恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC
中國(guó)上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36:44
1018 
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告指出，記憶體廠商與晶圓代工業(yè)者是目前12寸晶圓產(chǎn)能的最大貢獻(xiàn)者。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，前六大 12寸晶圓產(chǎn)能供應(yīng)商在 2012年囊括了整體產(chǎn)能的74.4%；而IC
2013-02-22 09:06:271441 介紹了晶圓級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-Out WLCSP
2023-11-08 09:20:1911649 
本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品，在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等終端設(shè)備功率密度需求攀升的當(dāng)下，其封裝技術(shù)正加速向晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝演進(jìn)——通過(guò)縮小體積、提升集成效率，滿(mǎn)足設(shè)備小型化與高性能的雙重需求。
2025-09-05 09:45:403106 
12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線(xiàn)，成為國(guó)內(nèi)首家獨(dú)立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)。
2020-12-31 10:57:314702 12 月 31 日消息，據(jù)英文媒體報(bào)道，芯片代工市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，也拉升了對(duì)硅晶圓的需求，硅晶圓制造商環(huán)球晶圓，已在計(jì)劃提高現(xiàn)貨市場(chǎng)的硅晶圓價(jià)格。
2021-01-01 04:31:005336 Nexperia今日宣布，位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:571209 技術(shù)最終將通過(guò)3D人臉識(shí)別等新興應(yīng)用進(jìn)入更廣泛的消費(fèi)市場(chǎng)。典型VCSEL器件橫截面示意圖，越來(lái)越多的這類(lèi)器件采用單片式工藝iPhone給150mm晶圓吃了一顆“定心丸”蘋(píng)果iPhone X是首款具備
2019-05-12 23:04:07
描述 此參考設(shè)計(jì)支持電源并用作使用TPS61161-Q1的噴油器的指示器，升壓轉(zhuǎn)換器將輸入從 5V-12V 驅(qū)動(dòng)至 30V 輸出。該設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)高效、準(zhǔn)確、靈活的控制和精確的參考電壓 2.7V 至
2022-09-22 06:11:22
30V轉(zhuǎn)15V降壓芯片 ，30V轉(zhuǎn)12V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)9V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)8V降壓芯片 , 30V轉(zhuǎn)6V降壓芯片 ,30V轉(zhuǎn)5V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)3.3V降壓芯片，30V轉(zhuǎn)3V降壓芯片，30V
2020-10-16 10:58:20
H4010是一款同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器，可滿(mǎn)足汽車(chē)充電器、照明燈、便攜式設(shè)備供電電源以及電池充電器等領(lǐng)域的應(yīng)用。該芯片內(nèi)置30V耐壓MOS，支持1A的持續(xù)輸出電流，并具備輸出電壓可調(diào)的特性，可
2024-06-04 09:18:54
`以下是羅姆MOSFET晶圓規(guī)格(6inch)N型16V:12A；16V:8A;20V:12A;20V:8A;30V:6A;45V:30A;60V:50A;100V:60A;100V:10A
2020-01-18 17:42:21
的工作環(huán)境，由于其額定溫度為+175°C，因此非常適合用于要求高溫的環(huán)境。Nexperia汽車(chē)用MOSFET具有額定重復(fù)性雪崩，開(kāi)關(guān)速度非?？?，ESD電阻高。Nexperia MOSFET采用先進(jìn)的業(yè)界領(lǐng)先
2021-01-23 11:20:27
，設(shè)計(jì)工程師已經(jīng)習(xí)慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來(lái)自 Nexperia 的最新特定應(yīng)用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結(jié)技術(shù)，可產(chǎn)生較低的導(dǎo)通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
晶圓級(jí)CSP的返修工藝包括哪幾個(gè)步驟？晶圓級(jí)CSP對(duì)返修設(shè)備的要求是什么？
2021-04-25 08:33:16
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級(jí)封裝技術(shù)Wafer Level Package Technology Board Mounting Application Note for 0.800mm pitch
2009-06-12 23:57:22
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開(kāi)發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓級(jí)封裝類(lèi)型及涉及的產(chǎn)品
2015-07-11 18:21:31
晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù)，封裝后的芯片尺寸與裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
?！ ‰S著越來(lái)越多晶圓焊凸專(zhuān)業(yè)廠家將焊膏印刷工藝用于WLP封裝，批量壓印技術(shù)開(kāi)始在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中廣泛普及。然而，大型EMS企業(yè)也走進(jìn)了WLP領(lǐng)域。封裝和板卡之間的邊界，以及封裝與組裝工藝之間的邊界日漸模糊，迫使企業(yè)必須具備晶圓級(jí)和芯片級(jí)工藝技術(shù)來(lái)為客戶(hù)服務(wù)`
2011-12-01 14:33:02
圖為一種典型的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)示意圖。晶圓上的器件通過(guò)晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過(guò)程中對(duì)器件造成的損壞。 圖1 晶圓級(jí)封裝工藝過(guò)程示意圖 1 晶圓封裝的優(yōu)點(diǎn) 1）封裝加工效率
2021-02-23 16:35:18
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開(kāi)關(guān)管和同步整流管，通過(guò)它們進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過(guò)程中，該芯片通過(guò)PWM
2024-03-22 11:31:10
全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——MicrochipTechnologyInc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布，推出其首款具備30V輸入、600mA輸出能力的降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2011-07-12 22:04:35
型號(hào)：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類(lèi)：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供樣品，并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
`晶圓級(jí)封裝(WLP)就是在其上已經(jīng)有某些電路微結(jié)構(gòu)（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經(jīng)腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學(xué)鍵結(jié)合在一起。在這些電路微結(jié)構(gòu)體的上面就形成了一個(gè)帶有密閉空腔的保護(hù)
2011-12-01 13:58:36
要點(diǎn):?Hybrid MOS是兼?zhèn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的新結(jié)構(gòu)MOSFET。?同時(shí)具備MOSFET的高速性、在低電流范圍的低損耗、IGBT在大電流范圍的低損耗特性。?有利于提高家電的APF標(biāo)準(zhǔn)。不僅支持大功率，還可提高低電力范圍的效率。
2018-11-28 14:25:36
本文重點(diǎn)介紹為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法?，F(xiàn)在有一種為高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問(wèn)題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導(dǎo)通電
2023-02-27 10:02:15
利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶(hù)的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
我有一個(gè)30V，10mA的電源，需要反轉(zhuǎn)極性，時(shí)間需要用PIC來(lái)控制。我看了一些H橋，但是我看到MOSFET的高Gs電壓差因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">30V的問(wèn)題。使用晶體管看起來(lái)更好。我看了一些馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，但不
2019-03-21 10:00:09
怎么選擇晶圓級(jí)CSP裝配工藝的錫膏？
2021-04-25 08:48:29
越大，代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線(xiàn)的尺寸縮小，這兩種方式都可以在一片晶圓上，制作出更多的硅晶粒，提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
SRAM中晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝的需求
2020-12-31 07:50:40
項(xiàng)目要做一個(gè)DC-DC車(chē)載電源，輸入300—1000V，輸出0—30V，功率大概2KW, 目前考慮到效率問(wèn)題，想用兩級(jí)級(jí)聯(lián)的結(jié)構(gòu)，前級(jí)和后級(jí)用什么拓?fù)浔容^好？
2024-03-19 14:13:37
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用
2008-08-23 15:08:371627
圖 30V電源原理圖電池容量計(jì)不同于其它儀器的是它只能
2009-07-21 14:58:133965 
圖 7～30V調(diào)輸出穩(wěn)壓電路
圖8是7～30V的可調(diào)輸
2009-07-21 16:03:471544 
Transceiver IC Generates ±30V,產(chǎn)生±30V的收發(fā)器集成電路
Abstract: This application note explains how an RS-232 transceiver and a few external components can b
2009-08-11 11:43:481836 
FormFactor針對(duì)DRAM市場(chǎng)推出12吋全晶圓測(cè)試
FormFactor公司宣布針對(duì)DRAM市場(chǎng)，推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡─SmartMatrix™ 100探針卡解決方案。該方案結(jié)合運(yùn)用FormFactor Mi
2009-12-11 09:17:14951 市場(chǎng)分析：MEMS封裝朝向晶圓級(jí)發(fā)展
傳統(tǒng)的MEMS長(zhǎng)期依賴(lài)陶瓷封裝，雖然行之有效，但MEMS產(chǎn)業(yè)已經(jīng)醞釀向晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)轉(zhuǎn)變，而這一轉(zhuǎn)變的部分驅(qū)動(dòng)力則來(lái)自于
2009-12-28 10:27:25987 晶圓級(jí)封裝產(chǎn)業(yè)(WLP),晶圓級(jí)封裝產(chǎn)業(yè)(WLP)是什么意思
一、晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging)簡(jiǎn)介 晶圓級(jí)封裝(WLP，Wafer Level Package) 的一般定
2010-03-04 11:35:0146790 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131026 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551806 本文開(kāi)始對(duì)12寸晶圓價(jià)格變化趨勢(shì)進(jìn)行了分析，其次闡述了12寸晶圓的應(yīng)用及12寸晶圓產(chǎn)能排名狀況，最后分析了12寸晶圓能產(chǎn)多少芯片。
2018-03-16 14:12:5954497 
30V 轉(zhuǎn) 15V ，30V 轉(zhuǎn) 12V，30V 轉(zhuǎn) 9V，30V 轉(zhuǎn) 8V ， 30V 轉(zhuǎn) 6V ，30V 轉(zhuǎn) 5V，30V 轉(zhuǎn) 3.3V，30V 轉(zhuǎn) 3V，30V 轉(zhuǎn) 1.8V 30V 轉(zhuǎn)
2020-10-12 08:00:0013 12月31日消息，據(jù)英文媒體報(bào)道，芯片代工市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，也拉升了對(duì)硅晶圓的需求，硅晶圓制造商環(huán)球晶圓，已在計(jì)劃提高現(xiàn)貨市場(chǎng)的硅晶圓價(jià)格。
2020-12-31 13:42:562810 作為華天集團(tuán)晶圓級(jí)先進(jìn)封裝基地，華天昆山2008年6月落戶(hù)昆山開(kāi)發(fā)區(qū)，研發(fā)的晶圓級(jí)傳感器封裝技術(shù)、扇出型封裝技術(shù)、超薄超小型晶圓級(jí)封裝、晶圓級(jí)無(wú)源器件制造技術(shù)目前已達(dá)到世界領(lǐng)先水平。
2021-01-09 10:16:095510 30V轉(zhuǎn)15V 12V 9V 8V 6V 5V 3.3V 3V芯片選型介紹(通用電源技術(shù)(深圳有限公司官網(wǎng))-30V轉(zhuǎn)24V，30V轉(zhuǎn)20V，30V轉(zhuǎn)15V ，30V轉(zhuǎn)12V，30V轉(zhuǎn)9V，30V轉(zhuǎn)5V，30V轉(zhuǎn)3.3V，30V轉(zhuǎn)3V，30V轉(zhuǎn)1.8V，30V轉(zhuǎn)1.2V.
2021-09-15 13:04:3322 在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個(gè)芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級(jí)封裝是在芯片還在晶圓上的時(shí)候就對(duì)芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個(gè)芯片。
2022-04-06 15:24:1912071 小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中
2022-07-06 16:13:221106 
和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信
2022-11-18 10:32:58992 
的安全工作區(qū)（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。? 多年來(lái)，Nexperia（安世半導(dǎo)體）致力于將成熟的 MOSFET 專(zhuān)業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來(lái)，增強(qiáng)器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能，滿(mǎn)足特定應(yīng)用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的
2022-11-21 16:11:381509 PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對(duì)稱(chēng)雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:151480 
30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:260 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:460 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12R5EP
2023-02-16 21:17:050 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12R7EP
2023-02-16 21:20:320 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN018-30QL
2023-02-17 18:48:160 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN9R0-30QL
2023-02-17 18:48:350 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN017-30QL
2023-02-17 19:15:190 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN010-30QL
2023-02-17 19:15:340 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12EP
2023-02-17 19:23:290 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:140 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 看看對(duì)應(yīng)型號(hào)TVS管參數(shù)，會(huì)發(fā)現(xiàn)，工作電壓為30V的所有瞬態(tài)二極管，其擊穿電壓都是33.3V-36.8V，鉗位電壓都是48.4V，不同的是峰值脈沖電流和功率。工作電壓30V的TVS管，其峰值脈沖電流
2022-05-23 17:33:112402 
晶圓級(jí)封裝是在整個(gè)晶圓（wafer）的級(jí)別上進(jìn)行封裝，而普通封裝是在單個(gè)芯片級(jí)別上進(jìn)行封裝。晶圓級(jí)封裝通常在晶圓制造完成后，將多個(gè)芯片同時(shí)封裝在同一個(gè)晶圓上，形成多個(gè)封裝單元。相比之下，普通封裝將單個(gè)芯片分別封裝在獨(dú)立的封裝器件上。
2023-08-30 16:44:575864 12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內(nèi)置了60V NMOS升壓型LED驅(qū)動(dòng)器，可以有效地驅(qū)動(dòng)LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來(lái)監(jiān)測(cè)LED驅(qū)動(dòng)器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:591890 【科普】什么是晶圓級(jí)封裝
2023-12-07 11:34:012777 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N溝道溝槽MOSFET PMF250XNE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-05 09:48:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V，雙N溝道溝槽MOSFET PMGD175XNE數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-05 09:47:310 共讀好書(shū) 在本文中，我們將重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝（WLP）。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括：光刻（Photolithography）工藝、濺射
2024-03-05 08:42:133559 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 14:11:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-02 11:25:410 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 近日，全球知名的半導(dǎo)體制造商Nexperia(安世)半導(dǎo)體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進(jìn)的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發(fā)布的MOSFET共包含四種不同選項(xiàng)，RDSon值
2024-05-23 10:57:391110 
30V/800mA同步降壓轉(zhuǎn)換器CN2203，效率高達(dá)93%
2024-08-02 09:38:301058 
在本系列第七篇文章中，介紹了晶圓級(jí)封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級(jí)封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級(jí)芯片封裝
2024-08-21 15:10:384452 
市場(chǎng)對(duì)于30V解決方案需求的持續(xù)增長(zhǎng)。這款經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)的功率MOSFET，憑借高可靠性和易用性，專(zhuān)為滿(mǎn)足廣泛的大眾市場(chǎng)應(yīng)用需求而生，提供了極大的設(shè)計(jì)靈活性。其適用場(chǎng)景涵蓋了工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電設(shè)備、電池管理系統(tǒng)以及不間斷電源（UPS）等多個(gè)領(lǐng)域。
2024-09-30 16:15:581770 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:33:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-20 16:29:230 Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001233 這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38701 
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過(guò)改變引腳連接來(lái)作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11616 
近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車(chē)級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，SiCMOSFET)，這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)
2025-05-08 11:09:50620 
SM4073L作為30V工業(yè)級(jí)耐壓鋰電池充電芯片，通過(guò)1A可編程快充、30V耐壓、多重安全保護(hù)機(jī)制及簡(jiǎn)化高壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)，解決工業(yè)24V系統(tǒng)浪涌、車(chē)載12V拋負(fù)載及快充高壓輸入三大痛點(diǎn)，成為高壓電源管理市場(chǎng)的高可靠性解決方案。
2025-09-06 15:28:46513 
長(zhǎng)晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工藝。在30V電壓平臺(tái)，與Gen1.0相比，F(xiàn)om值可降低50%，超同期歐美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期歐美系水平
2025-12-18 10:08:23273 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論