三星在中國論壇中釋出針對高速成長的中國IC市場提供晶圓代工服務的訊息，瑞信證券等外資法人昨日（8月31日）指出，三星邏輯產能介于聯(lián)電與中芯間、但遠少于臺積電，因此，仍無法撼動臺積電霸業(yè)。

　　但港商馬來亞證券提醒，三星在高階制程的最新策略可能比外界預期還要積極，也意味著2018與2019年臺積電、三星、英特爾在7納米競爭將更為激烈。目前 仍處于高成長的中國IC市場，自然成為兵家必爭之地，根據美系外資券商的預估，中國IC內部IC成長率為20％，營收規(guī)模則高達100億美元。

　　瑞信證券***區(qū)研究部主管艾藍迪（Randy Abrams）表示，根據三星已經揭露的訊息，約當8與12寸晶圓的每月產能分別為19與13.5萬片，合計產能介于聯(lián)電與中芯之間，但仍落后給臺積電。

　　艾藍迪指出，三星擴大在中國晶圓代工服務的最大用意，在于蘋果轉投臺積電懷抱，以及高通開始采用多代工策略后，需透過中國客戶訂單來彌補，目前三星半導體部 門的營收比重中，有50％來自晶圓代工（高通、凱為、安霸、超微/輝達、蘋果）、20％來自于應用處理器、10％來自于自家晶片。

　　艾藍迪認為，臺積電在2017年10納米與2018年7納米，與蘋果、聯(lián)發(fā)科、海思等客戶間的關系還是會很緊密，三星預計在2018年底、也就是7納米開始采用極紫外光（EUV）技術時才會對臺積電形成挑戰(zhàn)。

　　不過，馬來亞證券只指出，持樂觀看法者認為臺積電在10與7納米制程正拉開與三星之間的差距，但事實上，這兩家公司的產品進度是頗為接近的，10納米客戶參與或許已結束，但7納米大門還是開著。

　　三星搶食大陸晶圓代工大餅

　　全球前6大晶圓代工廠

　　韓國半導體大廠三星電子（Samsung）日昨在上海舉辦技術論壇，對外說明晶圓代工策略，同時宣示鎖定爭取大陸IC設計廠代工訂單。三星指出，預計今年底 10納米可以上線，7納米制程將采用最先進的極紫外光（EUV）微影技術，并將針對物聯(lián)網及汽車電子提供低功耗的28納米全耗盡型絕緣層上覆矽（FD- SOI）制程。

　　同時，三星原本只生產自有晶片的8寸晶圓廠，現(xiàn)在也將開放并爭取類比IC或LCD驅動IC等晶圓代工訂單。

　　***晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電、力晶等已分別以獨資或合資方式，赴大陸興建晶圓代工廠，三星電子在大陸的最大投資是西安的NAND Flash廠，并沒有在大陸設立晶圓代工廠的計畫。不過，三星選擇在上海舉行技術論壇，說明最新的晶圓代工策略，并宣示將爭取大陸IC設計廠代工訂單。

　　事實上，隨著大陸官方成立的中國國家集成電路產業(yè)發(fā)展基金（大基金）開始擴大投資，大陸半導體生產鏈持續(xù)擴大產能，產值也正在快速擴張，而大陸地區(qū)第二季 IC設計業(yè)銷售額已經正式超越***，成為全球第二大IC設計產業(yè)群聚地，這也是為何全球晶圓代工廠都開始鎖定大陸市場的原因。

　　三星的晶圓代工晶圓廠主要有三個據點，包括位于韓國的8寸晶圓廠S1、位于美國德州的12寸晶圓廠S2、以及位于韓國Hwasung的12寸晶圓廠S3。另外，三星 也將與臺積電一樣，提供后段封測服務。而三星預估今年包含晶圓代工的邏輯制程月產能將達13.5～14萬片12寸晶圓及19萬片8寸晶圓，且預估至 2017年底產能將擴充約15％。

　　隨著臺積電宣布今年底將量產10納米制程，2018年開始量產7納米制程，三星也在技術論壇中說明先進 制程布局，包括今年底可望開始進行10納米投片，但將跳過采用浸潤式微影技術的7納米，直接推出采用EUV微影技術的7納米，預計至2018年底EUV技 術可在250W光源下每天生產1，500片晶圓。三星認為，7納米采用EUV可以擁有更好的成本架構，有助于爭取先進制程晶圓代工訂單。

　　三星認為大陸市場在電子錢包、無人機、電動車、自駕車等供應鏈有很好的創(chuàng)新，也將帶來新機會，所以除了支援先進制程，也將在明年第二季開始，提供可支援物聯(lián) 網及汽車電子的28納米FD-SOI制程。同時，三星也將開放8寸廠產能，配合本身在記憶體市場的優(yōu)勢提供65納米嵌入式快閃記憶體（eFlash）制程，以及70納米高壓制程，爭取大陸市場類比IC、CMOS影像感測器、LCD驅動IC等代工訂單。