應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm?Bulk CMOS工藝
2022-04-21 17:37:24
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格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，F(xiàn)D-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 隨著摩爾定律逐步達(dá)到極限，大量行業(yè)巨頭暫停了 7 nm 以下工藝的研發(fā)，轉(zhuǎn)而將目光投向先進(jìn)封裝領(lǐng)域。其中再布線先行（ RDL-first ） 工藝作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，因其具備高良率
2023-12-07 11:33:443904 
解決方案不斷發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。解決方案今天，手機(jī)的功率放大器主要使用砷化鎵（GaAs）技術(shù)。幾年前，OEM將射頻開關(guān)等制造工藝從GaAs和藍(lán)寶石（SoS）遷移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的變體
2017-07-13 08:50:15
20-35%；2) 具有更低的功耗。由于減少了寄生電容，降低了漏電，SOI 器件功耗可減小35-70%；3) 消除了閂鎖效應(yīng)；4) 抑制了襯底的脈沖電流干擾，減少了軟錯(cuò)誤的發(fā)生；5) 與現(xiàn)有硅工藝兼容，可減少
2011-07-06 14:09:25
隨著SMT新技術(shù)、新工藝、新材料、新器件的發(fā)展，針對(duì)這種應(yīng)用趨勢(shì)國(guó)外先進(jìn)研究機(jī)構(gòu)在開展細(xì)致分析、檢測(cè)方面做了許多工作，特別是投入巨額資金，組建了相應(yīng)的分析實(shí)驗(yàn)室，促進(jìn)了新技術(shù)在SMT領(lǐng)域中發(fā)展
2018-08-23 06:45:03
摘 要：先進(jìn)封裝技術(shù)不斷發(fā)展變化以適應(yīng)各種半導(dǎo)體新工藝和材料的要求和挑戰(zhàn)。在半導(dǎo)體封裝外部形式變遷的基礎(chǔ)上，著重闡述了半導(dǎo)體后端工序的關(guān)鍵一封裝內(nèi)部連接方式的發(fā)展趨勢(shì)。分析了半導(dǎo)體前端制造工藝的發(fā)展
2018-11-23 17:03:35
AD9833模塊電路，均存在相同問題，不知道這個(gè)原因在哪里？謝謝！是軟件還是硬件原因？軟件設(shè)置的話，應(yīng)該在哪里更改呢？
2023-12-08 07:40:25
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，F(xiàn)D-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
解決方案不斷發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。解決方案今天，手機(jī)的功率放大器主要使用砷化鎵（GaAs）技術(shù)。幾年前，OEM將射頻開關(guān)等制造工藝從GaAs和藍(lán)寶石（SoS）遷移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的變體
2017-07-13 09:14:06
SMT貼片工藝(雙面) 第一章緒 論1.1簡(jiǎn)介隨著我國(guó)電子工藝水平的不斷提高，我國(guó)已成為世界電子產(chǎn)業(yè)的加工廠。表面貼裝技術(shù)(SMT)是電子先進(jìn)制造技術(shù)的重要組成部分。SMT的迅速發(fā)展和普及，對(duì)于推動(dòng)
2012-08-11 09:53:05
我做了兩版硬件，一版可以識(shí)別到fx3相機(jī)，另一版找不到。
但是兩版都能測(cè)試USBBulkSourceSink.img，并且速率都在4Gbps以上。
有區(qū)別的是不能識(shí)別fx3相機(jī)的版本用的是52m的參考時(shí)鐘，
請(qǐng)問下可能的原因在哪里？
2024-05-29 08:16:39
串聯(lián)諧振(別稱串聯(lián)諧振耐壓裝置)主要應(yīng)用于各個(gè)電力，冶金，石油等高能高壓的一些工業(yè)公司。它的技術(shù)含量要求很高，一般沒有接觸過這些方面的人根本就不懂什么是串聯(lián)諧振，但這并沒有阻礙串聯(lián)諧振在發(fā)展的過程中
2019-07-06 10:00:20
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
基本問題1. 什么是 ROSROS 是一個(gè)操作系統(tǒng)ROS 是一種跨平臺(tái)模塊化軟件通訊機(jī)制ROS 是一系列開源工具ROS 是一系列最先進(jìn)的算法2. ROS 產(chǎn)生、發(fā)展和壯大的原因和意義最初人們是想設(shè)計(jì)制造一個(gè)復(fù)雜的機(jī)器人，這個(gè)機(jī)器人能夠類似于人一樣能夠感知，自我導(dǎo)航，能夠自我控制去做一些復(fù)雜的工作
2021-12-17 06:08:09
，已成為包括臺(tái)積電在內(nèi)的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)，在這期間，與FinFET技術(shù)齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長(zhǎng)期
2019-08-20 08:01:20
的信息互動(dòng)，簡(jiǎn)單方便、安全高效，能讓人們更好的安排時(shí)間，方便人們生活。 智能家居“智”在哪里？ 智能家居擁有智慧，能夠讀懂人心，主動(dòng)服務(wù)于人，主要得益于網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的發(fā)展，能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)程控制，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)技術(shù)更是
2017-12-02 09:54:19
、重粒子、中子等對(duì)SOI器件產(chǎn)生的單粒子效應(yīng)及加固技術(shù)方面。近年來，國(guó)際上在不同類型、不同工藝的SOI器件，特別是大規(guī)模、超大規(guī)模CMOS/SOI集成電路的抗輻射加固技術(shù)的研究取得了大量實(shí)用化的成果，抗
2011-07-06 14:11:29
，工作正常，然后我用可調(diào)電源慢慢調(diào)高電壓，大概是到14，5V的時(shí)候鉭電容就爆了。不敢再試了。想知道爆炸的原因。另外建議大家，感覺鉭電容貼在pcb上就是顆定時(shí)***，慎用鉭電容。
2019-09-25 02:25:54
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體
工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)
工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最新
工藝。現(xiàn)在，情況已不再
如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì)，因此可以說SOI
2012-01-12 10:47:00
`?隨著摩爾定律，半導(dǎo)體工藝從1微米(um)、0.5微米(um)、0.13微米(um)不斷微縮到奈米(nm)等級(jí)，如此先進(jìn)工藝的電路修補(bǔ)，考驗(yàn)FIB實(shí)驗(yàn)室的技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用能力。特別當(dāng)工藝來到16奈米
2020-05-14 16:26:18
廣播的生存環(huán)境正在發(fā)生巨大變化，主要原因在于：信息、數(shù)字、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不斷發(fā)展及不斷融合，對(duì)人們的生活、工作及信息的獲取產(chǎn)生了深刻的影響，進(jìn)而影響到廣播業(yè)的人文走向。 數(shù)字廣播簡(jiǎn)稱（DAB），是用數(shù)碼方式傳送音頻信號(hào)和...
2021-04-20 06:49:16
價(jià)格上都是一個(gè)全新的挑戰(zhàn)?！ ‰姳黼娙葜苑Q之為電表電容的主要原因是其針對(duì)載波能量傳輸?shù)染唧w作用，不僅在技術(shù)上有了特殊的支持，同時(shí)也在生產(chǎn)工藝上與普通電容有所區(qū)別，這也正是為什么電表電容的價(jià)格都比普通
2014-01-11 16:40:38
半導(dǎo)體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新完全改變了工程師設(shè)計(jì)RF、微波和毫米波應(yīng)用的方式。RF設(shè)計(jì)人員需要比以往任何時(shí)候都更具體、更先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)支持。設(shè)計(jì)技術(shù)持續(xù)發(fā)展，RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來
2019-07-31 06:34:51
】：隨著半導(dǎo)體工藝向深亞微米、超深亞微米方向迅速發(fā)展,集成電路的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)變得更加嚴(yán)重。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)是空間應(yīng)用中廣泛采用的存儲(chǔ)器件。SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)是主要的空間輻射效應(yīng)之一[1-2
2010-04-22 11:50:00
特斯拉電機(jī)做的小的原因主要是【1】電機(jī)轉(zhuǎn)速高并配合單級(jí)減速箱大家知道電機(jī) 功率= 轉(zhuǎn)速*轉(zhuǎn)矩。電機(jī)的體積和功率沒有太直接的關(guān)系，而電機(jī)的扭矩和電機(jī)體積是密切相關(guān)的。這樣矛盾就變成【功率不變的情況下
2019-10-17 08:00:00
了SOI CMOS加固工藝和128kb SRAM電路設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù),研制成功國(guó)產(chǎn)128kb SOI SRAM芯片。對(duì)電路樣品的抗單粒子摸底實(shí)驗(yàn)表明,其抗單粒子翻轉(zhuǎn)線性傳輸能量閾值大于61.8MeV/(mg
2010-04-22 11:45:13
大家好，有沒有人看到過，半導(dǎo)體器件按照工藝進(jìn)行分類的資料，比如像CMOS/SOI CMOS/SOS 體硅CMOS NMOS TTL等這樣的分類。先謝謝了
2012-07-02 10:09:49
SOI 材料是 SOI 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，SOI 技術(shù)的 發(fā)展有賴于 SOI 材料的不斷進(jìn)步。缺乏低成本、 高質(zhì)量的 SOI 材料一直是制約 SOI 技術(shù)進(jìn)入大規(guī) 模工業(yè)生產(chǎn)的首要因素。
2020-03-19 09:01:27
美等發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國(guó)內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-11 10:39:17
美等發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國(guó)內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-12 10:23:26
美等發(fā)達(dá)國(guó)家的先進(jìn)技術(shù)和工藝銷售、安裝于一體的大規(guī)模企業(yè)之一。匯集國(guó)內(nèi)物流設(shè)備制造業(yè)眾多技術(shù)精英，所擁有的工藝裝備、技術(shù)、研發(fā)能力均居國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。憑借專業(yè)的制作經(jīng)驗(yàn)、領(lǐng)先的制作技術(shù)、優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量
2009-11-13 10:20:08
，雖說是仿真機(jī)，但如果不是因?yàn)樘O果手機(jī)如此的受歡迎相信各位也不會(huì)去買的，當(dāng)大家都還沉迷在蘋果4S的渴望下時(shí)，預(yù)期與現(xiàn)實(shí)往往就是這么的讓人興奮，今年8月份隆重推出的蘋果5再一次讓大家的心跳加速，再一次引領(lǐng)
2013-01-16 10:18:09
最近在用盜版JLINKV8，固件總是損壞，解決方法網(wǎng)上一大堆，但是問題的原因在哪，求各位幫忙分析下，不勝感激
2018-09-13 09:28:21
TCP建立階段的三次握手,在最后一步失敗了成功的應(yīng)該是這樣的網(wǎng)上查了下,說是EMAC使能就好了,可是我找不到在哪里啊.......哪位大神指導(dǎo)下,不勝感激
2019-11-07 20:34:49
請(qǐng)問技術(shù)創(chuàng)新是如何推動(dòng)設(shè)計(jì)工藝發(fā)展的？
2021-04-21 06:46:39
力泰科技資訊：我國(guó)現(xiàn)已成為世界汽車最大消費(fèi)市場(chǎng)和生產(chǎn)國(guó)，隨著汽車工業(yè)的快速發(fā)展，需要提高產(chǎn)能與質(zhì)量，需要先進(jìn)、高效、柔性的自動(dòng)化生產(chǎn)裝備。隨著科技的飛速發(fā)展，產(chǎn)品的多方位發(fā)展越發(fā)迅速，生存周期也
2021-09-18 11:31:24
SOI Circui
2009-07-21 11:08:47
30 SOI電路的設(shè)計(jì)理念
2009-07-21 11:09:595 國(guó)際SOI 市場(chǎng)95%的應(yīng)用集中在8 英寸和12 英寸大尺寸薄膜SOI，其中絕大多數(shù)用戶為尖端微電子技術(shù)的引導(dǎo)者，如IBM、AMD 等。目前供應(yīng)商為法國(guó)Soitec、日本信越（SEH）、日本SUMCO，其
2009-12-14 10:29:2434 SOI 和體硅集成電路工藝平臺(tái)互補(bǔ)問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:1610 SOI LIGBT的研究現(xiàn)狀與趨勢(shì)簡(jiǎn)述
從IGBT市場(chǎng)需求和產(chǎn)業(yè)需求出發(fā)，在對(duì)SOI LIGBT研究發(fā)展歷程比較深入廣泛的調(diào)查研究基礎(chǔ)上，簡(jiǎn)述了在SOI LIGBT方面的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)
2010-02-22 14:30:4157 DRT MC SOI LIGBT器件新結(jié)構(gòu)的可實(shí)現(xiàn)性初探
本文在介紹了減薄漂移區(qū)多溝道SOI LIGBT結(jié)構(gòu)雛形之后，首先初步探討了這種器件的先進(jìn)VLSI工藝可實(shí)現(xiàn)性；然后比較深入
2010-02-22 15:15:3919 PCB激光打標(biāo)機(jī)不宜在哪些場(chǎng)合使用及其操作注意事項(xiàng)隨著激光科技的快速發(fā)展激光打標(biāo)機(jī)也獲得了快速的發(fā)展。激光設(shè)備標(biāo)刻技術(shù)在各行各業(yè)深受追捧,隨著市場(chǎng)需求的不斷擴(kuò)大,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也增強(qiáng),各行業(yè)
2023-08-18 10:00:39
隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:302301 VR從開始進(jìn)入人們視線中到現(xiàn)在已經(jīng)有數(shù)年的時(shí)間了，然而直至今日，VR的發(fā)展仍然非常緩慢，甚至說依然滯留在非常初級(jí)的狀態(tài)。在我們印象中，尤其是現(xiàn)在這個(gè)科技產(chǎn)品爆發(fā)式發(fā)展的年代，沒有什么產(chǎn)品的發(fā)展速度如此的慢。那么是什么原因造成了VR發(fā)展如此之慢？
2017-05-08 18:17:362319 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，F(xiàn)D-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:002144 RF器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出基于RF SOI工藝技術(shù)的傳統(tǒng)RF開關(guān)芯片和調(diào)諧器，用于當(dāng)今的4G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。最近，GlobalFoundries為未來的5G網(wǎng)絡(luò)推出了45nm RF SOI工藝。RF SOI是RF版本的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)，利用內(nèi)置隔離的高電阻率襯底。
2018-07-03 18:07:001627 許多代工廠都在擴(kuò)大其200mm RF SOI晶圓廠產(chǎn)能，以滿足急劇增長(zhǎng)的需求。GlobalFoundries，TowerJazz，臺(tái)積電和聯(lián)電正在擴(kuò)大300mm RF SOI晶圓產(chǎn)能，以迎接5G，爭(zhēng)搶第一波RF業(yè)務(wù)。
2018-05-29 06:08:007145 
雖然穿戴式技術(shù)已經(jīng)走過很長(zhǎng)的發(fā)展道路了，但仍必須克服許多挑戰(zhàn)，才能實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用：業(yè)界還需要進(jìn)行重要的開發(fā)任務(wù)，才能促進(jìn)主流消費(fèi)者的采用成為現(xiàn)實(shí)。
2018-07-07 10:20:044111 在本屆RF-SOI論壇上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟評(píng)選出“SOI產(chǎn)業(yè)推廣杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”，Qorvo技術(shù)發(fā)展總監(jiān)Julio Costa博士榮獲本年度的獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)迄今共頒發(fā)了三次，只給對(duì)SOI 技術(shù)和產(chǎn)品有特殊
2018-09-27 11:42:124745 信用卡不能夠正常使用無(wú)法進(jìn)行支付。這種情況是如何導(dǎo)致的呢?今天微辰金服就為大家介紹一下信用卡被限制使用的原因在哪?！ ?、信用卡交易額超過設(shè)定限額：現(xiàn)在大部分銀行信用卡都可以設(shè)定交易額度限制
2019-03-11 15:12:51626 3月12日，硅基半導(dǎo)體材料企業(yè)新傲科技舉辦“SOI 30K生產(chǎn)線項(xiàng)目首臺(tái)工藝設(shè)備搬入儀式”，標(biāo)志著其SOI 30K建設(shè)進(jìn)入沖刺階段。
2019-03-14 16:00:574528 由現(xiàn)行SOI（Silicon on Insulator）晶圓與代工制造情形，可大致了解SOI變化趨勢(shì)及重點(diǎn)地區(qū)，并借此探討目前的發(fā)展現(xiàn)況與未來規(guī)劃。
2019-06-19 16:35:2710246 針對(duì)射頻應(yīng)用，華虹宏力可提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括 RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技術(shù)。多家芯片廠商已在華虹宏力的RF SOI平臺(tái)量產(chǎn)。其中，0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）專為無(wú)線射頻前端優(yōu)化，頗受市場(chǎng)好評(píng)。
2019-10-18 08:45:365746 通過研發(fā)團(tuán)隊(duì)的不斷努力，同時(shí)與客戶保持緊密溝通從而清晰地理解設(shè)計(jì)需求，我們將工藝技術(shù)持續(xù)優(yōu)化提升。華虹宏力第三代射頻SOI工藝平臺(tái)預(yù)計(jì)將在今年第四季度推出。隨著模型的不斷成熟，隨著PDK后端抽取的更精準(zhǔn)優(yōu)化，華虹宏力將為客戶提供更加完善的射頻解決方案，幫助客戶搶占市場(chǎng)先機(jī)，讓我們拭目以待。
2019-10-18 16:36:464101 華虹半導(dǎo)體的新方案是基于Cadence IC5141 EDA軟件的工藝設(shè)計(jì)工具包(PDK)，包括PSP SOI和BSIM SOI的射頻模型仿真平臺(tái)。此0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)工具(PDK)可以
2019-10-21 11:19:023628 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 據(jù)外媒報(bào)道，加州大學(xué)圣地亞哥分校（UCSD）領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)現(xiàn)，鋰金屬電池失效的根本原因在于：在電池放電過程中，少量的金屬鋰沉積物在從負(fù)極表面脫落并被困住，變成無(wú)法再使用的“死”或非活性鋰。
2019-09-10 17:37:344413 作為中國(guó)大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的晶圓代工企業(yè)，中芯國(guó)際的制程工藝發(fā)展一直備受關(guān)注。歷經(jīng)20年，其制程工藝從0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展至如今的N+1工藝。
2020-10-20 16:50:108031 因?yàn)槟柖傻穆暶谕?，加上過去這些年包括三星、臺(tái)積電、Intel和英偉達(dá)等公司的推動(dòng)，科技界甚至終端消費(fèi)者都對(duì)28nm、10nm、7nm和5nm等先進(jìn)工藝制程有了或多或少的了解。因?yàn)檫@些工藝推動(dòng)的產(chǎn)品是科技設(shè)備“大腦”的重要構(gòu)成，這些先進(jìn)工藝受到行業(yè)的一致關(guān)注是無(wú)可厚非。
2020-11-12 15:54:349527 SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命，加速SOI行業(yè)的發(fā)展，并為成員帶來新的商機(jī)。
2021-01-14 10:58:102344 激光打標(biāo)機(jī)標(biāo)刻深淺不一的原因是什么你了解嗎？激光打標(biāo)機(jī)標(biāo)刻深淺不一的原因在哪里呢？ 1、鏡頭有污漬或者有劃痕損壞 解決方法：如果是有污漬的話可以使用棉簽和酒精對(duì)鏡頭、擴(kuò)束鏡、聚焦鏡進(jìn)行擦洗，擦干
2021-03-10 15:08:117116 絕緣體上硅（SOI）硅片由頂層硅膜、埋氧層和硅襯底三部分組成。
2022-09-13 11:12:554175 射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術(shù)制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結(jié)構(gòu)。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-09-27 09:09:085285 伴隨著市場(chǎng)對(duì)高精度微端子產(chǎn)品需求的不斷增長(zhǎng)，沖孔工藝日益受到連接器廠家的關(guān)注。其主要原因在于沖壓工藝特征與連接器的生產(chǎn)特征十分吻合。其主要原因在于沖壓工藝特征與連接器的生產(chǎn)特征十分吻合。(7)沖壓件具有良好的互換性。
2021-11-10 11:43:222087 
來源：ACT半導(dǎo)體芯科技 2023年8月31日 “先進(jìn)封裝技術(shù)之設(shè)計(jì)·材料·工藝新發(fā)展” 在線主題會(huì)議已圓滿結(jié)束！ 會(huì)議當(dāng)天，演講嘉賓們的精彩分享 引得在線聽眾踴躍提問 由于時(shí)間原因 很多問題都嘉賓
2023-09-08 15:40:38877 
pcb釘頭產(chǎn)生的原因，原來如此
2023-10-08 09:51:373047 隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)正在迅速發(fā)展，封裝設(shè)備市場(chǎng)也將迎來新的發(fā)展機(jī)遇。作為先進(jìn)封裝設(shè)備中的關(guān)鍵設(shè)備之一，劃片機(jī)的發(fā)展也備受關(guān)注。劃片機(jī)是用于切割晶圓或芯片的設(shè)備，其精度和穩(wěn)定性
2023-10-18 17:03:281324 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請(qǐng)到國(guó)內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專家參與。三年內(nèi)國(guó)內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，F(xiàn)D-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:043350 
，在AI時(shí)代下邊緣端設(shè)備會(huì)出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對(duì)于AI邊緣芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的預(yù)測(cè)和看法 到
2023-11-21 17:39:112993 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365137 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:421288 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）對(duì)于FD-SOI的應(yīng)用，很多人第一個(gè)想到的應(yīng)用方向就是AIoT，這是一個(gè)非常大的方向，包括智能汽車、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備等都屬此列，這也證明了FD-SOI擁有廣闊的發(fā)展
2024-10-23 16:04:441107 
研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力、先進(jìn)陶瓷的精細(xì)制作和中高端應(yīng)用能力與國(guó)外相比還存在一定的差距，存在的差距體現(xiàn)在哪些方面，這些差距產(chǎn)生的原因有哪些，未來我國(guó)先進(jìn)陶瓷產(chǎn)業(yè)的出路以及對(duì)我國(guó)先進(jìn)陶瓷產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展建議，這些都是非常
2025-02-07 09:26:251791 
什么原因導(dǎo)致PLC容易燒壞？我們可以從硬件設(shè)計(jì)、環(huán)境因素、操作維護(hù)等多個(gè)角度深入分析這一問題。 一、電源問題：PLC燒毀的首要誘因 電源異常是導(dǎo)致PLC損壞的最常見原因之一。根據(jù)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)統(tǒng)計(jì)，超過35%的PLC故障與電源問題直接相關(guān)。
2025-05-12 08:42:192544 
隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI技術(shù)憑借埋氧層（BOX）的物理隔離優(yōu)勢(shì)，成為航空航天、5G通信等領(lǐng)域的核心技術(shù)。本篇介紹一下業(yè)界SOI工藝模型BSIM-SOI模型。
2025-09-22 10:41:361622 
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無(wú)論是智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車，還是衛(wèi)星通信系統(tǒng)，SOI技術(shù)都在幕后扮演著關(guān)鍵角色。
2025-10-21 17:34:181337 
SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支，歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代，已形成以SIMOX、BSOI、Eltran及Smart Cut為核心的四大成熟工藝體系，并在2025年展現(xiàn)出顯著的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)展趨勢(shì)。
2025-12-26 15:15:14192 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在半導(dǎo)體行業(yè)，制程工藝封裝工藝對(duì)芯片性能的影響是不言而喻的。SOI，Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅，即硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上
2023-10-29 06:28:005268 
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