上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容，以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。本章將以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS?的兩個(gè)系列為例，介紹trr的高速化帶來的優(yōu)勢(shì)。

高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS　FN系列

PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導(dǎo)通電阻及低柵極總電荷量特征、且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列與標(biāo)準(zhǔn)型AN系列相比，trr速度提高至約1/5。同時(shí)，反向恢復(fù)電流Irr也降低至約1/3。這些特性的提升可大大降低開關(guān)損耗。順便提一下，PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音樂速度用語。

開發(fā)旨在trr高速化的FN系列，是為了使逆變器電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的損耗更低，并通過免除外置二極管從而使元器件數(shù)量更少、電路規(guī)模更小。一般這類電路是由MOSFET或IGBT與二極管組合構(gòu)成的。與二極管組合的原因是為了抑制MOSFET和IGBT的內(nèi)部二極管trr間產(chǎn)生的換流損耗，通常需要2個(gè)外置快速恢復(fù)二極管（以下簡(jiǎn)稱“FRD”）。

從電流路徑的角度看，無需這些外置FRD，但由于MOSFET的內(nèi)部二極管trr不是很快，因而其間的反向電流Irr成為較大損耗。為了阻止這種Irr，同時(shí)為了確保逆變器電路等的再生電流的高速路徑，需要2個(gè)FRD。

這樣一來，添加FRD必然會(huì)使元器件數(shù)量增加，而且MOSFET導(dǎo)通時(shí)的漏極電流（Id）路徑中也因添加FRD而導(dǎo)致?lián)p耗增加。

PrestoMOS通過實(shí)現(xiàn)內(nèi)部二極管trr的高速化，無需使用這2個(gè)FRD也可用最低的損耗實(shí)現(xiàn)電路工作。由于不再需要2個(gè)FRD，損耗也更低，還可實(shí)現(xiàn)小型化和高效化。

下圖是一般的功率調(diào)節(jié)器（逆變器）電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的功率段的示意圖和損耗比較數(shù)據(jù)。

在功率調(diào)節(jié)器電路中，比較了使用PrestoMOS時(shí)的損耗和傳統(tǒng)的MOSFET與FRD組合的損耗。使用PrestoMOS時(shí)，削減了VF比FRD低的這部分的再生損耗。

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路例中，與IGBT的比較中，在ID低的范圍由于VCE（MOSFET則是VDS）低故該范圍的損耗變小。以家電為對(duì)象的情況下，絕大多數(shù)在MOSFET的優(yōu)勢(shì)范圍使用，因而功耗削減備受期待。

導(dǎo)通電阻和柵極容量更低的PrestoMOS MN系列

MN系列的導(dǎo)通電阻和柵極總電荷量比trr高速化的FN系列更低。如下圖所示，A?Ron降低32%、Ron?Qg降低59%。這是以進(jìn)一步改善逆變器電路等的效率為目標(biāo)開發(fā)的系列。

最后給出這2個(gè)系列相關(guān)的技術(shù)信息鏈接。要想更深入了解產(chǎn)品，需要確認(rèn)技術(shù)規(guī)格的規(guī)格值和特性圖表，這一點(diǎn)是很重要的?！?br />
　審核編輯：湯梓紅