士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品，工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間，工作電流在1A—18A之間，可以兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)以提高ESD特性;具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導通電阻低，動態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點，已被廣泛應(yīng)用于LED 照明、AC-DC功率電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及PWM馬達驅(qū)動等領(lǐng)域。

　　F-CellTM產(chǎn)品采用了尺寸較小的保護環(huán)結(jié)構(gòu)，這樣在相同規(guī)格的條件下，F(xiàn)-CellTM產(chǎn)品具有相對較小的芯片面積，這一優(yōu)勢能有效增加芯片的利用率且降低芯片的制造成本。

　　F-CellTM產(chǎn)品優(yōu)化了柵氧化層的厚度和制程質(zhì)量，提高了柵源擊穿電壓，從而提高了產(chǎn)品可靠性及穩(wěn)定度;其突出表現(xiàn)在F-CellTM產(chǎn)品在經(jīng)過HTRB可靠性試驗后，IDSS仍然可以維持在幾nA的高水平，這保證了F-CellTM器件在長時間工作的高可靠性。

　　此外，F(xiàn)-CellTM產(chǎn)品通過在設(shè)計及制程上的演進，優(yōu)化了原胞結(jié)構(gòu)，有效減小了JFET效應(yīng)，使得器件的單位面積導通電阻有明顯減小，從而降低了器件的靜態(tài)損耗;另外，通過對多晶柵進行重摻雜處理，提高了器件的響應(yīng)速度，從而提高轉(zhuǎn)換效率及降低開關(guān)動態(tài)損耗。

　　經(jīng)過客戶的實際的整機生產(chǎn)及驗證結(jié)果，士蘭微電子F-CellTM高壓MOSFET產(chǎn)品已達先進的平面工藝的水平,并與其他知名大廠性能上互相匹配，且已陸續(xù)導入大量且穩(wěn)定生產(chǎn)中。