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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>SK海力士如何將NAND4技術(shù)應(yīng)用于未來(lái)的UFS

SK海力士如何將NAND4技術(shù)應(yīng)用于未來(lái)的UFS

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);2016年初時(shí)SK海力士也公開(kāi)表示進(jìn)軍車用半導(dǎo)體市場(chǎng),持續(xù)擴(kuò)大客源。 目前SK海力士對(duì)客戶供應(yīng)用于車載資訊娛樂(lè)(Infotainment)的存儲(chǔ)器,也量產(chǎn)車用DDR2及DDR3 SD DRAM
2016-12-30 09:10:391434

海力士發(fā)布全球首款基于128層NAND閃存的消費(fèi)級(jí)SSD

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2020-08-19 13:59:423984

SK海力士機(jī)密信息被盜

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2020-08-24 14:21:053699

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2025-04-17 00:05:001060

SK海力士UFS 4.1來(lái)了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士宣布公司成功開(kāi)發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008534

SK海力士ZUFS 4.1閃存,手機(jī)端AI運(yùn)行時(shí)間縮短47%!

。在此基礎(chǔ)上,7月正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,并開(kāi)始向客戶供應(yīng)。 ? ZUFS(Zoned UFS)是分區(qū)存儲(chǔ)(Zoned Storage)技術(shù)應(yīng)用于UFS的擴(kuò)展規(guī)格,可將不同用途和特性的數(shù)據(jù)進(jìn)行分區(qū)(Zone
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SK海力士HBS存儲(chǔ)技術(shù),基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝

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SK Hynix & Spansion & JSC NAND FLASH參數(shù)對(duì)比

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2018-01-10 09:55:21

專業(yè)回收海力士HYNIX字庫(kù) 收購(gòu)海力士字庫(kù)

`海力士HYNIX字庫(kù) 高價(jià)回收 ,長(zhǎng)期回收海力士HYNIX字庫(kù), 帝歐電子 高價(jià)+優(yōu)勢(shì)收購(gòu)手機(jī)字庫(kù)?。 靖邇r(jià)收購(gòu)海力士HYNIX字庫(kù),優(yōu)勢(shì)回收海力士HYNIX字庫(kù),實(shí)力收購(gòu)海力士HYNIX字庫(kù)
2021-04-27 16:10:09

回收海力士字庫(kù) 收購(gòu)海力士字庫(kù)

本帖最后由 dealicdz 于 2021-8-31 15:19 編輯 `海力士HYNIX字庫(kù) 高價(jià)回收 ,長(zhǎng)期回收海力士HYNIX字庫(kù), 帝歐電子 高價(jià)+優(yōu)勢(shì)收購(gòu)手機(jī)字庫(kù)??!【高價(jià)收購(gòu)海力士
2021-07-16 18:07:56

收購(gòu)海力士內(nèi)存芯片

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2021-01-25 17:59:52

高價(jià)回收海力士內(nèi)存

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2020-11-20 16:59:46

高價(jià)回收海力士內(nèi)存

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2021-03-13 17:46:31

高價(jià)回收海力士內(nèi)存

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2021-07-02 19:07:56

高價(jià)回收海力士內(nèi)存 深圳高價(jià)收購(gòu)海力士內(nèi)存

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2021-04-13 18:51:47

高價(jià)回收海力士內(nèi)存,長(zhǎng)期收購(gòu)海力士內(nèi)存

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2021-08-02 17:44:42

高價(jià)回收海力士字庫(kù)

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2021-01-29 17:52:55

SK海力士開(kāi)發(fā)出238層NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04

Spansion與SK海力士宣布NAND戰(zhàn)略合作

  2012年4月5日,中國(guó)上海 –Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE)與SK海力士公司近日宣布結(jié)成戰(zhàn)略同盟,并針對(duì)嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節(jié)點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?;陔p方合作開(kāi)發(fā)
2012-04-06 09:05:391094

SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器明年量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317

SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動(dòng) 8GB DRAM

SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM,應(yīng)用于未來(lái)智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM,容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言,SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941

SK海力士提升為集團(tuán)子公司的“利與弊”

據(jù)海外媒體報(bào)道,韓國(guó)SK集團(tuán)(SK Group)為了提升股東價(jià)值,針對(duì)五大新事業(yè)領(lǐng)域加強(qiáng)對(duì)外購(gòu)并。但身為集團(tuán)金牛的SK海力士SK Hynix)卻位在疊床架屋的組織框架底部,引發(fā)外界猜測(cè)SK集團(tuán)進(jìn)行整體結(jié)構(gòu)調(diào)整,讓SK海力士升格為直屬于集團(tuán)的子公司。
2017-01-11 09:46:484346

SK海力士計(jì)劃在中國(guó)設(shè)立合資工廠,擴(kuò)展芯片代工業(yè)務(wù)

受益于DRMA和NAND市場(chǎng)需求,SK海力士在存儲(chǔ)領(lǐng)域的地位大幅提升。據(jù)報(bào)道,SK海力士將會(huì)考慮在中國(guó)涉足芯片代工業(yè)務(wù),設(shè)立一家合資工廠,為沒(méi)有半導(dǎo)體制造工廠的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:481711

新一代立體堆疊閃存方案有什么優(yōu)勢(shì)?美光,SK海力士,長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在使用

今年的閃存技術(shù)峰會(huì),美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案,SK海力士稱之為“4D NAND”,長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱之為Xtacking,美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:287883

SK海力士計(jì)劃明年增產(chǎn)96層3D NAND閃存

SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043820

SK海力士韓國(guó)M15工廠落成 總投資15萬(wàn)億韓元

SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先,NAND Flash快閃存儲(chǔ)器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長(zhǎng),而新工廠幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的需求。
2018-10-12 16:17:005500

SK海力士公司宣布主要應(yīng)用于3D閃存的CTF結(jié)構(gòu)與PUC技術(shù)結(jié)合起來(lái)

SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)弱勢(shì)的NAND閃存市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟并爭(zhēng)取NAND閃存市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán),倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場(chǎng)僅次于三星電子排名第二,但在NAND閃存市場(chǎng)卻以大約10
2018-11-09 15:49:515400

為滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲(chǔ)器晶圓廠

SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠,滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。
2018-12-03 08:52:561817

SK海力士無(wú)錫二工廠項(xiàng)目竣工 確保中長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力

4月18日,SK海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司(下簡(jiǎn)稱“SK海力士”)舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來(lái)”的竣工儀式,宣布SK海力士二工廠項(xiàng)目竣工。
2019-04-19 16:30:373771

SK海力士宣布停產(chǎn)36層和48層3D NAND 準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)

SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同,受存儲(chǔ)器行情影響,營(yíng)收和營(yíng)益驟減,對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對(duì)市場(chǎng),預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10%以上。
2019-04-25 19:23:191116

SK海力士著重轉(zhuǎn)換細(xì)微工程 未來(lái)停止生產(chǎn)成本相對(duì)高的3DNAND初期產(chǎn)品

SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同,受存儲(chǔ)器行情影響,營(yíng)收和營(yíng)益驟減,對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對(duì)市場(chǎng),預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10%以上。
2019-04-26 17:40:414060

受華為事件影響,SK海力士無(wú)錫二工廠推遲投產(chǎn)計(jì)劃

對(duì)于SK海力士而言,無(wú)錫工廠承擔(dān)SK海力士存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)總量的一半份額。
2019-06-21 08:44:404775

SK海力士推出1Tb QLC NAND

SK海力士宣布已向主要SSD(固態(tài)硬盤)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品,并開(kāi)發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器,計(jì)劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:544098

SK海力士與Intel談判收購(gòu)整個(gè)Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)

7月11日,業(yè)內(nèi)傳出消息稱,SK海力士計(jì)劃收購(gòu)Intel位于中國(guó)大連的Fab 68存儲(chǔ)工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對(duì)此傳聞,英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:014741

SK 海力士推出新NAND Flash 產(chǎn)品

海力士則是宣布成功開(kāi)發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash,并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。不過(guò),雖然兩家廠商競(jìng)相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品,但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以,SK
2019-08-15 09:05:123089

SK海力士新款PCIe NVMe固態(tài)硬盤將于CES 2020展會(huì)上亮相

根據(jù)消息報(bào)道,韓國(guó)全球半導(dǎo)體制造商SK海力士將在2020年國(guó)際消費(fèi)電子展(CES)上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”PCIe NVMe固態(tài)硬盤,采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
2019-12-30 15:27:124487

SK海力士新款4D閃存有什么新的特點(diǎn)

在最近舉辦的CES 2020展會(huì)上,SK海力士展出了兩款新的高端SSD,分別是Gold P31、Platinum P31,最大特點(diǎn)采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583

SK海力士采用1.0微米像素技術(shù)的新款CMOS傳感器

SK海力士表示,為了應(yīng)對(duì)以更小模塊尺寸實(shí)現(xiàn)較高分辨率的競(jìng)爭(zhēng),SK海力士旗下的“黑珍珠(Black Pearl)”系列新推出的4款1.0μm(微米)級(jí)圖像傳感器產(chǎn)品像素尺寸從原來(lái)的1.12μm降低到1.0μm。
2020-03-30 14:21:235200

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲(chǔ)解決方案

4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111,是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475

SK海力士將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存業(yè)務(wù)

TrendForce數(shù)據(jù)顯示,SK海力士與Intel在今年第二季的營(yíng)收市占率為11.7%及11.5%,分別位于第四名及第六名。若以產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力詳細(xì)區(qū)分,以2019年來(lái)看,SK海力士NAND
2020-10-20 11:28:512537

英特爾正準(zhǔn)備NAND芯片業(yè)務(wù)出售給SK海力士

據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日?qǐng)?bào)道援引知情人士稱,英特爾正準(zhǔn)備NAND芯片業(yè)務(wù),以近100億美元的價(jià)格,出售給SK海力士。若交易達(dá)成,將使得SK海力士超越日本Kioxia,成為NAND內(nèi)存市場(chǎng)的全球第二大廠商,并進(jìn)一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309

英特爾已同意Nand閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士

據(jù)報(bào)道,英特爾已同意Nand閃存業(yè)務(wù)出售給韓國(guó)公司SK海力士,價(jià)格約90億美元。英特爾正在采取全面措施,專注于主營(yíng)業(yè)務(wù)的經(jīng)營(yíng)。
2020-10-20 14:33:352138

SK海力士收購(gòu):英特爾保留英特爾傲騰業(yè)務(wù)

今天,SK 海力士宣布支付 90 億美元收購(gòu)英特爾 NAND 閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。本次收購(gòu)包括英特爾 NAND SSD 業(yè)務(wù)、NAND 部件和晶圓業(yè)務(wù)、以及其在中國(guó)大連的 NAND 閃存制造工廠
2020-10-20 16:10:132836

SK海力士收購(gòu)英特爾NAND業(yè)務(wù),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)將會(huì)受益?

工廠。 兩家公司爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。之后,SK海力士首先支付70億美元獲得英特爾的NANDSSD業(yè)務(wù)(包括NANDSSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。 預(yù)計(jì)到2025年3月,SK海力士最終支付20億美元收購(gòu)其余相關(guān)資產(chǎn),包括NAND閃存晶圓的生產(chǎn)及設(shè)計(jì)相關(guān)的
2020-10-20 17:18:287473

SK海力士宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士SK Hynix)已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK海力士向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國(guó)大連的NAND SSD部門,NAND部件
2020-10-21 14:30:372788

SK海力士以90億美元收購(gòu)NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè)部

SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè),以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國(guó)公司有史以來(lái)最大規(guī)模的海外收購(gòu)交易,超過(guò)三星
2020-10-21 17:26:322248

SK海力士出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)!

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)! SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息,SK海力士在官網(wǎng)上表示,兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152718

SK海力士收購(gòu)英特爾NAND業(yè)務(wù),對(duì)中國(guó)有哪些影響?

務(wù),以及其在中國(guó)大連的NAND閃存制造工廠。英特爾保留其特有的英特爾傲騰TM業(yè)務(wù)。 SK海力士與英特爾爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工)以及
2020-10-23 18:00:168594

SK海力士收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793

SK海力士90億美元收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)

SK海力士與英特爾爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:002037

SK海力士收購(gòu)Intel的NAND閃存業(yè)務(wù)后銷售額大漲

前不久,Intel突然宣布以90億美元(約601億)的價(jià)格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321877

SK海力士將以90億美元收購(gòu)英特爾的NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)

SK海力士與英特爾爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:262339

SK海力士欲將在NAND市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位

據(jù)報(bào)道,第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào),決心通過(guò)從英特爾手中收購(gòu)NAND業(yè)務(wù),在NAND市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:422079

SK海力士已簽署協(xié)議收購(gòu)英特爾的NAND內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)

SK海力士在聲明中稱,已簽署協(xié)議收購(gòu)英特爾的NAND內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。此次收購(gòu)包括英特爾的固態(tài)硬盤、Nand閃存和晶片業(yè)務(wù),以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進(jìn)行,最終交易要到2025年3月份才會(huì)完成。
2020-11-11 14:53:022528

SK海力士收購(gòu)英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉,SK海力士收購(gòu)所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù),包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國(guó)大連的生產(chǎn)工廠,但不包含英特爾Optane存儲(chǔ)部門。對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō),剝離非核心業(yè)務(wù)將有助于其解決芯片技術(shù)困境。
2020-11-16 15:04:573105

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:233708

SK海力士首次使用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)芯片

存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士今天宣布,其公司位于韓國(guó)首爾南部利川市的M16新廠已經(jīng)竣工,SK海力士首次使用極紫外輻射(EUV)光刻機(jī)在生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片。SK海力士經(jīng)過(guò)兩年的時(shí)間,花費(fèi)了3.5萬(wàn)億韓元(約合
2021-02-02 15:00:152767

SK海力士舉行M16新廠竣工儀式

SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com )在韓國(guó)京畿道利川總部以“We Do Technology,開(kāi)啟幸?!睘橹黝}舉行M16新廠竣工儀式。為遵守防疫規(guī)定,公司縮小了本次活動(dòng)規(guī)模,僅
2021-02-03 09:44:243036

SK海力士與ASML簽合同:SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)

。 據(jù)報(bào)道,SK海力士與ASML公司簽訂了一個(gè)超級(jí)大單,未來(lái)5年內(nèi)斥資4.8萬(wàn)億韓元,約合43.4億美元購(gòu)買EUV光刻機(jī)。 SK海力士在一份監(jiān)管文件中稱,這筆交易是為了實(shí)現(xiàn)下一代工藝芯片量產(chǎn)的目標(biāo)。 ASML及SK海力士都沒(méi)有透露這么多資金到底購(gòu)買了多少臺(tái)EUV光刻機(jī),不過(guò)從之
2021-02-25 09:30:232709

SK海力士成功收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)

SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購(gòu)獲得了美國(guó)外國(guó)投資委員會(huì)(The Committee on Foreign Investment in the United States,簡(jiǎn)稱CFIUS)的許可!
2021-03-19 14:19:222540

SK海力士收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)通過(guò)歐盟審批

去年10月份,Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過(guò)了美國(guó)審批,日前通過(guò)了歐盟的審批,中國(guó)的審批會(huì)是未來(lái)的關(guān)鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:572342

SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠,并繼續(xù)加強(qiáng)在中國(guó)的投資

近日,SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分,將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080

SK海力士研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存

SK海力士在美國(guó)圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867

SK海力士投入753.81億元建設(shè)M15X存儲(chǔ)工廠

SK海力士將在清州市新建NAND M17產(chǎn)線,以提高NAND產(chǎn)品產(chǎn)能。SK海力士原計(jì)劃在明年年初開(kāi)始建設(shè),最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看 前一兩年還一直聽(tīng)說(shuō)內(nèi)存條在不斷漲價(jià)的消息,現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄,看來(lái)大伙的日子都不太好過(guò)。 宏觀經(jīng)濟(jì)的下滑導(dǎo)致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954

突發(fā)!SK海力士或出售大連工廠

4月26日新聞,DigiTimes援引韓國(guó)媒體報(bào)道稱,SK海力士正在推遲其位于中國(guó)大連的第二個(gè)3D NAND工廠的完工。據(jù)悉,這一決議是為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求萎縮以及美國(guó)限制向中國(guó)出口先進(jìn)晶圓廠工具。 但
2023-05-05 15:22:002870

SK海力士量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

sk海力士表示:“以238段nand閃存為基礎(chǔ),開(kāi)發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd (client ssd)解決方案產(chǎn)品,并于5月開(kāi)始批量生產(chǎn)。該公司通過(guò)176層、238層的產(chǎn)品,在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-06-08 10:31:532449

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND

SK海力士宣布首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993

SK海力士資本支出大增,HBM是重點(diǎn)

SK海力士明年計(jì)劃的設(shè)施投資為10萬(wàn)億韓元(76.2億美元),超出了市場(chǎng)預(yù)期。證券界最初預(yù)測(cè)“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬(wàn)億至7萬(wàn)億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn),觀察人士預(yù)計(jì)嚴(yán)格的管理措施延續(xù)到明年。由于存儲(chǔ)半導(dǎo)體價(jià)格大幅下跌,SK海力士預(yù)計(jì)今年赤字超過(guò)8萬(wàn)億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

鎧俠向SK海力士提議在日產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器,推動(dòng)合作達(dá)成

去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過(guò)大。為打破僵局爭(zhēng)取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠,提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲(chǔ)器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980

SK海力士擴(kuò)大對(duì)芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對(duì)AI開(kāi)發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)日益增長(zhǎng)的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)明確指出,公司正在韓國(guó)投入超過(guò)10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士重組中國(guó)業(yè)務(wù)

SK海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體公司,近期在中國(guó)業(yè)務(wù)方面進(jìn)行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報(bào)道,SK海力士正在全面重組其在中國(guó)的業(yè)務(wù)布局,計(jì)劃關(guān)閉運(yùn)營(yíng)了長(zhǎng)達(dá)17年的上海銷售公司,并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無(wú)錫。這一決策的背后,反映了SK海力士對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163

剛剛!SK海力士出局!

來(lái)源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報(bào)道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問(wèn)題,英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨(dú)家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:081225

消息稱SK海力士測(cè)試東京電子低溫蝕刻設(shè)備

SK 海力士正在與東京電子(TEL)展開(kāi)緊密合作,通過(guò)發(fā)送測(cè)試晶圓來(lái)評(píng)估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來(lái)NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前,增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士HBM4E存儲(chǔ)器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開(kāi)始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星、SK海力士對(duì)DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲,這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士豪擲748億美元加碼存儲(chǔ)器芯片投資,聚焦HBM技術(shù)引領(lǐng)AI未來(lái)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實(shí)力,再次成為業(yè)界的焦點(diǎn)。據(jù)最新報(bào)道,SK海力士計(jì)劃在2028年前投資高達(dá)103兆韓元(約合748億美元),用于存儲(chǔ)器芯片的生產(chǎn)與研發(fā),這一舉措無(wú)疑是對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)前景的堅(jiān)定押注。
2024-07-04 10:00:511084

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動(dòng)其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過(guò)收購(gòu)英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司,承載著SK海力士在存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即

韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報(bào)道,該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并預(yù)計(jì)于次年第二季度正式開(kāi)啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅(jiān)實(shí)步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743

SK海力士FMS 2024峰會(huì)揭秘:UFS 4.1存儲(chǔ)新品引領(lǐng)未來(lái)性能飛躍

在近日舉行的FMS 2024峰會(huì)上,SK海力士震撼發(fā)布了其存儲(chǔ)技術(shù)的最新成果,其中最為引人注目的便是尚未正式公布標(biāo)準(zhǔn)的UFS 4.1通用閃存技術(shù)預(yù)覽。這一前瞻性的展示,不僅彰顯了海力士在存儲(chǔ)領(lǐng)域的深厚底蘊(yùn),也預(yù)示著智能手機(jī)及移動(dòng)設(shè)備性能即將迎來(lái)新一輪的飛躍。
2024-08-09 16:24:103291

SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存

在最近的FMS 2024峰會(huì)上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實(shí)力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲(chǔ)技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也為未來(lái)的移動(dòng)設(shè)備性能提升奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2024-08-10 16:52:083027

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開(kāi)發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士CXL優(yōu)化解決方案應(yīng)用于Linux

近日,SK海力士SK hynix Inc.)宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)展——其異構(gòu)內(nèi)存軟件開(kāi)發(fā)工具包(HMSDK)的核心功能已成功集成至全球最大的開(kāi)源操作系統(tǒng)Linux平臺(tái),標(biāo)志著公司在推動(dòng)高性能計(jì)算與人工智能(AI)存儲(chǔ)器技術(shù)融合方面邁出了關(guān)鍵一步。
2024-09-25 15:00:50871

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,更為未來(lái)的高性能計(jì)算市場(chǎng)帶來(lái)了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業(yè)界普遍認(rèn)為16層HBM市場(chǎng)將從HBM4時(shí)代開(kāi)始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術(shù)布局
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲(chǔ)技術(shù)

近日,SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略,降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度,DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%,并計(jì)劃在第四季度進(jìn)一步降至20%。這一調(diào)整或意味著SK海力士將有
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士如何在eSSD領(lǐng)域應(yīng)用虛擬化技術(shù)

挑戰(zhàn)傳統(tǒng),打破限制,勇攀高峰,打破常規(guī)者們?cè)趯で箝_(kāi)創(chuàng)性解決方案的過(guò)程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰(shuí)是打破常規(guī)者》播出后,推出一系列文章,展示公司在重塑技術(shù)、重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面采取的各種
2024-11-27 18:01:541504

SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑

產(chǎn)品價(jià)格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲(chǔ)器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無(wú)疑將對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報(bào)告,SK海力士NAND Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096

SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無(wú)疑發(fā)揮了決定性作用。無(wú)論是率先開(kāi)發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡(jiǎn)稱NAND
2025-07-10 11:37:591509

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