以上，這也是目前氮化鎵在手機充電器上廣泛被應(yīng)用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導(dǎo)體此前被廣泛應(yīng)用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導(dǎo)體銷售營運總監(jiān)李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產(chǎn)中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
6891 納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布，將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學會學術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
2017-10-30 11:54:4814245 采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖： 半橋結(jié)構(gòu)應(yīng)用 應(yīng)用在半橋電路中，自舉電路
2020-03-24 01:08:007599 
大家清晰的了解GaN產(chǎn)品。 1．從氮化鎵GaN產(chǎn)品的名稱上對比 如下圖所示，產(chǎn)品GaN標示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0027189 
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502390 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091790 
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 11:18:151534 
2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763 
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:481184 
芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。 加利福尼亞州托倫斯2024年10月14日訊
2024-10-17 16:31:091304 
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
橋式拓撲結(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計劃特準計劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
，只應(yīng)用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內(nèi)已經(jīng)有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關(guān)管，控制器以及驅(qū)動器
2021-11-28 11:16:55
應(yīng)用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動器IC的精彩報告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
測試背景地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓撲結(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
6×8mm QFN 封裝中，用于交流電或400V 直流電的輸入應(yīng)用。
無論是“全橋”還是“半橋”電路設(shè)計，納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片都能夠支持。GaNFast 氮化鎵功率芯片具備適用性極強
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c半說』經(jīng)多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，其中第一梯隊有納微、EPC等代表企業(yè)。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而，現(xiàn)在還有什么是阻礙氮化鎵器件發(fā)展的不利因素呢？[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設(shè)計。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-180W電源管理芯片-DK8718AD一、產(chǎn)品概述：DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率電源管理芯片
2025-01-08 10:53:32
集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋120W-AC-DC電源管理芯片-DK8712AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD電源管理芯片是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-08 15:29:04
東科半導(dǎo)體集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-08 15:33:07
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(四)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計中的應(yīng)用(下)
2019-04-03 06:20:003496 
氮化鎵功率器件及其應(yīng)用(三)TI氮化鎵器件在無橋PFC設(shè)計中的應(yīng)用(上)
2019-04-03 06:14:005722 
納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 ? 納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創(chuàng)者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發(fā)中心。納微半導(dǎo)體擁有一支強大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導(dǎo)體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業(yè)應(yīng)用首秀。
2021-04-27 14:11:531302 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:212060 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關(guān)拓撲，集成氮化鎵開關(guān)管、獨立驅(qū)動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102573 
納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092410 
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311289 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562302 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導(dǎo)體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產(chǎn)品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術(shù)的
2022-07-29 16:17:441027 
納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片，作為全新一代產(chǎn)品，其集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護功能 ，其適用于手機移動、消費和工業(yè)市場中100-300W應(yīng)用。
2022-09-09 14:44:532505 GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護功能，為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相較分立式方案，革命性的單片集成方案能有效減少60%的元件數(shù)量及布局結(jié)構(gòu)，進而減少系統(tǒng)成本、尺寸、重量與復(fù)雜性。
2022-09-09 14:51:141998 普通消費者，甚至對氮化鎵了解不多的工程師，普遍認為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實，因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式，在中大功率應(yīng)用場景的散熱問題難以解決。
2022-11-25 15:41:282258 未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合，隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251382 
納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達克上市，上市當天企業(yè)價值10億美元。1個月后，納微半導(dǎo)體再進
2023-02-21 14:57:11
0 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日，北京—— 氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:131763 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 — 納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體有著重大升級的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它減少了提供高壓性
2023-03-28 14:19:531041 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232504 DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度，內(nèi)置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電路和半橋驅(qū)動電路，是目前業(yè)內(nèi)唯一一款一體式合
2022-06-21 09:47:164264 
早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線，拓展新興應(yīng)用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934 
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低
2023-09-01 14:46:041591 
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151913 作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應(yīng)用。
2023-10-16 14:52:442505 氮化鎵芯片的選用要從實際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應(yīng)用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應(yīng)用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 進入三星進供應(yīng)鏈：納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，氮化鎵正持續(xù)取代傳統(tǒng)硅功率芯片在移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車的市場份額。 Galaxy S23可謂配置“拉滿”——配備一塊大小為6.1英寸，分辨率為2340×
2023-11-03 14:06:311663 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:155437 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221796 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416132 氮化鎵作為材料，而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優(yōu)秀的物理特性，包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等，這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出較好的性能。
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優(yōu)點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高頻特性，可以實現(xiàn)高頻率工作，適合用于射頻和微波
2024-01-10 10:16:526202 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 納微氮化鎵技術(shù)助力Virtual Forest打造太陽能灌溉泵，不僅有效確保糧食安全，同時讓印度農(nóng)民無需再使用遠距離電纜或昂貴且有污染的柴油發(fā)電機。
2024-04-22 14:07:26954 在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171 近日，納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan做客CNBC，與WORLDWIDE EXCHANGE主持人Frank Holland對話，分享了在AI數(shù)據(jù)中心所需電源功率呈指數(shù)級增長的需求下，下一代氮化鎵和碳化硅將迎來怎樣的火熱前景。
2024-06-13 10:30:041343 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442670 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導(dǎo)體宣布其先進的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311138 輝煌的十年。 ? 如今，納微在氮化鎵產(chǎn)品線上不斷拓展，最近重磅發(fā)布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領(lǐng)域，進一步
2024-10-23 09:43:592386 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081237 
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264300 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機驅(qū)動
2025-05-09 13:58:181260 
納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動電路設(shè)計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。
2025-06-09 09:05:591599 
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