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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>麥瑞半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET驅(qū)動器MIC5019

麥瑞半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET驅(qū)動器MIC5019

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2025-12-09 10:43:32215

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威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換、電源管理、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:29:22276

選型手冊:VS1891GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-09 10:12:07262

安森美單通道N溝道功率MOSFET NTMFS002N10MCL的特性與應(yīng)用分析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件,它廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動等眾多領(lǐng)域。今天就來詳細(xì)探討安森美(onsemi)推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334

選型手冊:VS6604GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-08 10:59:34252

選型手冊:VS3622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-08 10:32:52241

選型手冊:VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TOLL封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-05 11:41:32236

選型手冊:VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-04 09:22:59258

意法半導(dǎo)體GaN柵極驅(qū)動器助力打造運(yùn)動控制解決方案

了解專為N溝道增強(qiáng)模式GaN晶體管打造的高壓半橋柵極驅(qū)動器的最新技術(shù)成果。此類器件具有無與倫比的效率和可靠性,堪稱SMPS、電池充電器、適配器、泵、壓縮機(jī)等各種消費(fèi)類和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。意法半導(dǎo)體
2025-12-03 10:03:18565

VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-12-03 09:53:50217

選型手冊:VS40200AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借超低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力,適配低壓超大電流DC/DC
2025-12-03 09:48:43296

選型手冊:VS1602GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-263封裝,憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力,適用于中壓大電流DC
2025-12-03 09:23:07264

深入解析 onsemi NVMFWS003N10MC 單通道 N溝道功率MOSFET

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件,它廣泛應(yīng)用于各類電源管理、電機(jī)驅(qū)動等電路中。今天,我們就來詳細(xì)剖析 onsemi 推出的 NVMFWS003N10MC 單通道 N 溝道功率 MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特之處。
2025-12-02 11:43:20466

選型手冊:VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01253

選型手冊:VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207

選型手冊:VSE025N10HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,具備快速開關(guān)特性與高可靠性,適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-01 16:36:00207

選型手冊:VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、高
2025-12-01 15:32:59189

選型手冊:VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域
2025-12-01 15:07:36169

高效N溝道MOSFET:NVMYS4D5N04C的技術(shù)解析與應(yīng)用洞察

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們聚焦于ON Semiconductor推出的一款單N溝道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C,深入剖析其特性、參數(shù)及應(yīng)用場景。
2025-12-01 14:41:37268

深入解析 NVMFS024N06C:高性能單通道 N溝道 MOSFET

作為一名電子工程師,在設(shè)計(jì)電路時,選擇合適的 MOSFET 至關(guān)重要。今天我們就來詳細(xì)探討 ON Semiconductor 推出的 NVMFS024N06C 單通道 N 溝道 MOSFET,看看它有哪些特性和優(yōu)勢。
2025-12-01 14:02:46261

選型手冊:VS4401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通電阻與400A大電流承載能力,適用于低壓大電流
2025-12-01 11:10:07189

選型手冊:VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)
2025-12-01 11:02:50237

探索NVTYS014N08HL:高性能單N溝道MOSFET的卓越之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵的功率器件,其性能表現(xiàn)對整個電路的性能起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來深入了解一款由onsemi推出的單N溝道MOSFET——NVTYS014N08HL。
2025-12-01 09:42:59233

深入解析 onsemi NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET 是不可或缺的重要元件。今天,我們就來深入探討 onsemi 推出的 NVHL060N065SC1 N 溝道 MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用特點(diǎn)。
2025-12-01 09:28:49379

選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借
2025-11-28 12:14:04237

選型手冊:VS8402ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力,適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換、電源
2025-11-28 12:10:55175

選型手冊:VS3618BE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-28 12:07:44160

選型手冊:VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-11-28 12:03:51204

選型手冊:VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、中功率負(fù)載
2025-11-27 16:52:11394

選型手冊:VS3698AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,憑借105A大電流承載能力
2025-11-27 16:41:49391

解析 NVMFS4C306N:高性能單通道 N 溝道 MOSFET 的卓越之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,其性能表現(xiàn)直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NVMFS4C306N 單通道 N 溝道 MOSFET,看看它在實(shí)際應(yīng)用中究竟有哪些獨(dú)特的優(yōu)勢。
2025-11-27 16:29:57334

選型手冊:VS3633GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換、同步
2025-11-27 14:53:22197

選型手冊:VSP004N10MSC-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與高效能,憑借1.00mΩ極致低阻、125A
2025-11-27 14:48:33239

選型手冊:VSP004N10MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,憑借超低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于中壓DC
2025-11-27 14:42:04194

選型手冊:VSP007N12HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效能與快速開關(guān)特性,憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于中壓DC
2025-11-26 15:24:14240

選型手冊:VS3618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,具備快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率,憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、負(fù)載開關(guān)等低壓
2025-11-26 15:21:16231

選型手冊:VSP003N10HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持10V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高效能,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換
2025-11-26 15:13:13226

選型手冊:VS4020AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一
2025-11-26 14:55:52232

onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET,具有低 ~RDS (on)~ ,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,另外還具有低~QG~ 和電容,可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。該
2025-11-24 15:35:18262

?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51507

選型手冊:MOT50N06D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動
2025-10-28 17:44:21762

選型手冊:MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性,廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從
2025-10-27 17:19:00190

?MIC4607A MOSFET驅(qū)動器評估板用戶指南總結(jié)

Microchip Technology MIC4607A MOSFET驅(qū)動器評估板用于演示MIC4607A MOSFET驅(qū)動器所提供的驅(qū)動器能力。此評估板可驅(qū)動高達(dá)20A的峰值電流負(fù)載
2025-10-06 15:20:001177

?MIC4607A三相MOSFET驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Microchip Technology MIC4607A三相MOSFET驅(qū)動器為1nF容性負(fù)載提供快速 (35ns) 傳播延遲時間和20ns上升/下降時間。MIC4607A TTL輸入可以是獨(dú)立
2025-09-29 14:45:13531

DRV8251A H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8251A H橋驅(qū)動器是一款高度集成的電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動來提高效率。
2025-09-25 10:42:02744

德州儀器DRV8231A H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8231A 33V H橋驅(qū)動器是一款集成電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動來提高效率。
2025-09-24 11:30:52799

DRV8231 H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8231 33V H橋驅(qū)動器是一款集成電機(jī)驅(qū)動器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過支持N溝道MOSFET半橋和100%占空比驅(qū)動來提高效率。
2025-09-24 11:20:49734

新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527

100V15A點(diǎn)煙N溝道MOS管HC070N10L

N溝道MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制型器件,依靠N半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓時,源極與漏極之間形成導(dǎo)電溝道,實(shí)現(xiàn)電流導(dǎo)通,具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快
2025-06-27 17:35:56

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動器是一款柵極驅(qū)動器,在高達(dá)100V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三態(tài)PWM輸入邏輯。強(qiáng)大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49907

意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器

意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器,為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能,提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581135

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù),為同步整流、電機(jī)驅(qū)動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971

MT8006A/B高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器英文手冊

MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器。浮動溝道驅(qū)動器可用于獨(dú)立驅(qū)動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT,工作電壓最高可達(dá)300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020

薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商薩電子,近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N
2025-01-22 17:04:06991

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