很多人可能覺得PCB信號速率越高，如25Gbps，56G/112G-PAM4信號等調(diào)試上發(fā)現(xiàn)的問題會越多，其實不然。我們收到最多的調(diào)試問題還是DDR3、DDR4等，不是跑不到額度速率，就是識別不到
2026-01-05 15:46:16
難以實現(xiàn)類似MCU的快速啟動性能。瑞薩新推出的RZ/A3MHMIMPU幫助客戶解決這些問題。功能1：內(nèi)置128MBDDR3L，簡化DDR高速總線設(shè)計，可以實現(xiàn)2層PC
2025-12-24 12:06:10
299 
CW32的SPI最高速率能達到多少？
2025-12-15 07:27:37
Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，內(nèi)存連接器的性能對于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12314 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，長鑫存儲首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。 ? 長鑫存儲最新的DDR5產(chǎn)品是中國首個自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達8000Mbps，最高
2025-11-25 08:27:008131 
本章的實驗任務是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
11月23日，長鑫存儲在IC?China?2025（中國國際半導體博覽會）上正式發(fā)布其最新DDR5產(chǎn)品系列：最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達到國際領(lǐng)先水平，并同步推出覆蓋服務器
2025-11-23 16:09:411452 
信號完整性(Signal Integrity, SI)問題：隨著DDR內(nèi)存頻率的提高，信號完整性問題變得更加突出。高速信號在傳輸過程中會受到各種因素的影響，如反射、串擾、噪聲干擾等，這些問題會導致
2025-11-17 10:25:333397 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 11月10日，瀾起科技正式推出新一代DDR5時鐘驅(qū)動器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC
2025-11-12 08:50:007603 
，一般來說，要去犧牲不那么高速的DDR模塊走線了。
沒辦法，誰叫你速率沒有高速信號那么高，關(guān)鍵是你還要用那么多層去布線，所以只能犧牲DDR信號了。那這樣就尷尬了，很多PCB工程師覺得違背了他們一貫
2025-11-11 17:46:12
瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時鐘驅(qū)動器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能，為下一代高性能PC、筆記本電腦及工作站提供關(guān)鍵技術(shù)支撐
2025-11-10 10:01:3567936 近日，深圳證券交易所公布了2024-2025年度信息披露考核結(jié)果，德賽西威再次獲得最高等級A級，實現(xiàn)自2017年上市以來連續(xù)7個完整考核年度（2018-2024年） 保持該項考評最高評級。
2025-11-06 09:41:37425 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應的應該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 本隊伍編號CICC3042，本文介紹如何為蜂鳥添加DDR內(nèi)存擴展。一些需要大存儲空間的設(shè)計中經(jīng)常需要使用DDR，這時我們希望蜂鳥可以訪問DDR，以實現(xiàn)更好的軟硬件協(xié)同。
簡單閱讀蜂鳥的代碼發(fā)現(xiàn)
2025-10-31 06:07:38
由于FPGA內(nèi)部存儲資源有限，很多時候不能滿足需求，因此可以利用DDR對系統(tǒng)進行存儲擴展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對DDR3進行控制
2025-10-29 07:16:34
文件夾內(nèi)，打開文件夾。閱讀readme說明文檔，我們能夠知道，原作者采用了vivado MIG IP來控制開發(fā)板上的DDR3，由于芯來科技的E203平臺系統(tǒng)片內(nèi)總線是icb總線，所以我們需要做跨時鐘域
2025-10-28 07:25:32
DDR使用
在我們的項目中，我們使用的是芯來科技的DDR200T開發(fā)板，我們通過調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將
2025-10-28 07:24:01
DDR 的比較以及 DDR5 與 LPDDR5 的差異以及 DDR5 的拓撲結(jié)構(gòu)。 什么是 DDR5？ 先來看一下什么是 DDR 。 DDR（Double Data Rate）屬于SDRAM
2025-10-27 19:28:167359 
前言：2025年，存儲市場持續(xù)“高燒”——-國際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價50%只是起步-國產(chǎn)料號月更、周更，同一料號不同Die，顆粒參數(shù)“開盲盒”-更大的坑是：對于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
：使用DDR200T上板載的DDR3對內(nèi)存進行擴展
擴展方案結(jié)構(gòu)圖：
該方案中DDR3使用vivado提供的axi接口mig的IP核來進行控制，蜂鳥e203源代碼中提供了icb2axi模塊，可以使發(fā)出
2025-10-24 08:12:53
的S00_AXI_ACLK、M00_AXI_ACLK，分別接系統(tǒng)頂層時鐘hfextclk、mig產(chǎn)生的用戶時鐘ui_clk，以此來實現(xiàn)跨時鐘域。
（2）例化DDR3模型（仿真的時候需要用，vivado
2025-10-24 07:25:00
ip模塊進行連接，從而達到一個控制ddr存儲的效果。如有錯誤，歡迎評論指出。
2.將e203中自帶的axi-master線引出
蜂鳥e203內(nèi)部使用的是icb總線，這種總線協(xié)議與AXI類似，都
2025-10-23 06:22:22
] correct : %drn”,i,rd_data);
ddr_offset += 0x00000004;
}
（2）測試效果，讀數(shù)正確
vivado綜合：
注意：(1)綜合不需要例化ddr3模型，將
2025-10-23 06:16:44
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發(fā)板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
NT5CB256M8GN-cg，回收H5TQ4G83AFRPBC，回收NT5CB256M16BP-di，回收K4B2G1646E-BCH9，
回收MT48LC16M16A2P75D，回收HY5PS1G831C。電子回收，回收電子元件?；厥?b class="flag-6" style="color: red">DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機/帶板均可）
2025-10-09 14:15:34
全球汽車產(chǎn)業(yè)盛會德國慕尼黑車展傳來重磅消息。9月10日，德賽西威與全球人工智能、數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)導者NTT DATA舉行簽約儀式，雙方將聯(lián)合開發(fā)新一代SDV（軟件定義汽車）平臺。隨著移動出行生態(tài)圈
2025-09-15 14:36:33882 TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線端接的所有電源要求。
2025-09-09 14:28:07713 
TPS65295器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源解決方案。它符合 DDR4 上電和斷電序列要求的 JEDEC 標準。該TPS65295集成了兩個同步降壓轉(zhuǎn)換器
2025-09-09 14:16:041731 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37754 
3A，支持測試DDR、DDR2、 DDR3、DDR3L和DDR4。該評估模塊配有方便的測試點和跳線，用于評估TPS7H3302-SEP DDR端子。TPS7H3302EVM評估模塊非常適合用于抗輻射DDR電源應用以及用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存儲器終端穩(wěn)壓器。
2025-08-27 16:14:21831 
憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠為客戶提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應保障等方面的綜合優(yōu)勢，使貞光科技成為車載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
DDR3 作為第三代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存儲器，在內(nèi)存發(fā)展歷程中具有重要地位。它采用了8n預取架構(gòu)，即每個時鐘周期能夠傳輸8倍于數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)量，這使得數(shù)據(jù)傳輸效率大幅提升 。
2025-08-04 13:42:342910 
計劃提升至17600MT/s，達到現(xiàn)行DDR5最高速度（約8000MT/s）的兩倍以上。 ? 2024 年，JEDEC 開始著手研究下一代內(nèi)存標準 DDR6，目標是為存儲器領(lǐng)域帶來更快的讀寫速度和更高
2025-07-31 08:32:003664 本文緊接著前一個文檔《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設(shè)計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計。? ? ? 在另一個文件《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《臺式主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表資料.pdf》資料免費下載
2025-07-14 14:49:506 的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡介
PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
的RGB格式的圖像數(shù)據(jù)流。
階段三：DDR3幀緩存 (Frame Buffering)
視頻數(shù)據(jù)流的速度和顯示刷新的速度往往不匹配，或者后續(xù)處理需要訪問整幀圖像，因此需要一個大容量的DDR3內(nèi)存作為幀
2025-07-06 15:18:53
DDR內(nèi)存占據(jù)主導地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152009 
隨著計算密集型任務的日益增長，DDR4內(nèi)存的性能瓶頸已逐步顯現(xiàn)。DDR5的出現(xiàn)雖解燃眉之急，但真正推動內(nèi)存發(fā)揮極致性能的背后“功臣”——正是 DDR5 SPD（Serial Presence Detect）芯片。
2025-06-11 10:07:301913 
隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器芯片制造商，其車規(guī)級DDR3存儲產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220 
PC處理器對DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠為先進的計算應用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
對于高質(zhì)量圖形顯示的應用要求，用戶通常采用功能強大及搭載DDR高速接口的MPU來實現(xiàn)更多功能和更流暢的畫面。但在開發(fā)過程會遇到DDR高速總線設(shè)計的難題，同時Linux系統(tǒng)難以實現(xiàn)類似MCU的快速啟動性能。瑞薩新推出的RZ/A3M HMI MPU幫助客戶解決這些問題。
2025-05-27 16:14:30894 
、威剛TF卡，索尼TF卡、創(chuàng)見TF卡.......長期大量回收內(nèi)存SD卡，回收全新內(nèi)存卡，收購原裝內(nèi)存卡，回收DDR，收購DDR。
本公司長期回收高存儲容量，最常用的容量：8GB、16GB、32GB
2025-05-21 17:48:25
圖 1: 搭載 Rambus PMIC 和 SPD Hub 芯片的 LPCAMM2 內(nèi)存模塊 ? 圖 2：搭載 Rambus PMIC、CKD 和 SPD Hub 芯片的 DDR5 CSODIMM
2025-05-15 11:19:421570 
DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）是一種廣泛應用于計算機和電子設(shè)備的高性能內(nèi)存技術(shù)，DDR的主要應用于計算機系統(tǒng)，移動設(shè)備，嵌入式系臨時存儲和高速傳輸數(shù)據(jù)。因此，DDR是現(xiàn)代
2025-05-14 21:48:49622 
楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
2025-05-09 16:37:44905 下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標準 DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3
2025-04-29 18:11:05834 
終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計不規(guī)范，后果就是——信號反射、時序混亂、系統(tǒng)頻繁死機。
2025-04-29 13:51:032491 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-29 11:34:59810 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-28 11:09:05663 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
快速瞬態(tài)響應，并且只需要 1 × 10μF 的陶瓷輸出電容。該器件支持遠程感應功能以及 DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 （DDR3L） 以及 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。VTT 電流
2025-04-28 10:04:48685 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
PTHxx050Y 是德州儀器 （TI） 的一系列即用型開關(guān)穩(wěn)壓器模塊，專為 DDR 和 QDR 存儲器應用中的總線端接而設(shè)計。這些模塊由 3.3V、5V 或 12V 輸入供電，可產(chǎn)生 V~TT
2025-04-23 11:12:25628 
【FPGA新品】正點原子L22開發(fā)板來了！采用紫光的Logos系列FPGA，適合工業(yè)控制、圖像處理、高速通信等領(lǐng)域！
ATK-L22開發(fā)板采用紫光的Logos系列FPGA，板載1顆DDR3內(nèi)存芯片
2025-04-21 17:28:09
在全球科技競爭加劇、國產(chǎn)替代加速推進的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實現(xiàn)突破，推動國產(chǎn)存儲芯片向高端市場邁進。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
RAA215300 是一款高性能、低成本的 9 通道 PMIC，專為 32 位和 64 位 MCU 和 MPU 應用而設(shè)計。 該 PMIC 支持DDR3、DDR3L、DDR4 和 LPDDR4 內(nèi)存
2025-04-09 15:31:25657 
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過采用XPG 龍耀 D500G DDR5內(nèi)存及液氮(LN2)散熱技術(shù),成功
2025-04-03 17:52:45803 我們目前正在使用 iMX6UL DDR 寄存器編程輔助工具為 U-Boot 生成 DCD 表。我們的設(shè)備使用的是 MT41K128M16JT-107，即 DDR3-1866，這意味著它的時鐘周期頻率
2025-03-27 07:16:35
燦芯半導體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
1. DLPC410的datasheet寫明1bit的刷新率可以達到32KHz，在目前的EVM上可以實現(xiàn)嗎？
2. 如果第1個問題回答是否定的，那么如何設(shè)計才能達到高刷新率？
3.EVM上的內(nèi)存是DDR2，如果提升為DDR3或者DDR4是否可以提高刷新率？
2025-02-21 10:23:16
的大宗交易批發(fā)價約為1.75美元，4Gb顆粒則為1.3美元，較上月分別下跌6%，并連續(xù)第五個月出現(xiàn)下滑。其中，8Gb顆粒的降價幅度為2023年3月以來的最大跌幅，而4Gb顆粒的價格跌幅則是2023年4月以來的最高記錄。 ? 市場研究機構(gòu)Omdia預測，DRAM內(nèi)存顆粒的降價趨勢將持續(xù)至今年下半年，
2025-02-21 00:10:002803 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 顆DDR3的數(shù)據(jù)位寬為32bit，總數(shù)據(jù)帶寬最高到34112（1066×32） Mbps，8路HSST高速收發(fā)器，每路速度高達 6.6Gbps，支持PCIE GEN2，預留標準LPC-FMC接口
2025-02-17 16:33:20
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備優(yōu)秀的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:41:56
MT41K64M16TW-107 AUT:J是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，由MICRON制造，專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速內(nèi)存的需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和能效，適用于多種
2025-02-14 07:37:41
;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應用于個人電腦、服務器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
M471A2G43AB2-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:49
M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M471A1G44CB0-CWE 是一款高性能的 DDR4 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進技術(shù)，適用于各類
2025-02-10 07:48:41
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動計算需求而設(shè)計。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
全球工業(yè)級嵌入式存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導品牌ADATA威剛科技，近期正式推出了其最新的工業(yè)級DDR5 6400 CU-DIMM與CSO-DIMM內(nèi)存產(chǎn)品，為高性能運算(HPC)領(lǐng)域注入了新的活力。 這兩款內(nèi)存
2025-02-08 10:20:131039 雖然目前DDR5高頻內(nèi)存已經(jīng)相當普及了，但還是有一些用戶始終對頻率不怎么敏感。他們追求更為親民的裝機成本，對超頻了解也有限，單純希望內(nèi)存可以做到穩(wěn)定兼容，到手即用。對于這類用戶來說，裸條其實是個不錯
2025-01-24 11:18:52996 
創(chuàng)見（Transcend）近日宣布面向消費領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計算機DIY
2025-01-24 11:16:181754 2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運行效率推動AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426 
隨著國產(chǎn)DDR5內(nèi)存的上市，內(nèi)存市場的競爭態(tài)勢即將迎來新的變化。DRAM內(nèi)存作為半導體產(chǎn)業(yè)的明星產(chǎn)品，據(jù)市調(diào)機構(gòu)Trendforce預估，2024年全球DRAM內(nèi)存的產(chǎn)值將達到約907億美元。
2025-01-07 15:53:292422
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