在半導體清洗過程中，作為取代 現(xiàn)有濕化學清洗液的新型濕式溶液，將臭氧溶解到純中，被稱為僅次于氟的強氧化劑，是PR去除工藝和雜質(zhì)清洗。這種臭氧水方式的濕洗完全不使用對環(huán)境有害的物質(zhì)，大大減少了純水
2022-03-16 11:53:15
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初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335982 
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其上沉積有材料的抗蝕劑掩模。
2022-07-12 14:20:543070 
加速到速度靜電旋涂)，也可以一次涂勻晶圓已經(jīng)旋轉(zhuǎn)(動態(tài)旋轉(zhuǎn)涂層)。任何過量的抗蝕劑會從基板邊緣脫落紡絲過程。
2022-07-26 16:13:081506 
盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設置旋轉(zhuǎn)速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉(zhuǎn)速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。
2022-08-25 17:12:541841 
涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主要原因是為了穩(wěn)定抗蝕劑膜。在室溫下，未烘烤
2022-08-29 17:19:581506 
基本功率集成電路工藝詳解
2022-11-29 10:22:221236 不受到損壞呢？金 百澤給大家簡單介紹。OSP（Organic Solderability Preservatives），即有機保焊膜，又稱護銅劑，其本質(zhì)是在銅和空氣間充當阻隔層。其工藝為：在裸銅表面上
2017-02-15 17:38:13
PCB工藝流程詳解PCB工藝流程詳解
2013-05-22 14:46:02
很多，如絲網(wǎng)印刷圖形轉(zhuǎn)移工藝、干膜圖形轉(zhuǎn)移工藝、液態(tài)光致抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)移工藝、電沉積光致抗蝕劑(ED膜)制作工藝以及激光直接成像技術(shù)當今能取而代之干膜圖形轉(zhuǎn)移工藝的首推液態(tài)光致抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)移工藝，該工藝
2019-06-12 10:40:14
，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液，與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學反應。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
`電路板廠家生產(chǎn)高密度多層板要用到等離子體切割機蝕孔及等離子體清洗機.大致的生產(chǎn)工藝流程圖為:PCB芯板處理→涂覆形成敷層劑→貼壓涂樹脂銅箔→圖形轉(zhuǎn)移成等離子體蝕刻窗口→等離子體切割蝕刻導通孔→化學
2017-12-18 17:58:30
氨類蝕刻劑的抗蝕鍍層，而不需熱壓焊又要求鍍層光亮的PCB，通常采用光鎳/金鍍層。鎳鍍層厚度一般不低于2.5微米，通常采用4-5微米。PCB低應力鎳的淀積層，通常是用改性型的瓦特鎳鍍液和具有降低應力
2011-12-22 08:43:52
還提出了另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。 目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層，用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中。氨性蝕刻劑是普遍
2018-09-13 15:46:18
制造技術(shù)中，無論是采用干膜光致抗蝕劑（簡稱干膜）或液態(tài)光致抗蝕劑（科稱濕膜）工藝，都離不開照相底片；現(xiàn)行的傳統(tǒng)的印制電路照相制版及光成象工藝對印制電路板（簡稱PCB）的質(zhì)量有何影響，如何克服現(xiàn)行工藝中
2008-06-17 10:07:17
由于集成電路 (IC) 規(guī)模的不斷減小以及對降低成本 、提高產(chǎn)量和環(huán)境友好性的要求不斷提高，半導體器件制造創(chuàng)新技術(shù)的發(fā)展從未停止過。最近在硅濕法清洗工藝中引入臭氧技術(shù)以取代傳統(tǒng)的 RCA 方法引起了業(yè)界的興趣
2021-07-06 09:36:27
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
BOE 浴清洗 1 分鐘，然后用去離子水沖洗。將 100 nm 厚的聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) 膜（正性電子束抗蝕劑）以 1500 rpm 的速度旋涂 45 秒，然后在熱板上在 180 ℃下烘烤
2021-07-06 09:33:58
中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液，與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學反應。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外，在市場上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39
介質(zhì)層上的光致抗蝕劑薄層上。?、诳涛g工藝：利用化學或物理方法，將抗蝕劑薄層未掩蔽的晶片表面或介質(zhì)層除去，從而在晶片表面或介質(zhì)層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。集成電路各功能層是立體重疊的，因而光刻工藝
2012-01-12 10:51:59
參考價值。 外觀 使用干膜時，首先應進行外觀檢查。質(zhì)量好的干膜必須無氣泡、顆粒、雜質(zhì)；抗蝕膜厚度均勻；顏色均勻一致；無膠層流動。如果干膜存在上述要求中的缺陷，就會增加圖像轉(zhuǎn)移后的修版量，嚴重者根本
2010-03-09 16:12:32
就差，這樣就會降低蝕刻工序的合格率。近來由于銅箔板質(zhì)量的提高，單面電路情況下也可以省略表面清洗工序。但1OOμm以下的精密圖形，表面清洗是必不可少的工序。 抗蝕劑的涂布-雙面FPC制造工藝 現(xiàn)在，抗蝕
2019-01-14 03:42:28
孔雙面柔性印制板的通用制造工藝流程： 開料一鉆導通孔一孔金屬化一銅箔表面的清洗一抗蝕劑的涂布一導電圖形的形成一蝕刻、抗蝕劑的剝離一覆蓋膜的加工一端子表面電鍍一外形和孔加工一增強板的加工一檢查一包裝。`
2011-02-24 09:23:21
FPC制造工藝現(xiàn)在，抗蝕劑的涂布方法根據(jù)電路圖形的精密度和產(chǎn)量分為以下三種方法：絲網(wǎng)漏印法、干膜／感光法、液態(tài)抗蝕劑感光法?，F(xiàn)在，抗蝕劑的涂布方法根據(jù)電路圖形的精密度和產(chǎn)量分為以下三種方法：絲網(wǎng)漏印法
2016-08-31 18:35:38
，一種是光化學圖像轉(zhuǎn)移。網(wǎng)印圖像轉(zhuǎn)移比光 化學圖像轉(zhuǎn)移成本低，在生產(chǎn)批量大的情況下更是如此，但是網(wǎng)印抗蝕印料通常只能制造大于 或等于o．25mm的印制導線，而光化學圖像轉(zhuǎn)移所用的光致抗蝕劑朗制造分辨率
2010-03-09 16:22:39
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
膜儲存時間過久，抗蝕劑中溶劑揮發(fā)。 在低于27℃的環(huán)境中儲存干膜，儲存時間不宜超過有效期?！ ?)覆銅箔板清潔處理不良，有氧化層或油污等污物或微觀表面粗糙度不夠。重新按要求處理板面并檢查是否有均勻水膜
2013-11-06 11:13:52
解決辦法 1)干膜儲存時間過久，抗蝕劑中溶劑揮發(fā)。 在低于27℃的環(huán)境中儲存干膜，儲存時間不宜超過有效期。 2)覆銅箔板清潔處理不良，有氧化層或油污等污物或微觀表面粗糙度不夠。重新按要求處理板面并
2018-11-22 16:06:32
求推薦 led芯片通過光蝕刻形成通孔和采用剝離工藝形成具有布線圖案的電極的相關書籍
2019-04-15 23:38:47
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術(shù)優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:25:29
TMM、Duorid和PTFE。在加工柔性基材和敏感基材時，激光直接成型技術(shù)優(yōu)勢更明顯，不用與材料接觸，就能進行光蝕，因此更可靠，不會對基材產(chǎn)生損害。激光直接大面積剝離銅層不傷基底材料（軟基，硬基均可）汪先生 ***
2016-06-27 13:26:43
【作者】：張科營;郭紅霞;羅尹虹;何寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;【來源】：《原子能科學技術(shù)》2010年02期【摘要】：采用TCAD工藝模擬工具按照等比例縮小規(guī)則構(gòu)建了從亞微米到超深亞微米級7種
2010-04-22 11:50:00
，抗蝕性強，導電功用優(yōu)異，阻抗小，能耗低，排形平直，排面亮澤，標準均勻。內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)細密均勻，擺放合理，具有優(yōu)秀的塑性，延展性好，90°折彎時無裂紋。適宜剪切，沖孔，折彎，打磨，拋光等再加工。`
2020-06-18 20:24:11
，抗蝕性強，導電功用優(yōu)異，阻抗小，能耗低，排形平直，排面亮澤，標準均勻。內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)細密均勻，擺放合理，具有優(yōu)秀的塑性，延展性好，90°折彎時無裂紋。適宜剪切，沖孔，折彎，打磨，拋光等再加工。`
2019-05-06 16:22:08
）、去除抗蝕層、全板涂覆電鍍抗蝕劑、鉆孔、孔內(nèi)化學鍍銅、去除電鍍抗蝕劑。 6． 減成法工藝中印制電路分為幾類？寫出全板電鍍和圖形電鍍的工藝流程?！ ?-非穿孔鍍印制板、穿孔鍍印制板、穿孔鍍印制板和表面
2018-09-07 16:33:49
?！ ≡谟≈瓢逋鈱与娐返募庸?b class="flag-6" style="color: red">工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻?！ ∧壳?，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2018-09-19 15:39:21
有一種可剝離防焊膠主要應用于什么工藝生產(chǎn)環(huán)節(jié)上？產(chǎn)品介紹說主要應用在PCB波峰焊/回流焊，但許多生產(chǎn)車間里不知道或者根本不用這樣的產(chǎn)品；請技術(shù)大神可以回答，謝謝！
2021-06-08 16:37:08
一、產(chǎn)品名稱：混凝土抗裂劑固含量快速測定儀二、發(fā)明專*號：201420090168.1三、產(chǎn)品型號：CSY-G2 四、固含量快速測定儀產(chǎn)品介紹：在外加劑固含量檢測領域，測量準確性和測量速度
2022-05-27 16:48:30
鋁箔剝離強度試驗機 90度剝離強度試驗機是一款用于測試材料90度剝離性能的實驗設備，適用于膏藥貼劑、軟包裝等產(chǎn)品的性能測試。該設備采用高精度的力值傳感器和可靠的傳動系統(tǒng)，可以在一定速度下
2023-09-20 15:25:12
一、 引言在當前的印制電路制造技術(shù)中，無論是采用干膜光致抗蝕劑（簡稱干
2006-04-16 21:44:572128 一、產(chǎn)品概念剝離抗張測試儀是一種用于測試材料表面粘附力和抗張強度的專業(yè)儀器。它廣泛應用于紙張、膠粘劑、膠粘帶、不干膠、保護膜、離型紙、復合膜、薄膜等相關產(chǎn)品的性能測試中。 二
2024-08-12 17:34:19
什么是PCB光致成像工藝呢？不少人對這個工藝不是很了解，下面有PCB抄板工程師給大家簡單介紹什么PCB光致成像工藝。PCB光致成像工藝是對涂覆在印制板基材上的光致抗蝕劑進
2010-07-31 16:32:211519 圖形轉(zhuǎn)移就是將照相底版圖形轉(zhuǎn)移到敷銅箔基材上，是PCB制造工藝中重要的一環(huán)，其工藝方法有很多，如絲網(wǎng)印刷圖形轉(zhuǎn)移工藝、干膜圖形轉(zhuǎn)移工藝、液態(tài)光致抗蝕劑圖形轉(zhuǎn)
2010-10-25 16:29:58841 無鉛工藝 實施的注意事項： 1、 焊膏使用和保存，嚴格按供應商的要求執(zhí)行； 2、 對無鉛元件，要進行可焊性檢驗，超過規(guī)定庫存期限，復檢合格后才能使用； 3、 由于無鉛焊接的抗拉
2011-06-21 17:49:511039 PCB工藝流程詳解
2017-01-28 21:32:49
0 本文主要介紹集成電路加工-光刻技術(shù)與光刻膠。集成電路加工主要設備和材料：光刻設備，半導體材料：單晶硅等，掩膜，化學品：光刻膠（光致抗蝕劑），超高純試劑，封裝材料及光刻機的介紹
2017-09-29 16:59:0218 本文主要介紹了555間歇式臭氧發(fā)生器電路圖（四款臭氧發(fā)生器電路圖詳解），臭氧發(fā)生器的電路由三極管與電感線圈、脈沖變壓器、限流電阻器、充電電容器，雙向觸發(fā)二極管等組成推挽振蕩電路；濾波電感線圈，整流二極管與濾波電容器等組成半波整流濾波電路。
2018-01-30 17:13:4037174 
現(xiàn)在，抗蝕劑的涂布方法根據(jù)電路圖形的精密度和產(chǎn)量分為以下三種方法：絲網(wǎng)漏印法、干膜／感光法、液態(tài)抗蝕劑感光法
2018-03-19 11:43:025599 干膜貼膜時，先從干膜上剝下聚乙烯保護膜，然后在加熱加壓的條件下將干膜抗蝕劑粘貼在覆銅箔板上。干膜中的抗蝕劑層受熱后變軟，流動性增加，借助于熱壓輥的壓力和抗蝕劑中粘結(jié) 劑的作用完成貼膜。貼膜通常在貼膜機上完成，貼膜機型號繁多，但基本結(jié)構(gòu)大致相同，一般貼膜可連續(xù)貼，也可單張貼。
2019-07-26 14:51:498482 
蝕刻過程是PCB生產(chǎn)過程中基本步驟之一，簡單的講就是基底銅被抗蝕層覆蓋，沒有被抗蝕層保護的銅與蝕刻劑發(fā)生反應，從而被咬蝕掉，最終形成設計線路圖形和焊盤的過程。當然，蝕刻原理用幾句話就可以輕而易舉
2019-07-23 14:30:315947 
ED抗蝕劑)，ED抗蝕劑是一種水基乳液。 光致抗蝕劑是現(xiàn)代印制電路產(chǎn)業(yè)的基石。光致抗蝕干膜具有工藝流程簡單，對潔凈度要求不高和容易操作等特點。
2019-07-16 15:24:172118 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:353996 
用于測試橡膠及其制品的耐臭氧老化性能。大氣中的臭氧含量很少，卻是橡膠龜裂的主要因素，臭氧老化試驗箱模擬和強化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對橡膠的作用規(guī)律，快速鑒定和評價橡膠抗臭氧老化性能和抗臭氧劑防護效能，從而采取有效的防老化措施，以提高橡膠制品的使用壽命。
2019-06-12 16:38:30880 在SADP流程中，可以使用抗蝕劑來繪制圖層。然后在抗蝕劑上沉積一層，再次蝕刻，直到沉積物留在抗蝕劑線的兩側(cè)。然后去除掉抗蝕劑。專家指出，SADP無需兩個完整的光刻循環(huán)，因此不會增加循環(huán)時間。
2019-09-06 16:41:2110363 
高密度圖像轉(zhuǎn)移工藝過程中，若控制失靈，極容易滲鍍、顯影不良或抗蝕干膜剝離等質(zhì)量問題。
2019-08-23 16:56:495567 林頻生產(chǎn)制造的臭氧老化箱是科學研究活性氧對硫化橡膠的功效規(guī)律性，迅速評定和點評硫化橡膠抗活性氧老化性能與抗活性氧劑安全防護效率的方式、從而采取措施的防脆化對策，以提升橡塑制品的使用期。
2020-02-12 19:42:221666 由于現(xiàn)在環(huán)境污染比較嚴重，大家在日常生活中都開始重視消毒殺菌了。消毒殺菌的方法有很多，比如臭氧消毒，這種是許多人選擇的方法之一。臭氧是一種強消毒劑和氧化劑，臭氧在生活中的殺菌和利用可以更好地保護人體健康。
2020-04-24 17:02:123636 蝕刻機的基礎原理一、蝕刻的目的蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導體部分銅蝕刻去，形成線路。蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻，錫鉛為抗蝕劑
2020-12-24 12:59:389982 臭氧老化箱模擬和強化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對織物色牢度的作用規(guī)律，快速鑒定和評價織物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧試驗箱由臭氧控制系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、濕度控制系統(tǒng)組成:臭氧控制系統(tǒng)由臭氧發(fā)生器
2021-02-05 14:17:141037 近年來，在半導體工業(yè)中，逐漸確立了將臭氧運用于晶圓清洗工藝中，這主要是利用了臭氧在水相中氧化有機污染物和金屬污染物的性能。
2021-09-27 17:39:033573 在半導體工業(yè)中， “絕對清潔”的要求擴展到設備（臭氧發(fā)生器，接觸到的設備），這意味著不會產(chǎn)生顆粒，沒有金屬，離子或有機污染物。目前德國ANSEROS安索羅斯的臭氧發(fā)生器以及其他的臭氧處理系統(tǒng)已經(jīng)可以“絕對清潔”的要求。
2021-09-27 17:37:091147 多層PCB內(nèi)層的光刻工藝包括幾個階段，接下來詳細為大家介紹多層PCB內(nèi)層的光刻工藝每個階段都需要做什么。 PART.1 在第一階段，內(nèi)層穿過化學制劑生產(chǎn)線。銅表面會出現(xiàn)粗糙度，這對于光致抗蝕劑的最佳
2021-09-05 10:00:162856 引言 顯影過程中顯影劑溶液的溫度會對抗蝕劑性能產(chǎn)生重大影響。速度隨著溫度以復雜的方式變化，通常導致“更快”的抗蝕劑工藝的反直覺結(jié)果。顯影速率對劑量(或?qū)γ艋瘎舛?曲線的形狀也將隨溫度發(fā)生顯著變化
2022-01-04 17:17:112317 
這些氣泡的濕法蝕刻工藝，并得出最佳濕法蝕刻。 如圖1所示，bath內(nèi)一次性加入晶片少則25片，多則50片,因為有這么多的晶片，所以晶片和晶片之間的間隙很?。?.35 mm），所以晶片和晶片之間的流體會沿著晶片進行固體旋轉(zhuǎn)，這使得蝕
2022-01-19 17:11:32999 
摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光
2022-01-26 11:43:221169 
本文主要報道了ProTEK PSB在實際應用條件下的圖形化特性、抗蝕性和去除特性。研究發(fā)現(xiàn)了ProTEK PSB的兩個問題:不可接受的大側(cè)刻和有機溶劑或氧化灰難以去除引物。為了制造一個lsi集成
2022-02-09 15:25:401116 
。 發(fā)明領域 本發(fā)明一般涉及半導體制造，更具體地涉及剝離光致抗蝕劑和/或清潔半導體結(jié)構(gòu)的金屬或金屬硅化物區(qū)域的方法。 發(fā)明背景 電互連技術(shù)通常需要金屬或其他導電層或區(qū)域之間的電連接，這些導電層或區(qū)域位于半導體襯底內(nèi)或
2022-02-24 13:45:531374 
摘要 一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個開口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案，第二抗蝕劑圖案在基板上包括至少一個開口。去除
2022-03-01 14:37:31875 
對用于微加工微系統(tǒng)(MST)產(chǎn)品的高縱橫比光致抗蝕劑的發(fā)展的日益增長的興趣導致了許多商業(yè)上可獲得的光致抗蝕劑產(chǎn)品的可用性。本文詳細描述了三種抗蝕劑的應用，即EPON SU-8、Clariant AZ
2022-03-04 15:05:201178 
本研究利用臭氧去離子水（DIO3）開發(fā)了擁有成本低的新型清洗工藝(氧化亞鈷），臭氧濃度為40ppm，用于去除有機蠟膜和顆粒，僅經(jīng)過商業(yè)除蠟處理后，蠟渣仍超過200A。
2022-03-24 14:54:45871 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:231451 
本文一般涉及處理光掩模的領域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設備和方法。
2022-04-01 14:26:371027 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-06 13:29:191222 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關新方法。
2022-04-22 14:04:191138 
退火后對結(jié)特性的剝離和清潔對于實現(xiàn)預期和一致的器件性能至關重要，發(fā)現(xiàn)光致抗蝕劑剝離和清洗會導致:結(jié)蝕刻、摻雜劑漂白和結(jié)氧化，植入條件可以增強這些效應，令人驚訝的是，剝離和清潔也會影響摻雜劑分布，并且
2022-05-06 15:55:47885 
最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預涂處理還改變了GaAs，使得與未經(jīng)表面處理的晶片相比，反應限制蝕刻更加各向同性；輪廓都具有正錐度方向，但錐角
2022-05-10 15:58:321010 
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其沉積材料的抗蝕劑掩模。
2022-05-12 15:42:443519 
具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進技術(shù)節(jié)點的關注。對于Ge或GeOI CMOS，必須確定Ge專用的抗蝕劑剝離工藝，因為鍺
2022-05-25 16:43:16983 
介紹 隨著半導體器件的小型化和超大規(guī)模集成(VLSI)電路的圖案密度的增加，單個光致抗蝕劑掩模不再適用于細線圖案化和接觸圖案化。 盡管單光刻膠掩模工藝被認為是器件制造中的簡單工藝，但在接觸氧化物期間
2022-06-13 15:24:492394 
在圖案化的抗蝕劑上濺射或蒸發(fā)金屬，然后剝離金屬，傳統(tǒng)上用于在砷化鎵晶片處理中定義互連，在剝離工藝中，首先在襯底上沉積并圖案化諸如光致抗蝕劑的犧牲材料，然后將金屬沉積在頂部，隨后通過暴露于溶劑浸泡
2022-06-27 17:21:551602 臭氧是目前空氣污染源中最常見的一種。臭氧雖然來去無蹤，但對健康的危害不容忽視。臭氧濃度達到50%ppb(十億分率，1ppb也就是十億分之一)，人就會開始出現(xiàn)鼻粘膜和咽喉粘膜的影響，隨著濃度的增加
2022-11-21 15:20:594646 薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。
2023-01-09 14:20:432152 焊點剝離現(xiàn)象多出現(xiàn)在通孔波峰焊接工藝中，但也在SMT回流焊工藝中出現(xiàn)過。現(xiàn)象是焊點和焊盤之間出現(xiàn)斷層而剝離。這類現(xiàn)象的主要原因是無鉛合金的熱膨脹系數(shù)和基板之間的差別很大，導致焊點固話時在剝離部分有太大的應力而使它們分開，一些焊料合金的非共晶性也是造成這種現(xiàn)象的原因之一。
2023-05-26 10:10:251683 詳解半導體封裝測試工藝
2023-05-31 09:42:182316 
消費電子和工業(yè)用電子技術(shù)領域取得了相當大的發(fā)展；如今的電子設備價格合理，效率高，而且體積小，便于攜帶。然而，這些發(fā)展給生產(chǎn)那些更小、更便攜設備所需元器件的制造商帶來了挑戰(zhàn)。
2023-05-31 11:30:37900 通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">抗蝕劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:251663 
臭氧-去離子水 (O3 -DI) 工藝可以集成到臭氧 (O3) 具有工藝優(yōu)勢的各種水性應用中。 溶解在水中的臭氧也可用作 HCl 過氧化物混合物中過氧化氫的替代品，從而降低所用化學品的成本，同時將
2023-07-07 17:25:07798 半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:543037 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:141088 
）圖形轉(zhuǎn)移工藝、干膜（Dry Film）圖形轉(zhuǎn)移工藝、液態(tài)光致抗蝕劑（Liquid Photoresist）圖形轉(zhuǎn)移工藝、電沉積光致抗蝕劑（ED膜）制作工藝以及激光直接成像技術(shù)（Laser Drect Image）。
2023-09-12 11:31:512420 
PCB工藝流程詳解
2022-12-30 09:20:2411 PCB工藝流程詳解
2023-03-01 15:37:4423 據(jù)悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現(xiàn)今先進芯片光刻工藝中的化學放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現(xiàn)已無法滿足當前晶圓制造的產(chǎn)業(yè)標準。
2024-04-30 15:09:132888 光刻是半導體制造工藝中的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上
2024-06-27 08:16:054415 
物的應用，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物主要由有機溶劑、堿性助劑、緩蝕體系和添加劑構(gòu)成。有機溶劑如 N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMP），
2025-06-24 10:58:22565 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 易剝離UV膠以其3秒固化、1秒剝離的獨特性能，革新了電子制造、光學器件、半導體封裝等多個行業(yè)的生產(chǎn)工藝，提升了效率、降低了成本，并促進了綠色制造的發(fā)展。
2025-07-25 17:17:32801 
光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
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