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RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計(jì)算應(yīng)用
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奈梅亨，2023年3月22日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。
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憑借數(shù)十年開發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識(shí)，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，在緊湊的8x8 mm封裝尺寸中兼顧低RDS(on)和強(qiáng)大線性模式（安全工作區(qū)）性能，可滿足嚴(yán)苛的熱插拔應(yīng)用要求。此外，Nexperia還發(fā)布了一款80 V ASFET產(chǎn)品PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應(yīng)計(jì)算服務(wù)器和其他工業(yè)應(yīng)用中使用48 V電源軌的增長(zhǎng)趨勢(shì)，在這些應(yīng)用中，環(huán)境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值。
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在熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中，具有增強(qiáng)型SOA的ASFET越來越受市場(chǎng)歡迎。當(dāng)容性負(fù)載引入帶電背板時(shí)，這些產(chǎn)品強(qiáng)大的線性模式性能對(duì)于高效可靠地管理浪涌電流必不可少。當(dāng)ASFET完全導(dǎo)通時(shí)，低RDS(on)對(duì)于最大限度地降低I2R損耗也同樣重要。除了RDS(on)更低且封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia的第三代增強(qiáng)SOA技術(shù)與前幾代D2PAK封裝相比還實(shí)現(xiàn)了10% SOA性能改進(jìn)（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為33 A和30 A）。
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Nexperia的另一項(xiàng)創(chuàng)新在于，用于熱插拔的新型ASFET完整標(biāo)示了25°C和125°C下的SOA特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了經(jīng)過全面測(cè)試的高溫下SOA曲線，設(shè)計(jì)工程師無需進(jìn)行熱降額計(jì)算，并顯著擴(kuò)展了實(shí)用的高溫下SOA性能。
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到目前為止，適合熱插拔和計(jì)算應(yīng)用的ASFET通常采用較大尺寸的D2PAK封裝(16x10 mm)。LFPAK88封裝是D2PAK封裝的理想替代選項(xiàng)，空間節(jié)省效率高達(dá)60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)僅為2.3 mΩ，相較于現(xiàn)有器件至少降低了40%。? LFPAK88不僅將功率密度提高了58倍，還提供兩倍的ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。該產(chǎn)品結(jié)合了Nexperia先進(jìn)的晶圓和銅夾片封裝技術(shù)的功能優(yōu)勢(shì)，包括占用空間更小、RDS(on)更低以及SOA性能更優(yōu)。Nexperia還提供采用5x6 mm LFPAK56E封裝的25 V、30 V、80 V和100 V ASFET系列產(chǎn)品，并針對(duì)需要更小PCB管腳尺寸的低功耗應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

有關(guān)新型ASFET的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問：nexperia.cn/asfets-for-hotswap-and-soft-start
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