宣布，已經(jīng)開始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 中芯國際的7nm工藝發(fā)展跟臺積電的路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒用EUV光刻機(jī)，只有N7＋工藝上才開始用EUV工藝，不過光罩層數(shù)也比較少，5nm節(jié)點(diǎn)寸是充分利用EUV光刻工藝的，達(dá)到了14層EUV光罩。
2020-02-28 09:49:166208 剛宣布完7nm延期，英特爾首席執(zhí)行官Bob Swan又宣布對公司的技術(shù)組織和執(zhí)行團(tuán)隊(duì)進(jìn)行調(diào)整。英特爾首席工程官M(fèi)urthy Renduchintala將離職，原因是7nm制程將延后至少6個月，研發(fā)技術(shù)的進(jìn)度落后于同業(yè)。
2020-07-29 07:10:033802 翁壽松(無錫市羅特電子有限公司，江蘇無錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
Tock步伐，工藝進(jìn)步至7nm，首款產(chǎn)品為面向數(shù)據(jù)中心的GPU。在7nm工藝方面，英特爾提出，光刻技術(shù)將成為7nm乃至更新工藝制程的挑戰(zhàn)。英特爾計(jì)劃在進(jìn)入7nm后才使用EUV光刻（意味著目前的10nm產(chǎn)品
2020-07-07 11:38:14
7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
，購買或者開發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺積電都會在7nm這個節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
。但從技術(shù)層面來看，開始領(lǐng)先于AMD的英特爾慢慢被后來者居上，AMD也使勁全力向頂層技術(shù)發(fā)起總攻，如10nm、7nm工藝。在AMD漫長的奮斗下，英特爾稍顯疲態(tài)。有分析師預(yù)測，隨著英特爾緩慢的研發(fā)步伐
2018-09-29 17:42:03
設(shè)計(jì)差異性并更快地推出他們的最終產(chǎn)品?！盕usion Design Platform提供基于7nm極紫外單次曝光的優(yōu)化，支持過孔支柱和連排打孔，以實(shí)現(xiàn)最大的設(shè)計(jì)可布線性和利用率，以及最少的電壓降和電遷移
2020-10-22 09:40:08
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
Smith表示，“很高興首次在中國與大家分享英特爾制程工藝路線圖中的多項(xiàng)重要進(jìn)展，展現(xiàn)了我們持續(xù)推動摩爾定律向前發(fā)展所獲得的豐碩成果。”英特爾公司全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊旭英特爾公司全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊
2017-09-22 11:08:53
們的投入中，80%的開支會用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺設(shè)備的單價就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
快照】：極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國際上對EUV光刻技術(shù)已開展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實(shí)現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581395 新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光
2010-06-17 17:27:381823 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性質(zhì)，他們要等EUV光刻工藝成熟。 在ISSCC國際固態(tài)電路會議上，各
2017-02-11 02:21:11563 
英特爾采用7nm FinFET工藝制成的EyeQ4無人駕駛芯片將會在明年上市，EyeQx芯片來自Mobileye，單顆芯片的TDP是5W。NVIDIA Xaiver會是她最強(qiáng)勁的對手。
2017-12-15 12:43:213344 本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會上，三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:001626 ? 前些天，新聞曝光的中芯國際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來一臺EUV極紫外光刻機(jī)，未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長江存儲也迎來了自己的第一臺光刻機(jī)，國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來重大突破。
2018-06-29 11:24:0010090 納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 IMEC 與美國楷登電子( Cadence) 公司聯(lián)合宣布，得益于雙方的長期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測試芯片成功流片。該項(xiàng)目采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
2018-03-19 15:08:308957 EUV光刻工藝加成，但是7nm EUV工藝在性能上不會有多大的提升，AMD CTO Mark Pappermaster也在采訪中證實(shí)7nm EUV工藝主要是改善能效，性能提升只是適度的。
2018-11-27 16:35:244132 。 GlobalFoundries、英特爾、三星和臺積電希望將EUV光刻技術(shù)加入到7nm和5nm生產(chǎn)中。但就像以前一樣，EUV由幾部分組件組成，在芯片制造商能夠引入之前，它們必須整合在一起。
2018-03-31 11:52:006365 率先引入EUV極紫外光刻設(shè)備，去年向光刻巨頭ASML一口氣買了10臺EUV設(shè)備，要知道ASML去年一年的產(chǎn)能不過才12臺而已，其他廠商買不到設(shè)備，必然會影響產(chǎn)能。
2018-04-07 00:30:009372 積電近年來在新工藝方面競爭激烈，為搶奪訂單打得火熱。7nm工藝上，三星計(jì)劃全球第一家導(dǎo)入EUV極紫外光刻，原本被寄予厚望，但是新技術(shù)在研發(fā)、調(diào)校和設(shè)備上都需要花費(fèi)更長時間，進(jìn)展不順。
2018-06-08 13:35:004947 關(guān)鍵層面上首次嘗試使用EVU極紫外光刻系統(tǒng)，工藝節(jié)點(diǎn)從CLN7FF升級為CLN7FF+，號稱晶體管密度可因此增加20%，而在同樣密度和頻率下功耗可降低10%。 臺積電5nm(CLN5)將繼續(xù)使用荷蘭
2018-05-15 14:35:134690 
問題，工藝延期、產(chǎn)品路線圖不給力等等，不過AMD的追趕也是個重要因素。在半導(dǎo)體芯片市場上，英特爾以往最大的籌碼就是制程工藝領(lǐng)先對手兩三年，但是今年一切變了，英特爾10nm難產(chǎn)，還在使用14nm工藝，AMD的7nm芯片今年就會出貨，制程工藝趕超英特爾不是夢。
2018-06-27 16:29:00820
今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲芯片行業(yè)何時
2018-06-07 14:49:006864
今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲芯片行業(yè)何時
2018-06-08 14:29:076259 
Cannonlake架構(gòu)的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點(diǎn)的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
2018-06-14 11:08:006886 Arm 與三星代工廠宣布雙方合作之旅的新里程碑：為期待已久的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)，提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus) 和 5LPE (5nm Low Power Early) 庫面市。
2018-06-21 14:55:504500 
另外，7nm EUV的好處還在于，比多重曝光的步驟要少，也就是相同時間內(nèi)的產(chǎn)量將提升。當(dāng)然，這里說的是最理想的情況， 比如更好的EUV薄膜以減少光罩的污染、自修正機(jī)制過關(guān)堪用等。三星稱，7nm EUV若最終成行，將被證明是成本更優(yōu)的方案。
2018-06-22 15:53:454004 光刻工藝，預(yù)計(jì)到5nm工藝將會上EUV光刻工藝。
NAND Flash發(fā)展到1znm（10nm級）便無法向下發(fā)展，或者即使向下走也不能帶來更好的成本效益，所以Flash原廠紛紛向3D NAND
2018-08-20 17:41:491480 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個月后開始試產(chǎn)！
2018-10-11 08:44:335539 今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)褂盟圃?，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。
2018-10-17 15:44:565426 臺積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝，預(yù)計(jì)明年大規(guī)模量產(chǎn)，三星今天宣布量產(chǎn)7nm EUV工藝，這意味著EUV工藝就要正式商業(yè)化了，而全球最大的光刻機(jī)公司荷蘭ASML為這一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293872 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:404245 下一代7nm工藝的處理器上，英特爾明年推10nm工藝的處理器，AMD的7nm處理器與之相比如何？對于分析師這個提問，AMD CEO蘇姿豐表示他們的新一代芯片不僅僅是7nm工藝，處理器架構(gòu)及系統(tǒng)也有了改變，AMD對此很滿意。
2018-10-30 15:33:0213864
隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出
2018-11-01 09:44:264914 ，明年將在處理器制程工藝上領(lǐng)先對手。反觀英特爾這邊，由于10nm工藝不斷延期，PC及服務(wù)器處理器路線圖備受質(zhì)疑，英特爾今年股價承壓就源于10nm工藝遲遲不能上市。
2018-11-28 15:41:211179 作為全球頭號代工廠，臺積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開始試產(chǎn)。
2018-12-19 15:01:021916 隨著晶圓代工廠臺積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)，并會在2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定正在開發(fā)中的7納米制程會支援新一代EUV技術(shù)。
2019-01-03 11:31:594498 仍未量產(chǎn)，但是三星則是直接采用了更為先進(jìn)的EUV（極紫外）工藝，有望領(lǐng)先臺積電的7nm EUV制程。消息稱，三星去年就小規(guī)模投產(chǎn)了7nm EUV。
所以，臺積電要想保持優(yōu)勢，就必須要加快7nm
2019-02-14 16:04:593708 臺積電指出，5nm制程將會完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡化效益。5nm制程能夠提供全新等級的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時代臺積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:572113 臺積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。
2019-05-28 11:20:413960 臺積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。
2019-05-28 16:18:244210 通過使用三星7nm EUV工藝代替臺積電的7nm工藝，Nvidia可能能夠獲得更多供應(yīng)。
2019-06-10 09:06:127000 目前，臺積電7nm制程工藝主要被AMD第三代銳龍平臺使用，并且?guī)椭J龍?zhí)幚砥髟谥黝l上追上了英特爾。
2019-06-26 09:39:426461 
7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn)，而且是高性能工藝，其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。
2019-10-12 14:44:543267 臺積電近日宣布，已經(jīng)開始了7nm+ EUV工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，這是該公司乃至整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首個商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。作為EUV設(shè)備唯一提供商，市場預(yù)估荷蘭ASML公司籍此EUV設(shè)備年增長率將超過66%。這個目標(biāo)是否能實(shí)現(xiàn)？EUV工藝在發(fā)展過程中面臨哪些挑戰(zhàn)？產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中需要突破哪些瓶頸？
2019-10-17 15:57:302816 英特爾已經(jīng)使用了 N 年的 14nm 工藝制程了，而現(xiàn)在這家科技巨頭似乎遇到了 10nm 的產(chǎn)能問題，于是 14nm++++ 成為未來兩三年內(nèi)英特爾的主力制程，這也是消費(fèi)者所不想要看到的。然而事實(shí)便是這樣，于是大家也就只能硬著頭皮使用英特爾的 14nm 產(chǎn)品了。
2019-12-02 16:31:329046 英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏，從2019年的10納米工藝開始，到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV（極紫外光刻），然后在2023年采用5納米，2025年3納米，2027年2納米，最終到2029年的1.4納米。
2019-12-11 10:31:203933 集微網(wǎng)消息，據(jù)外媒wccftech報(bào)道，英特爾在最近舉行的UBS會議上對外界澄清，該公司將不會跳過10nm直接采用7nm制程。
2019-12-16 14:52:172342 截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0317038 三星宣布，位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052868 近些年來EUV光刻這個詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 10:58:473867 近些年來EUV光刻這個詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 11:42:4531024 在工藝制程方面，臺積電的進(jìn)度明顯要快于英特爾。其實(shí)在2017年的時候，英特爾就指出臺積電7nm并非真實(shí)的7nm。而且英特爾呼吁行業(yè)應(yīng)該統(tǒng)一命名標(biāo)準(zhǔn)，防止命名混亂。英特爾更希望以晶體管密度作為衡量標(biāo)準(zhǔn)。
2020-03-01 08:13:003563 據(jù)國外媒體報(bào)道，在芯片的制造過程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 10:50:592349 據(jù)國外媒體報(bào)道，在芯片的制造過程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 14:39:545816 今日，英特爾宣布，英特爾的創(chuàng)新回歸兩年周期。英特爾稱，10nm良品率大幅提升，2020年將推出一系列新品。7nm將在2021實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品首發(fā)，2022年提供完整的產(chǎn)品組合。
2020-04-10 16:32:122231 CFan曾在《芯希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒有
2020-09-01 14:00:293544 工藝制程走入10nm以下后，臺積電的優(yōu)勢開始顯現(xiàn)出來。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢。
2020-09-02 15:58:442471 工藝制程走入10nm以下后，臺積電的優(yōu)勢開始顯現(xiàn)出來。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢。
2020-09-02 16:00:293421 關(guān)于芯片工藝，Intel前幾天還回應(yīng)稱友商的7nm工藝是數(shù)字游戲，Intel被大家誤會了。不過今年Intel推出了新一代的10nm工藝，命名為10nm SuperFin工藝，簡稱10nm SF，號稱是有史以來節(jié)點(diǎn)內(nèi)工藝性能提升最大的一次，沒換代就提升15%性能，比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:064358 
臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:562085 積電的制程工藝差多少呢？ 一位加拿大博主拿來電子顯微鏡，專門對比了英特爾的14nm+++和臺積電的7nm，對應(yīng)產(chǎn)品為i9-10900K和銳龍9 3950X。結(jié)果比較有意思，雖然兩者命名差距很大，但從電子顯微鏡中看，兩者差別很小。 英特爾14nm+
2020-10-26 14:50:226046 
10月26日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，在芯片制程工藝方面，英特爾在近幾年已經(jīng)落后于臺積電和三星，臺積電的5nm工藝在今年一季度就已大規(guī)模投產(chǎn)，三季度帶來了近10億美元的營收，三星電子也已在利用5nm工藝為相關(guān)客戶代工芯片，而英特爾的7nm還尚未投產(chǎn)，在研發(fā)上還遇到了困難。
2020-10-26 14:56:241826 ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:212203 制造工藝EUV（極紫外光刻）。Exynos 1080 所采用的 5nm EUV 工藝與 8nm LPP（成熟低功耗）相比，性能提升 14%，功耗降低 30%；與 7nm DUV（深紫外光刻）相比，
2020-11-12 16:48:292309 在5nm、6nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)、第二代5nm工藝即將投產(chǎn)的情況下，芯片代工商臺積電對極紫外光刻機(jī)的需求也明顯增加。而外媒最新援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報(bào)道稱，臺積電已向阿斯麥下達(dá)了2021的極紫外光刻
2020-11-17 17:20:142373 自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時代以后，需要用到一臺頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:227525 更多訣竅，領(lǐng)先對手1到2年。 據(jù)悉，三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數(shù)過少對
2020-12-04 18:26:542674 這屆CES中英特爾的表現(xiàn)最為搶眼，不僅發(fā)布了多款新品，而且更是在近期接連發(fā)布重大消息。比如英特爾現(xiàn)任CEO司睿博將在2月份辭職，VMWare公司CEO Pat Gelsinger將回歸Intel。此外，英特爾也宣稱公司在7nm工藝上獲得重大進(jìn)展，股價應(yīng)聲大漲。
2021-01-14 11:17:012089 會不斷增加，而全球目前唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)廠商的阿斯麥，也就大量供應(yīng)極紫外光刻機(jī)。 英文媒體在最新的報(bào)道中表示，在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺積電，在今年預(yù)計(jì)可獲得 18 臺極紫外光刻機(jī)，三星和英特爾也將繼續(xù)購買這一類
2021-01-25 17:10:181914 ，對極紫外光刻機(jī)的需求會不斷增加，而全球目前唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)廠商的阿斯麥，也就大量供應(yīng)極紫外光刻機(jī)。 英文媒體在最新的報(bào)道中表示，在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺積電，在今年預(yù)計(jì)可獲得 18 臺極紫外光刻機(jī)，三星和英特爾也將
2021-01-25 17:21:544030 2600萬片晶圓采用EUV系統(tǒng)進(jìn)行光刻。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻的精度不斷提高，2021年先進(jìn)工藝將進(jìn)入5nm/3nm節(jié)點(diǎn)，極紫外光刻成為必修課，EUV也成為半導(dǎo)體龍頭廠商競相爭奪采購的焦點(diǎn)。未來，極紫外光刻技術(shù)將如何發(fā)展？產(chǎn)業(yè)格局如何演變？我國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何解決光刻技術(shù)的難題？
2021-02-01 09:30:233646 2月25日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，芯片制程工藝提升至5nm的臺積電和三星，已從阿斯麥購買了大量的極紫外光刻機(jī)，并且還在大量購買。
2021-02-26 09:22:012149 近日，有外媒稱英特爾最新Meteor Lake的GPU核心可能會交由臺積電公司代工，并且用上臺積電的3nm工藝，加入了EUV光刻技術(shù)。英特爾Meteor Lake處理器預(yù)計(jì)將于明年正式亮相。
2021-11-24 16:07:162425 臺積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:203215 
1、IBM的2nm芯片，所有關(guān)鍵功能都是使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產(chǎn)的中間和后端環(huán)節(jié)使用EUV光刻機(jī)，意味著2nm工藝對EUV光刻機(jī)擁有更高的依賴性。
2022-07-05 17:26:4910336 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1087068 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:056458 光刻機(jī)譽(yù)為“現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)皇冠上的明珠”，是一種高度復(fù)雜的設(shè)備。光刻機(jī)是通過紫外光作為“畫筆”，把預(yù)先設(shè)計(jì)好的芯片電路路線書寫在硅晶圓旋涂的光刻膠上，光刻工藝直接決定了芯片中晶體管的尺寸和性能，是芯片生產(chǎn)中最為關(guān)鍵的過程。
2022-10-27 09:39:024800 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543038 
據(jù)英特爾中國透露，極紫外光刻技術(shù)正在驅(qū)動著算力主導(dǎo)著ai、先進(jìn)移動網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛及新數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用軟件等計(jì)算需求最高的應(yīng)用軟件。另外，該技術(shù)將對英特爾到2025年為止的4年時間里完成5個工程節(jié)點(diǎn)，重新找回公正領(lǐng)導(dǎo)能力起到重要作用。
2023-10-16 10:08:321442 三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:022010 
來源：Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業(yè)界首個高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。 新設(shè)備能夠大大提高下一代處理器的分辨率和功能擴(kuò)展，使英特爾代工廠能夠繼續(xù)超越英特爾 18A
2024-04-26 11:25:56956 英特爾正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-05-11 09:25:401825 
在萬物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動現(xiàn)代社會進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是半導(dǎo)體芯片、MEMS器件，還是微納光學(xué)元件都離不開光刻工藝的參與，其重要性不言而喻。本文將帶您一起認(rèn)識光刻工藝的基本知識。
2024-08-26 10:10:073248 
，nanoimprint lithography），它能夠繪制出小至14納米的電路特征——使邏輯芯片達(dá)到與英特爾、超微半導(dǎo)體（AMD）和英偉達(dá)現(xiàn)正大量生產(chǎn)的處理器相當(dāng)?shù)乃健?納米壓印光刻系統(tǒng)具有的優(yōu)勢可能對當(dāng)今主導(dǎo)先進(jìn)
2025-01-09 11:31:181280 EUV（極紫外）光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長，成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝，其光刻后形成的三維圖形（如鰭片、柵極、接觸孔等）尺寸通常在 5-50nm 范圍，高度 50-500nm。
2025-09-20 09:16:09592
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