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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星持續(xù)擴產(chǎn)3D NAND,需求上漲但價格可能會繼續(xù)下降

三星持續(xù)擴產(chǎn)3D NAND,需求上漲但價格可能會繼續(xù)下降

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2019-12-13 10:46:0712470

預(yù)計NAND閃存價格將大幅上漲

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2020-01-06 11:15:334546

Q313 NAND閃存需求或低于預(yù)期

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三星推首款3D垂直NAND閃存技術(shù)SSD

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2015-10-09 09:40:15980

三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

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2016-08-11 13:58:0644661

美光3D NAND低成本制程分析 海力士/東芝能否趕上?

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2016-09-12 13:40:252173

大陸三星東芝紛紛增產(chǎn) 3D NAND競爭白熱化

三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產(chǎn),SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產(chǎn)能也將于明年下半全面開出,屆時3D NAND可能會從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158

SK Hynix月底量產(chǎn)48層堆棧3D NAND閃存 三星后第二家

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三星未來兩年或追投西安3D NAND廠43億美元

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2017-02-27 09:21:371739

臺積電敲門東芝3D NAND代工 擊破三星補貼政策

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三星產(chǎn)DRAM 存儲器好景恐難延續(xù)

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東芝PK三星 正式推出96層3D NAND旗艦產(chǎn)品XG6

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三星位于西安的半導(dǎo)體工廠正式投產(chǎn)

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2014-09-25 10:32:11

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三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

三星曝光3種保護膜專利:唯一具有UTG功能的設(shè)備

了第一個障礙,第二個難題是要尋找符合標(biāo)準(zhǔn)的制造商。解決了這個問題之后,那么在未來幾年,三星可折疊產(chǎn)品的價格可能會逐漸下降。據(jù)悉,三星有望在今年下半年再發(fā)布兩款可折疊產(chǎn)品,可能有很大概率采用新專利,包括
2020-05-23 09:31:29

三星管理層“大換血” 第季度營收再創(chuàng)新高

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ChinaJoy 2011火爆直擊 美女愛上三星3D顯示器(多圖)

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DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置產(chǎn)項目

。根本原因不在三星、SK宣稱的市場因素,目前DRAM市場價格并不差,反倒是NAND價格還在持續(xù)滑落中。擴大價格低落的產(chǎn)品線,不是拿石頭砸自己的腳嗎?同時也不是媒體所猜測的國內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放,國內(nèi)
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[轉(zhuǎn)帖]五一小長假全國3D電視銷售便達到3000臺

$ `# J蘇寧的銷售員馬躍輝表示,“沒有想到五一短短的3天會有如此大的需求,很多賣場三星3D電視的供貨已經(jīng)跟不上銷售,一些客人只能訂購”。由于其他廠商沒有實質(zhì)性的3D電視銷售,唯一實現(xiàn)3D電視銷售的三星電子
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【AD新聞】顯存價格暴漲30%:顯卡、游戲本集體遭殃

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為什么貼片電容,貼片電阻的價格持續(xù)上漲

! 2018年,貼片電子料的價格依然是持續(xù)上漲的趨勢。漲價的原因是多方面的,首先上游各種原材料價格上漲,人工費用增加,環(huán)保要求提高,匯率上漲,訂單量滿載,日系產(chǎn)品放棄很多規(guī)格生產(chǎn),擴充產(chǎn)線量產(chǎn)緩慢
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元器件價格上漲的誘因

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分析:三星芯片業(yè)務(wù)助推Q3利潤創(chuàng)新高

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2017-10-13 16:56:04

又一MLCC巨頭斥資產(chǎn)!為應(yīng)對車用需求投資60億日元

%,京瓷的市占率相對較低。在需求日益上漲持續(xù)供不應(yīng)求,加之競爭對手不斷產(chǎn)的情況下,京瓷的產(chǎn)能如今正以約30%的年增長率來應(yīng)對市場需求的擴增,希望通過積極增產(chǎn)投資、加快供應(yīng)體制的擴充速度。因此本次產(chǎn)計劃將會給京瓷帶來較為可觀的效益。`
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國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動全球市場,需求不足跌價成必然 精選資料分享

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NAND供貨持續(xù)吃緊 價格難以回歸平衡

NAND價格在近幾年來都是水漲船高的局勢,隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn),預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊,因此DRAM價格下修的可能性也很低。
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根據(jù)2017年的存儲器行業(yè)需求顯露出的價格上漲,供不應(yīng)求局面,韓系存儲器廠紛紛計劃產(chǎn)。但由于存儲器大廠3D NAND良率升,NAND Flash將在2019年后產(chǎn)能過剩。
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縱觀內(nèi)存市場,曾經(jīng)傳言會在2018年價格有所緩和的狀況并沒有出現(xiàn)。內(nèi)存瘋狂漲價之勢還在繼續(xù)保持,據(jù)悉,三星將被繼續(xù)約談是否涉及壟斷。
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2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上,三星全面進入3D NAND時代

三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重,傳已在2017年第4季突破80%,三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外,2018年將進一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上,全面進入3D NAND時代。
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西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道,工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538

三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏

三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導(dǎo)體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵,三星正在轉(zhuǎn)向一家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318

三星S10將放棄虹膜解鎖,采用屏下指紋和3D結(jié)構(gòu)光技術(shù)

因此專業(yè)人士推測,三星可能會放棄這一技術(shù),而轉(zhuǎn)為采用已經(jīng)走向成熟的屏幕指紋識別和3D結(jié)構(gòu)光技術(shù),畢竟這兩種技術(shù)在實際體驗、安全性、成本等方面已經(jīng)得到廣泛認可。
2018-06-25 17:36:226230

三星公布智能指環(huán)新專利,具有3D跟蹤和觸控界面功能

智能指環(huán)(Smart Rings)已被提出多年,一直沒有進入大眾市場。三星現(xiàn)在可能會設(shè)計出一款能成功進入消費市場的智能指環(huán)。
2018-09-09 08:57:363929

三星、海力士推遲或致內(nèi)存價格下降緩慢

內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多,業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測到今年第四季度將逐步回歸正常,還沒來得及興奮,壞消息就來了。據(jù)臺媒援引業(yè)內(nèi)消息稱,三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產(chǎn)能擴充計劃,原因是客戶需求正在變緩,導(dǎo)致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑,這自然是他們不想看到的。
2018-09-09 09:24:404522

3D NAND芯片市場發(fā)展空間巨大,三星電子很難單獨吞下這一片市場

8月28日,三星電子宣布,未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過,三星稱,“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?!笨墒牵?b class="flag-6" style="color: red">三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?
2018-10-01 16:12:003303

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

3D NAND Flash 作為新一代的存儲產(chǎn)品,受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注!目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也
2018-10-08 15:52:39780

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對存儲器的投資總體會減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星、美光3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出,在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下,預(yù)估第3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450

三星或?qū)⒉捎肨oF 3D面部識別技術(shù) 砍掉虹膜識別

根據(jù)韓媒報導(dǎo),三星預(yù)計2019年將在新的Galaxy S10及 Galaxy A系列的智能手機上采用ToF 3D面部識別技術(shù),并極有可能砍掉虹膜識別。
2018-11-22 09:26:092163

3D NAND未來五年需求大好 紫光在技術(shù)上仍存在瓶頸

,紫光將先后啟動大基地生產(chǎn) 3D NAND 芯片,即使合計投資金額高達 1,800 億人民幣,花十年目標(biāo)換來比肩巨人三星、東芝的機會,紫光此舉看來大膽但卻值得!
2018-11-30 09:16:252791

3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應(yīng)對招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后,正式轉(zhuǎn)進3D NAND Flash時代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:572304

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND三星電子獨家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294

沒有技術(shù)的無奈!美光壟斷案硬是成了晉華竊取技術(shù)案

而對于DRAM價格持續(xù)上漲的原因,此前業(yè)界認為是由于DRAM市場需求持續(xù)增長,以及各大存儲廠商積極轉(zhuǎn)進3D NAND Flash制造,3DNAND Flash生產(chǎn)設(shè)備無法再轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM,導(dǎo)致
2019-01-15 14:51:205331

三星電子在2019年的營收可能會下降19.7%

半導(dǎo)體市場研究機構(gòu)IC Insights 本周發(fā)布的最新報告顯示,由于存儲芯片(主要包括DRAM和NAND閃存)市場景氣周期結(jié)束,三星電子在2019年的營收可能會下降19.7%。 如果是這樣
2019-03-15 10:30:102437

三星出手,NAND Flash價格本季止穩(wěn)

三星上季大砍NAND Flash和DRAM報價后,NAND Flash價格接近虧損邊緣,決定本季起不再降價。
2019-05-08 08:47:554026

三星3D筆記本&玄龍MR現(xiàn)場體驗 到底怎么樣

在上個月初,三星在官方商城以及其他電商平臺都上架了旗下最新的瞳3D筆記本。而于12月7日,三星在北京798藝術(shù)中心舉辦新品發(fā)布,正式向外界介紹旗下的瞳3D筆記本,與此同時,三星還帶來一款全新體驗產(chǎn)品:三星玄龍MR。
2019-05-22 14:13:314468

三星3D相機注冊新商標(biāo) Note10或有3D TOF相機?

三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標(biāo),據(jù)推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519

三星Galaxy S11+或?qū)⒉捎谩?b class="flag-6" style="color: red">三挖孔”設(shè)計,并支持3D人臉識別技術(shù)

三星新一代旗艦機型Galaxy S11+或許會加入ToF攝像頭,并支持3D人臉識別技術(shù)。前置攝像頭可能會延續(xù)上一代旗艦機型的“雙挖孔”方案,同時也有可能采用新的“挖孔”設(shè)計。
2019-11-13 15:44:583332

三星擴大西安3D NAND工廠設(shè)施,新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報道,三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

三星鎧俠率先產(chǎn)NAND閃存市場要變天?

近日,三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的產(chǎn)計劃,除擴建采用極紫外光(EUV)的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外,還將擴大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173960

三星宣布硅驗證3D IC封裝技術(shù)可投入使用

日前,三星電子宣布,由三星為業(yè)內(nèi)最先進工藝節(jié)點專門研發(fā)的硅驗證3D IC封裝技術(shù),eXtended-Cube,簡稱為X-cube,已經(jīng)可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057

NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口,多廠商產(chǎn)以增加產(chǎn)能

在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲器大廠美光(Micron)也宣布產(chǎn),以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016

三星為什么部署3D芯片封裝技術(shù)

三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743

3D全息顯示時代將到來!三星打造全息屏幕原型 2D屏上現(xiàn)3D圖像

在屏幕顯示技術(shù)上,三星確實擁有不俗的實力,過往的技術(shù)也只是基于2D平面顯示,而在三星看來,未來是屬于3D的。三星已經(jīng)朝著全息圖邁出了堅實的一步,它的原型薄板設(shè)備能以4K分辨率顯示3D圖像,并具有
2020-11-13 10:17:543302

未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

三星可能會降低每款Galaxy S21的起售價

12 月 2 日消息 三星和許多其他手機制造商近年來逐漸提高了手機的價格,但在 2021 年可能不會出現(xiàn)這種情況。據(jù) SamMobile 報道,一則來自韓國博客 Naver 的傳言顯示,與前代產(chǎn)品相比,三星可能會降低每款 Galaxy S21 的起售價。
2020-12-02 09:22:241852

明年SSD主控芯片的價格最高將上漲15~20%

盡管研究機構(gòu)此前曾預(yù)測由于三星、SK 海力士、英特爾和長江存儲將提高產(chǎn)量,明年 NAND 閃存的平均價格下降 10~15%,根據(jù)集邦咨詢 (TrendForce)的研究報告顯示,NAND 閃存控制芯片(即 SSD 主控)的價格最高將會上漲 15~20%。
2020-12-28 09:11:373034

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:551379

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星計劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認為,三星nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中,由于市場持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:581255

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責(zé)人的話表示,計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015

NOR Flash價格持續(xù)走低,三星NAND減產(chǎn)有望利好

業(yè)界認為,三星電子的減產(chǎn)可能會帶來3d nand價格上漲的效果,從而可能會改變nor、slc nand的購買戰(zhàn)略。美國外國人認為,slc nand和nore產(chǎn)品第四季度不會上調(diào)價格
2023-09-11 11:35:042024

三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價格上漲

三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:081808

三星與美光擬提DRAM價格,以求盈利回暖

部分存儲模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價,故預(yù)計后者將會持續(xù)上漲。DRAM價格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

DRAM價格上漲因存儲巨頭減產(chǎn),供需緊張料持續(xù)至年底

據(jù)報道,近期三星宣布自明年第一季度起,DRAM價格上漲至少15%;盡管NAND閃存漲價跡象尚不明顯,預(yù)測同樣存在跟進上漲可能。據(jù)IT之家引用集邦觀點預(yù)計,DRAM價格漲勢將持續(xù)至2024年末。
2024-01-03 14:31:031462

DRAM漲價啟動!Q1漲幅高達20%

有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。三星并未提及NAND閃存定價,預(yù)計NAND價格繼續(xù)上漲。2023年12月DRAM價格上漲2%-3%,大幅提升DRAM價格低于當(dāng)月3D TLC NAND約10%的漲幅。
2024-01-08 16:43:541358

NAND Flash市場動態(tài):需求擴大與價格漲勢

 在2024年第一季度,NAND Flash及其相關(guān)產(chǎn)品的價格預(yù)計將呈現(xiàn)上漲趨勢。盡管面臨傳統(tǒng)淡季需求下降的情況,采購活動仍在持續(xù)擴大,以建立安全庫存水位。
2024-01-11 16:42:391800

三星將推出GDDR7產(chǎn)品及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)

三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND3D NAND)閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認停產(chǎn)傳聞

停產(chǎn)該產(chǎn)品。 然而,三星對此傳聞表示否認,并強調(diào)市場傳言不實,稱公司未來將持續(xù)生產(chǎn)MLC NAND。盡管如此,供應(yīng)鏈業(yè)者仍指出,隨著三星年底的人事大改組,產(chǎn)線規(guī)劃可能會有所調(diào)整。 MLC NAND,全稱為Multi-Level Cell,是一種通過大量電壓等級來儲存數(shù)據(jù)的閃存技術(shù)。與SL
2024-11-20 16:13:301462

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC NAND閃存可能會正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474

三星或受內(nèi)存芯片價格下跌影響

有望回升,這一趨勢可能會受到其他地區(qū)芯片制造商供應(yīng)增加的影響。這意味著,三星電子在內(nèi)存芯片市場的競爭壓力可能會進一步加劇。 基于上述分析,Park將三星的市凈率預(yù)期下調(diào)了18%。他認為,該股近期缺乏上漲動力,投資者對三星電子的未來表現(xiàn)持謹慎態(tài)
2024-11-27 11:22:071225

預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

2030年實現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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