91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>意法半導體推 PWD13F60 節(jié)省電路板空間60% 還能提升最終應用的功率密度

意法半導體推 PWD13F60 節(jié)省電路板空間60% 還能提升最終應用的功率密度

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

2022 年?5 月?18日,中國?– 半導體的?STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數(shù)據(jù)中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關
2022-05-19 10:50:422606

全球最高水平!輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器

  日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點是輸出功率密度高達60kW/L,這一數(shù)值達到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:462907

提升功率密度 飛兆半導體改進Dual Cool封裝技術

飛兆半導體已擴展和改進了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合,解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應用中面臨提升功率密度的同時節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:441436

半導體發(fā)布兩款靈活多用的電源模塊,簡化SiC逆變器設計

2022 年 9 月 13日,中國 —— 半導體發(fā)布了兩款采用主流配置的內(nèi)置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意半導體的ACEPACK 2 封裝
2022-09-13 14:41:19976

半導體推出尺寸緊湊的750W家電和工業(yè)設備電機驅(qū)動參考

STDRIVE101三相柵極驅(qū)動器芯片為電機帶來高功率密度和很低的睡眠功耗 組裝好的參考設計已在意半導體電子商城上架開售 ? 2024 年 8 月 1 日,中國 ——半導體
2024-08-08 14:52:181175

325MHz低噪聲軌到軌SOT-23運算放大器可節(jié)省電路板空間

DN254-LT1806:325MHz低噪聲軌到軌SOT-23運算放大器可節(jié)省電路板空間
2019-07-26 12:24:35

PWD13F60功率模塊在應用時是否需要加額外的散熱器?

PWD13F60功率模塊在應用時是否需要加額外的散熱器
2024-03-26 08:06:47

PWD13F60功率模塊在應用時是否需要加額外的散熱器?

PWD13F60功率模塊在應用時是否需要加額外的散熱器?
2025-03-14 08:24:48

功率MOSFET技術提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù),進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42

半導體 ST - STM32 Nuleo 核心介紹

`半導體 STM32Nuleo 核心感謝 半導體 提供大賽用開發(fā)數(shù)據(jù)下載STM32 Nucleo 核心是ST為用戶全新設計的開放式開發(fā)平臺,為用戶提供了經(jīng)濟、靈活的途徑,用于快速驗證
2015-05-04 16:04:16

半導體與遠創(chuàng)達簽署LDMOS技術許可合作協(xié)議

功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。半導體與遠創(chuàng)達的合作協(xié)議將擴大意半導體LDMOS產(chǎn)品的應用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密,不對外披露。 相關新聞MACOM和半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56

半導體和Sigfox合作,實現(xiàn)數(shù)十億設備聯(lián)網(wǎng)

? 半導體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡軟件,適用于各種產(chǎn)品,按照物聯(lián)網(wǎng)應用開發(fā)人員的需求專門設計 ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件,加快
2018-03-12 17:17:45

半導體工業(yè)峰會2023

▌峰會簡介第五屆半導體工業(yè)峰會即將啟程,現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場,直擊智能熱點,共享前沿資訊,通過意半導體核心技術,推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃,實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接:https
2023-09-11 15:43:36

半導體推出專業(yè)MEMS開發(fā)工具 實現(xiàn)MEMS傳感可視化

提升功能集成度和設計靈活性,新增STM32F413/423兩個產(chǎn)品線半導體(ST)先進圖像防抖陀螺儀讓下一代智能手機拍照不抖動半導體傳感器通過阿里IoT驗證,助力設備廠商更快推出新產(chǎn)品
2018-05-22 11:20:41

半導體推出封裝小、性能強的低壓差穩(wěn)壓器創(chuàng)新產(chǎn)品

中國,2018年4月10日 ——半導體的STLQ020低壓差(LDO)穩(wěn)壓器可以緩解在靜態(tài)電流、輸出功率、動態(tài)響應和封裝尺寸之間權衡取舍的難題,為設計人員帶來更大的自由設計空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05

半導體推出更快、更靈活的探針,簡化STM8和STM32案上及現(xiàn)場代碼燒寫流程

環(huán)境的嵌入式系統(tǒng)公司半導體推出新款STM8 Nucleo開發(fā),為8位項目提供開源硬件資源簡單便捷、開箱即用的IoT連接方案——半導體STM32蜂窩-云端探索套件經(jīng)銷商到貨
2018-10-11 13:53:03

半導體新一代FlightSense飛行時間傳感器測距4米并有自動省電功能

`中國,2018年3月19日——半導體VL53L1X 飛行時間傳感器將FlightSense*技術的測距提高到四米,讓低功耗的高精度測距和接近檢測功能適用于更廣泛的應用領域。不像其它的采用簡單
2018-03-20 10:40:56

半導體新增TinyML開發(fā)者云

和內(nèi)存占用測量值,以進行推理。Richard表示,每個STM10部件號的電路板場將開始提供32塊電路板,未來幾個月將增加。這些電路板位于多個地方,與半導體的基礎設施分開,以確保穩(wěn)定和安全的服務。
2023-02-14 11:55:49

半導體突破制程瓶頸_MEMS性價比大躍升

微機電系統(tǒng)(MEMS)感測器制造技術邁入新里程碑。半導體(ST)宣布成功結合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14

半導體第 21 年發(fā)布可持續(xù)發(fā)展報告

234 個活躍的研發(fā)伙伴關系;人與社區(qū)? 提升對生產(chǎn)安全文化的重視,維持業(yè)界最優(yōu)質(zhì)的安全生產(chǎn)企業(yè),可記錄事故率僅為 0.14% ,重大事故率較 2016 年下降 25 %;? 通過“半導體健康
2018-05-29 10:32:58

半導體(ST)簡化顯示模塊設計

電路板空間。  STLED25繼承半導體先進的設計和制造能力,提供五個可直接連接LED上橋臂端的電流源,而下橋臂可直接連接地面,無需將每個LED通道回連至控制器芯片,從而可實現(xiàn)更緊湊、穩(wěn)健且可靠
2011-11-24 14:57:16

DN266 - LT1880 SOT-23 Superbeta運算放大器可在精密應用中節(jié)省電路板空間

DN266-LT1880 SOT-23 Superbeta運算放大器可在精密應用中節(jié)省電路板空間
2019-06-04 13:58:48

Leadway GaN系列模塊的功率密度

Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設計,實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58

MACOM和半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用

電子、汽車和無線基站項目半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38

Velankani和半導體合作開發(fā)“印度制造”智能電表

智能電表芯片單片集成開發(fā)智能電表所需的全部重要功能,能夠滿足多個智能電網(wǎng)市場的需求。這些電表連接消費者和供電公司,提供實時電能計量和用電數(shù)據(jù)分析功能。半導體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35

【合作伙伴】ST半導體--科技引領智能生活

ST半導體半導體擁有48,000名半導體技術的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者,掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM),半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34

【文獻分享】選擇IC封裝時的五項關鍵設計考慮

熱阻,而有利于改善散熱。以半導體(ST)的新系統(tǒng)級封裝(SiP)PWD13F60為例,它將4個功率MOSFET集成在了比同類電路60%的封裝內(nèi)(圖1)。PWD13F60封裝集成了面向功率
2020-12-01 15:40:26

【新聞】半導體技術助力Neonode為任意物品、表面或空間增加觸控交互功能

、低功耗和可配置性的完美組合?!?b class="flag-6" style="color: red">意半導體北歐銷售副總裁Iain Currie表示:“這個創(chuàng)新的感測技術可讓任何物品、表面或空間具有觸控互動功能,讓設計人員能夠完全自由地設計。Neonode選用意
2018-02-06 15:44:03

什么是功率密度?如何實現(xiàn)高功率密度

什么是功率密度?功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度
2021-03-11 06:51:37

什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?

什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17

什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件?

直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本。  然而,所使用的半導體開關遠非理想,并且由于開關轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關損耗。這些損耗對轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓撲可以通過插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16

使用ST6060 GHz RF毫米波段與現(xiàn)在的WiFi6相比,產(chǎn)品的功率密度如何?

使用ST6060 GHz RF毫米波段與現(xiàn)在的WiFi6相比,產(chǎn)品的功率密度如何?
2024-03-29 06:54:59

出門問問最新智能手表TicWatch Pro搭載半導體NFC技術,提升用戶非接觸式支付體驗

頻性能的同時不會影響電池性能。此外,ST21NFCD的高集成度可最大限度地減小電路尺寸,從而節(jié)省材料成本。“出門問問和半導體有著長期穩(wěn)定的合作關系,雙方曾合作開發(fā)多款適用于出門問問智能手表的關鍵
2018-07-13 13:06:48

在低功率壓縮機驅(qū)動電路內(nèi),半導體超結MOSFET與IGBT技術比較

電路內(nèi),半導體最新超結MOSFET與IGBT技術能效比較  圖1: 垂直布局結構  4 功率損耗比較  在典型工作溫度 Tj = 100 °C范圍內(nèi),我們從動靜態(tài)角度對兩款器件進行了比較分析。在
2018-11-20 10:52:44

如何減少PCB上DC/DC轉(zhuǎn)換器封裝的熱量?如何選擇POL穩(wěn)壓器并節(jié)省電路板空間?

怎樣選擇低溫運行、大功率、可擴展的POL穩(wěn)壓器并節(jié)省電路板空間如何減少PCB上DC/DC轉(zhuǎn)換器封裝的熱量?
2021-03-10 06:45:29

對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案

的NexFET?功率MOSFET的一員,我很難抱怨這一市場趨勢。[/url]圖1:從有刷到無刷拓撲的轉(zhuǎn)換意味著FET數(shù)量的6倍倍增但BLDC設計在這些FET上提出了新的技術要求。例如,若電路板上FET
2017-08-21 14:21:03

開啟萬物智能:半導體攜最新的解決方案和生態(tài)系統(tǒng)產(chǎn)品亮相2018年世界移動大會-上海

的ST AWS智能語音控制方案;基于半導體藍牙低功耗BlueNRG BLE SoC的智能設備;滿足不同需求的各種無線充電解決方案;S.P.A.R.C.link 60GHz短距離非接觸式超高帶寬低功耗
2018-06-28 10:59:23

快捷半導體的整合式智慧功率級模組(SPS)

`該模塊在更小的空間里包含了各種智慧特性,簡化了下一代的服務器以及通訊系統(tǒng)的功率輸出,在下一代服務器以及通訊系統(tǒng)功率輸出應用中,在不斷縮小電路板可用空間中實現(xiàn)高效率與高功率密度是設計人員面臨的兩大
2013-12-09 10:06:45

怎么測量空間中某點的電磁功率功率密度)?

怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率功率密度)?
2013-10-16 16:32:02

權衡功率密度與效率的方法

整個壽命周期成本時,逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面,將更多能量轉(zhuǎn)換設備集成到更小的封裝中,即提高“功率密度”,可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12

氮化鎵GaN技術怎么實現(xiàn)更高的功率密度

在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間,”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說,“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度?!?/div>
2019-08-06 07:20:51

用于高密度和高效率電源設計的半導體WBG解決方案

半導體擁有最先進的平面工藝,并且會隨著G4不斷改進:? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00

第六屆半導體工業(yè)峰會2024

▌2024ST工業(yè)峰會簡介 第六屆半導體工業(yè)峰會2024 即將啟程!在為期一整天的活動中,您將探索半導體核心技術,實現(xiàn)突破性創(chuàng)新,推動可持續(xù)發(fā)展。參加意半導體及合作伙伴高管的精彩主題演講
2024-10-16 17:18:50

講一下半導體官方的庫怎么搞

半導體官方的庫怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43

STM32F103C8T6,中密度性能,2個ADC、9個通信接口,ST半導體處理器

STM32F103C8T6,中密度性能,2個ADC、9個通信接口,ST半導體處理器
2023-02-17 11:55:11

半導體新推出13款單軸和雙軸陀螺儀

半導體新推出13款單軸和雙軸陀螺儀 半導體(STMicroelectronics)擴大動作傳感器產(chǎn)品陣容,新推出13款單軸和雙軸陀螺儀。新系列產(chǎn)品體積比之前的組件縮小50%以上
2009-11-16 08:35:17771

密度印制電路板(HDI),高密度印制電路板(HDI)是什么

密度印制電路板(HDI),高密度印制電路板(HDI)是什么意思   印刷電路板是以絕緣材料輔以導體配線所形成的結構性元件。在制成最終產(chǎn)品時,其上
2010-03-10 08:56:413061

半導體發(fā)布高效電路BC2及功率優(yōu)化器件

  全球領先的功率半導體供應商半導體(紐約證券交易所代碼:STM),發(fā)布一款獲得專利的高效電路BC2以及為該電路設計的
2010-11-08 08:44:581184

半導體發(fā)布全新微型封裝技術SMBflat

半導體(STMicroelectronics, ST) 日前發(fā)布全新微型封裝技術 SMBflat ,據(jù)稱比 SOT-223 封裝薄40%,能有效縮減50%的印刷電路板占板面積
2011-03-28 11:39:301590

半導體推出高穩(wěn)健性的高壓整流器STPS60SM200C

橫跨多重電子應用領域半導體供應商 半導體 (ST)近日推出新款高壓蕭特基二極體(Schottky diode),有助于提高電信基地臺和熔接設備的效能和穩(wěn)健性。 半導體的新款200V功率蕭特基
2011-10-08 09:05:281566

電裝展出輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器

電裝在汽車展會“人與車科技展2012”(2012年5月23~25日)上展出了輸出功率密度高達60kW/L的逆變器,并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為0.5L,輸出功率為30kW時,輸出功率密度
2012-05-28 10:08:562454

半導體STM32F103核心外擴測試程序

半導體STM32F103核心外擴測試程序
2013-03-26 15:41:3073

飛兆半導體集成式智能功率級(SPS)模塊 具有更高的功率密度和更佳的效率

電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中,提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應對挑戰(zhàn),飛兆半導體研發(fā)了智能功率級(SPS)模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012749

半導體發(fā)布高能效無線充電芯片組 適用超緊湊可穿戴設備

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出微型無線充電芯片組,可節(jié)省電路板空間,簡化機殼設計和密封,縮短研發(fā)周期,適用于超級緊湊的穿戴式運動設備、健身監(jiān)視器、醫(yī)療傳感器和遙控器。
2016-12-16 11:30:341127

ST(半導體)V2X開發(fā)

ST(半導體)V2X開發(fā)
2017-03-10 14:27:5552

半導體(ST)推出貼裝智能低功耗模塊,用于電機內(nèi)置驅(qū)動器或其它的空間受限的驅(qū)動器

半導體(ST)新推出貼裝智能低功耗模塊,節(jié)省高能效電機驅(qū)動電路空間
2017-09-21 16:14:226997

提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復二極管

半導體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復二極管 提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599

半導體推出巴倫BALF-SPI2-01D3,將大幅提升射頻電路性能

半導體推出與S2-LP 868-927MHz 匹配的巴倫,將大幅提升射頻電路性能,讓濾波電路近乎消失,可節(jié)省電路板空間,克服與射頻電路有關的設計挑戰(zhàn)。
2017-12-24 11:22:353082

半導體新ACEPACK功率模塊可自由地優(yōu)化散熱器尺寸和功率耗散

半導體節(jié)省空間的纖薄的ACEPACK 技術在經(jīng)濟劃算的塑料封裝內(nèi)整合高功率密度與可靠性。產(chǎn)品特性包括可選的無焊壓接工藝。這項工藝可以取代傳統(tǒng)焊接引腳和金屬螺絲夾,簡化組裝過程,實現(xiàn)快速、可靠的安裝。
2018-03-28 12:55:002110

如何節(jié)省ZL9101M電源模塊空間與降低物料成本

ZL9101M數(shù)字功率模塊節(jié)省電路板空間、降低物料成本
2018-06-24 05:12:004502

半導體的底氣是什么

electronica 2018最火展區(qū)之一,半導體的亮眼科技。
2018-12-03 16:44:325393

PWD5F60密度片上系統(tǒng)電源驅(qū)動解決方案

1A,主要用在工業(yè)風扇和泵,烹飪罩和氣體加熱器,吹風機,工業(yè)驅(qū)動和工廠自動化以及電源單元。本文介紹了PWD5F60主要特性,框圖和應用框圖,以及評估EVALPWD5F60主要特性和指標,電路圖,材料清單和PCB設計圖。
2019-04-05 11:16:003274

半導體推出兩款新芯片組 可節(jié)省電路板空間

半導體的新芯片組讓用戶可以利用最新的以太網(wǎng)供電(PoE)規(guī)范IEEE 802.3bt,快速開發(fā)性能可靠、節(jié)省空間的用電設備(PD)。 PM8804和PM8805可用于用電設備的PoE轉(zhuǎn)換器電路
2019-05-16 10:25:513624

半導體L99UDL01中控鎖整體解決方案,可簡化設計和提升安全性

2020年5月11日——半導體L99UDL01通用型車門鎖IC集成6個MOSFET半橋輸出和兩個半橋柵極驅(qū)動器,以及電路保護和診斷功能,可提升方案安全性,簡化設計,節(jié)省空間。
2020-05-11 17:35:322722

Cartesiam發(fā)布優(yōu)化半導體STM32開發(fā)的新版NanoEdge? AI Studio

半導體AI解決方案經(jīng)理Miguel Castro表示:“ST微控制器的用戶不僅可以從Cartesiam解決方案中受益,而且還能繼續(xù)使用他們已經(jīng)習慣的電路板生態(tài)系統(tǒng)和開發(fā)環(huán)境。
2020-05-20 10:35:391053

半導體高能效降壓轉(zhuǎn)換器竟為物聯(lián)網(wǎng)設備節(jié)省電能和空間

半導體的ST1PS01降壓轉(zhuǎn)換器專門采用小尺寸和低靜態(tài)電流設計,能夠在負載的所有電流值下保持高能效,為始終工作的負載點電源和資產(chǎn)跟蹤器、可穿戴設備、智能傳感器、智能電表等物聯(lián)網(wǎng)設備節(jié)省電能和空間
2020-07-06 09:18:22825

PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60柵極驅(qū)動器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ST(ti)PWD13F60相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有PWD13F60的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,PWD13F60真值表,PWD13F60管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2020-10-30 14:06:58

PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60密度功率驅(qū)動器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ST(ti)PWD5F60TR相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有PWD5F60TR的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,PWD5F60TR真值表,PWD5F60TR管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2020-11-09 12:07:04

DN266-LT1880 SOT-23 Superbeta運算放大器在精密應用中節(jié)省電路板空間

DN266-LT1880 SOT-23 Superbeta運算放大器在精密應用中節(jié)省電路板空間
2021-04-25 09:43:085

DN254-LT1806:325 MHz低噪聲軌對軌SOT-23運算放大器節(jié)省電路板空間

DN254-LT1806:325 MHz低噪聲軌對軌SOT-23運算放大器節(jié)省電路板空間
2021-05-08 21:27:054

靈動微MM32F3277可替換半導體STM32F103

半導體STM32F103微控制器使用Cortex-M3內(nèi)核,CPU最高速度為72兆赫茲。該產(chǎn)品組合涵蓋16 KB到1MB的閃存,帶有電機控制外設、USB全速接口和CAN。靈動微MM32F3277系列可兼容替換半導體STM32F103。
2021-09-22 14:51:072017

半導體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關電路

半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間,簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261774

半導體推出新雙通道電流隔離柵極驅(qū)動器

半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間,簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:142770

如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導體重要的設計目標。
2022-05-31 09:47:063203

東芝節(jié)省電路板空間的步進電機驅(qū)動IC

。新驅(qū)動器有助節(jié)省電路板的布置空間,適用于辦公自動化和金融裝置等工業(yè)設備。產(chǎn)品從即日起開始發(fā)貨。 TB67S549FTG使用東芝的DMOS FET[1]作為其輸出功率晶體管。額定電機輸出電壓為40V,額定電機輸出電流為1.5A[2]。QFN24封裝的安裝面積只有東芝當前的TB67S539FTG產(chǎn)品
2022-08-26 11:06:201221

半導體的ST60A3連接器優(yōu)勢分析

半導體的ST60A3 的設計與機械連接器的行為相似, 用高速無線射頻鏈路替代了機械連接器需要的金屬觸點。ST60A3 可以在兩個設備靠近時進行連接,能夠以高達每秒480Mbps的速度發(fā)送和接收信號。
2022-09-27 11:28:402077

半導體ST60毫米波非接觸式連接器

ST60半導體開發(fā)的毫米波非接觸式連接器。ST60發(fā)送器、接收器通過毫米波來傳輸信號,可以像真正的連接器一樣工作,支持廣泛的信號接口類型。收發(fā)器示意和主要的技術規(guī)格和特性如下。
2022-12-05 09:50:292773

半導體推出具超強散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT

半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比,半導體先進的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡化組裝工序,提高模塊的功率密度。
2023-01-16 15:01:251612

功率器件的功率密度

功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:203471

半導體怎么樣

半導體怎么樣 半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113002

如何提高系統(tǒng)功率密度

功率器件領域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談論功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254

半導體功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間提高消費電子和工業(yè)應用的能效

2023年5月20日,中國——半導體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產(chǎn)品,適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振 (QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。
2023-05-20 16:59:50754

用于高密度和高效率電源設計的半導體WBG解決方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于高密度和高效率電源設計的半導體WBG解決方案.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:54:170

基于ST 半導體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意半導體的集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。半導體GaN技術的開關頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設計規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652

中國攜手半導體推出EVLDRIVE101-HPD電機驅(qū)動參考設計

在科技日新月異的2024年8月1日,中國與全球領先的半導體制造商半導體共同揭曉了一項突破性成果——EVLDRIVE101-HPD(高功率密度)電機驅(qū)動參考設計。這一創(chuàng)新設計巧妙地將三相柵極驅(qū)動器
2024-08-02 14:47:581310

半導體發(fā)布750W緊湊電機驅(qū)動參考

半導體近期推出了EVLDRIVE101-HPD(高功率密度)電機驅(qū)動參考設計,該設計在直徑僅50毫米的圓形PCB上集成了三相柵極驅(qū)動器、STM32G0微控制器及高達750W的功率級,展現(xiàn)了前所未有的集成度與緊湊性。
2024-08-06 18:17:532051

半導體推出高性能三相電機驅(qū)動器PWD5T60

在2024年9月23日,中國迎來了一項電機技術領域的重大突破。半導體(STMicroelectronics)正式推出了其創(chuàng)新的三相電機驅(qū)動器PWD5T60,以及配套的即用型評估EVLPWD-FAN-PUMP,旨在顯著提升電扇與電泵等應用的開發(fā)效率與性能表現(xiàn)。
2024-09-24 14:26:081399

半導體第四代碳化硅功率技術問世

半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195

半導體發(fā)布250W MasterGaN參考設計

參考設計,旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是半導體的創(chuàng)新之作,它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動器完美整合于一個封裝內(nèi)。這一設計不僅顯著提升了電源的性能和可靠性,還通過高度集成的方式,極大地加快了設計速度,并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143

半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計,半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151134

半導體推出EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設計

為提供卓越的效率和功率密度,半導體加快了氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計進程,推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16942

STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動器深度解析與技術應用指南

STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動器具有集成柵極驅(qū)動器和六個N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動器非常適合用于風扇、泵
2025-10-20 13:55:53348

STMicroelectronics EVLPWD5T60評估技術解析與應用指南

分流電流檢測拓撲,每個輸出均設有專用輸入引腳和關斷引腳。半導體 EVLPWD5T60可通過帶狀連接器輕松連接MCU控制。 該可通過X-NUCLEO-IHM09M1電機控制連接器擴展板使用34引腳
2025-10-20 15:53:13553

已全部加載完成