我們也知道，推動(dòng)集成電路前進(jìn)的主要?jiǎng)恿χ皇枪饪坦に嚦叽绲目s小。目前28nm采用的是193nm的浸液式方法，當(dāng)尺寸縮小到22/20nm時(shí)，傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已無(wú)能為力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(shù)，然而這樣會(huì)增加掩模工藝次數(shù)，從而導(dǎo)致成本增加和工藝循環(huán)周期的擴(kuò)大，這就造成了20/22nm無(wú)論從設(shè)計(jì)還是生產(chǎn)成本上一直無(wú)法實(shí)現(xiàn)很好的控制，其成本約為28nm工藝成本的1.5-2倍左右。因此，綜合技術(shù)和成本等各方面因素，28nm將成為未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間類的關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)。

28nm制程工藝主要分為多晶硅柵+氮氧化硅絕緣層?xùn)艠O結(jié)構(gòu)工藝（Poly/SiON）和金屬柵極+高介電常數(shù)絕緣層（High-k）柵結(jié)構(gòu)工藝（HKMG工藝）。Poly/SiON工藝的特點(diǎn)是成本地，工藝簡(jiǎn)單，適合對(duì)性能要求不高的手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備。HKMG的優(yōu)點(diǎn)是大幅減小漏電流，降低晶體管的關(guān)鍵尺寸從而提升性能，但是工藝相對(duì)復(fù)雜，成本與Poly/SiON工藝相比較高。

截止2016年底，臺(tái)積電是目前全球28nm市場(chǎng)的最大企業(yè)，產(chǎn)能達(dá)到155000片/月，占整個(gè)28nm代工市場(chǎng)產(chǎn)能的62%；三星，GlobalFoundry，聯(lián)電的產(chǎn)能分別達(dá)到了30000片/月，40000片/月和20000片/月。從供應(yīng)端來(lái)看，全球28nm的產(chǎn)能供給為25萬(wàn)片/月。

從需求端來(lái)看，隨著28nm工藝的成熟，市場(chǎng)需求呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。從2012年的91.3萬(wàn)片/年到2014年的294.5萬(wàn)片/年，年CAGR達(dá)79.6%，并且將延續(xù)到2017年。根據(jù)賽迪顧問(wèn)統(tǒng)計(jì)，2012-2020年28nm市場(chǎng)需求如下。

28nm的市場(chǎng)需求仍然保持強(qiáng)勁，2017年的市場(chǎng)需求為38.6萬(wàn)片/月，而以臺(tái)積電，聯(lián)電等為首的供給端為25萬(wàn)片/月，有接近13.6萬(wàn)片/月的供給-需求錯(cuò)配，對(duì)于中芯國(guó)際等國(guó)內(nèi)制造商來(lái)說(shuō)，潛在的市場(chǎng)空間很大。

從應(yīng)用端來(lái)看，28nm工藝目前主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然為手機(jī)應(yīng)用處理器和基帶。2017年之后，28nm工藝雖然在手機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用有所下降，但在其他多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用則迅速增加，目前能看到的應(yīng)用領(lǐng)域有OTT盒子和智能電視領(lǐng)域。在2019-2020年，混合信號(hào)產(chǎn)品和圖像傳感器芯片也將規(guī)模使用28nm工藝。

在28nm上，明年來(lái)看，市場(chǎng)需求和供給之間有13.6萬(wàn)片/月左右的錯(cuò)配，因此，這個(gè)gap中芯國(guó)際就有可能來(lái)填上。主要邏輯是臺(tái)積電、三星和GF都在比拼先進(jìn)制程，并沒(méi)有在28nm上擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃。，市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)好的時(shí)候，二線晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率將隨著臺(tái)積電的產(chǎn)能滿載而持續(xù)走高，因此很多IC設(shè)計(jì)廠商開(kāi)始接觸中芯國(guó)際尋求調(diào)配產(chǎn)能分散風(fēng)險(xiǎn)。在28nm上，中芯國(guó)際主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為聯(lián)電。

一座晶圓廠的投資，必須達(dá)到4萬(wàn)片的產(chǎn)能，產(chǎn)能利用率75%，才能盈虧平衡。

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家提供28納米先進(jìn)工藝制程的純晶圓代工企業(yè)。中芯國(guó)際的28納米技術(shù)是業(yè)界主流技術(shù)，包含傳統(tǒng)的多晶硅（PolySiON）和后閘極的高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）制程。中芯國(guó)際28納米技術(shù)于2013年第四季度推出，現(xiàn)已成功進(jìn)入多項(xiàng)目晶圓（MPW）階段，可依照客戶需求提供28納米PolySiON和HKMG制程服務(wù)。

來(lái)自中芯國(guó)際設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)以及多家第三方IP合作伙伴的100多項(xiàng)IP，可為全球集成電路（IC）設(shè)計(jì)商提供多種項(xiàng)目服務(wù)，目前已有多家客戶對(duì)中芯國(guó)際28納米制程表示興趣。28納米工藝制程主要應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦、電視、機(jī)頂盒和互聯(lián)網(wǎng)等移動(dòng)計(jì)算及消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域。中芯國(guó)際28納米技術(shù)可為客戶提供高性能應(yīng)用處理器、移動(dòng)基帶及無(wú)線互聯(lián)芯片制造。

我們?cè)谶@里要討論28nm給中芯國(guó)際帶來(lái)的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)彈性。我們認(rèn)為，28nm在市場(chǎng)需求和供給錯(cuò)配的情況下，將是未來(lái)中芯國(guó)際業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)彈性的主要推手。

目前中芯國(guó)際在28nm上的產(chǎn)能為1.7萬(wàn)片/月，其中北京廠產(chǎn)能為1萬(wàn)片/月，上海廠產(chǎn)能為7000片/月。在工藝技術(shù)方面，向客戶提供包括28nm多晶硅（PolySiON）和28nm高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）在內(nèi)的多項(xiàng)代工服務(wù)。主要客戶有高通等。

從營(yíng)收角度來(lái)看，2016年28nm工藝營(yíng)收占總體營(yíng)收的比重為1%左右，體量還非常小。

我們預(yù)計(jì)未來(lái)3年28nm產(chǎn)能的情況將實(shí)現(xiàn)快速的增長(zhǎng)，從2016年的1.7萬(wàn)片/月，到2018年的6萬(wàn)片/月，CAGR為88%。以2018年的產(chǎn)能來(lái)計(jì)算，28nm全年?duì)I收為10.8億美元，預(yù)計(jì)將占到全年?duì)I收的30%。

布局新技術(shù)，未來(lái)的成長(zhǎng)來(lái)源

現(xiàn)在的中芯國(guó)際也正在新技術(shù)上進(jìn)行研發(fā)。如啟動(dòng)14nm研發(fā)，預(yù)計(jì)2018年投入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，突破國(guó)際技術(shù)封鎖，自力更生尋出路。

目前一代的FinFET工藝中，TSMC是16nm節(jié)點(diǎn)，三星、Intel各自開(kāi)發(fā)了14nm FinFET工藝，GlobalFoundries則使用了三星的14nm工藝授權(quán)。由于受到出口限制，中國(guó)只能選擇自己開(kāi)發(fā)，15年中比利時(shí)國(guó)王訪華時(shí)，華為、高通、中芯國(guó)際及比利時(shí)微電子中心宣布合作開(kāi)發(fā)14nm工藝，中芯國(guó)際現(xiàn)在建設(shè)的12英寸晶圓廠就是為此準(zhǔn)備的，預(yù)計(jì)最早2018年投入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。

上海的12英寸晶圓廠不止會(huì)上14nm工藝，未來(lái)還會(huì)升級(jí)10nm以及7nm工藝。

2016年四季，公司宣布在上海開(kāi)工建設(shè)新的12英寸晶圓廠，投資超過(guò)675億人民幣，明年底正式建成，這座工廠將使用14nm工藝，這是中芯國(guó)際最先進(jìn)、同時(shí)也是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的制造工藝。新的12吋生產(chǎn)線項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資超過(guò)100億美元，將通過(guò)合資方式建設(shè)未來(lái)每個(gè)月可容納7萬(wàn)片的產(chǎn)能規(guī)模。公司董事表示，在加速研發(fā)過(guò)程中，力爭(zhēng)在2018年底實(shí)現(xiàn)突破。

另外，45/40nm進(jìn)軍PRAM存儲(chǔ)，蠶食三星份額。

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家提供40納米技術(shù)的晶圓廠。40納米標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提供低漏電（LL）器件平臺(tái)，核心組件電壓1.1V，涵蓋三種不同閾值電壓，以及輸入/輸出組件 2.5V電壓（超載 3.3V， 低載1.8V）以滿足不同的設(shè)計(jì)要求。40納米邏輯制程結(jié)合了最先進(jìn)的浸入式光刻技術(shù)，應(yīng)力技術(shù)，超淺結(jié)技術(shù)以及超低介電常數(shù)介質(zhì)。此技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能和低功耗的完美融合，適用于所有高性能和低功率的應(yīng)用，如手機(jī)基帶及應(yīng)用處理器，平板電腦多媒體應(yīng)用處理器，高清晰視頻處理器以及其它消費(fèi)和通信設(shè)備芯片。

攜手Crossbar，進(jìn)入PRAM存儲(chǔ)領(lǐng)域。公司與阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，共同宣布雙方就非易失性RRAM開(kāi)發(fā)與制造達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議。作為雙方合作的一部分，中芯國(guó)際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國(guó)際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲(chǔ)器組件。這將幫助客戶將低延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車電子市場(chǎng)需求。

價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇和固定資產(chǎn)加速折舊，2017年?duì)I收占比預(yù)降1-2%。我們估計(jì)在2017/18年，45 / 40nm將占銷售額的24％/ 24％。由于價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)激烈和固定資產(chǎn)的加速折舊，我們預(yù)計(jì)2017年45 / 40nm工藝將同比下降1-2個(gè)百分點(diǎn)。2017/18年 45 / 40nm產(chǎn)能的減少將轉(zhuǎn)化為28nm產(chǎn)能增加。

重視技術(shù)落地，應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬

中芯國(guó)際精通技術(shù)移植的應(yīng)用、多領(lǐng)域解決方案陸續(xù)推出。該公司同行專注于在先進(jìn)的數(shù)字邏輯部分的競(jìng)爭(zhēng)，而中芯國(guó)際的戰(zhàn)略是有選擇的研發(fā)突破并領(lǐng)導(dǎo)相應(yīng)細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)，同時(shí)堅(jiān)持投資先進(jìn)的數(shù)字邏輯技術(shù)。公司將其制程工藝廣泛應(yīng)用于CMOS圖像傳感器 （CIS）、多元化eNVM技術(shù)平臺(tái)、IoT Solutions、混合信號(hào)/射頻工藝技術(shù)、面板驅(qū)動(dòng)芯片（DDIC）、CMOS 微電子機(jī)械系統(tǒng)以及非易失性存儲(chǔ)器等領(lǐng)域。公司通過(guò)陸續(xù)推出新技術(shù)，鞏固已有市場(chǎng)份額，同時(shí)獲得新的市場(chǎng)份額。

1）CMOS圖像傳感器 （CIS）

CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)保持高速增長(zhǎng)。在移動(dòng)設(shè)備和汽車應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，2015年~2021年，CMOS圖像傳感器（CIS）產(chǎn)業(yè)的復(fù)合年增長(zhǎng)率為10.4%，預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將從2015年的103億美元增長(zhǎng)到2021年的188億美元。運(yùn)動(dòng)相機(jī)似乎已經(jīng)達(dá)到市場(chǎng)上限，但是新的應(yīng)用，如無(wú)人機(jī)、機(jī)器人、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）等，正促使CMOS圖像傳感器市場(chǎng)煥發(fā)新的生機(jī)。

與此同時(shí)，汽車攝像頭市場(chǎng)已經(jīng)成為CMOS圖像傳感器的一個(gè)重要增長(zhǎng)領(lǐng)域。先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)一步提高對(duì)傳感器供應(yīng)商的壓力，以提升其傳感技術(shù)能力。圖像分析是新興需求，并且人工智能的早期應(yīng)用正吸引眾人的目光。預(yù)計(jì)2015年-2021年，汽車CMOS圖像傳感器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將高達(dá)23%。因此，我們認(rèn)為2021年之前，全球CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)增長(zhǎng)不會(huì)出現(xiàn)放緩的趨勢(shì)。公司作為CMOS頭像傳感器晶圓制造企業(yè)，是產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，未來(lái)將受益于行業(yè)增長(zhǎng)，分享行業(yè)紅利。

公司擁有十年以上在CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor， CIS）的制造經(jīng)驗(yàn)。目前，中芯國(guó)際為客戶提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的背面照射和1.75微米像素尺寸的正面照射技術(shù)。同時(shí)我們也可以為客戶提供從晶片、 彩色濾光片、微透鏡到封裝測(cè)試的一站式服務(wù)。

公司已于2016年成功開(kāi)發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器（CIS）工藝技術(shù)，在此工藝下生產(chǎn)的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪聲和相對(duì)照度都將得到增強(qiáng)。

公司在中國(guó)提供完整的 CIS 代工服務(wù)，基于其豐富的領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)，該0.11微米 CIS 技術(shù)能力可以為客戶提供除0.15，0.18微米以外領(lǐng)先的解決方案及有競(jìng)爭(zhēng)力的成本優(yōu)勢(shì)。該高度集成、高密度 CIS 解決方案，同時(shí)適用于鋁和銅后端金屬化工藝，可廣泛應(yīng)用于攝像手機(jī)、個(gè)人電腦、工業(yè)和安全市場(chǎng)等領(lǐng)域。公司在該技術(shù)領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入試生產(chǎn)階段，未來(lái)幾個(gè)月后也將在其200和300毫米芯片生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。

2）推出多元化eNVM技術(shù)平臺(tái)

公司早在2013年推出多元化嵌入式非揮發(fā)性記憶體（eNVM）平臺(tái)。目前公司擁有公認(rèn)的制造能力，可以提供具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式非揮發(fā)性記憶體平臺(tái)。公司提供了完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)與廣泛IP支持，可應(yīng)用于智能卡、MCU和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。這些嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)提供高性能，低功耗與卓越的耐久性和資料保存性能。

這些工藝可提供客戶制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的產(chǎn)品，和更具經(jīng)濟(jì)效益的解決方案。包括OTP、MTP、0.18微米和0.13微米（μm）eEEPROM（嵌入式EEPROM）技術(shù)和0.13微米低功耗（LL）的嵌入式閃存（eFlash）技術(shù)，以及正在進(jìn)行的新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，如相變化存儲(chǔ)技術(shù)、阻變式存儲(chǔ)技術(shù)和磁阻式存儲(chǔ)技術(shù)。

公司eNVM平臺(tái)適用于消費(fèi)者、工業(yè)產(chǎn)品、汽車電子等廣泛的產(chǎn)品應(yīng)用，諸如MCU （微控制器）、觸控屏；以及一系列的智能卡應(yīng)用領(lǐng)域（涵蓋SIM卡、社會(huì)保障、交通運(yùn)輸和銀行卡等）。通常這些應(yīng)用對(duì)性能、可靠性、尺寸、功耗具有較高的要求。公司現(xiàn)已與諸多業(yè)界知名企業(yè)在eNVM平臺(tái)上合作，目前該平臺(tái)處于量產(chǎn)階段。

3）IoT Solutions

公司提供完整的一站式IoT技術(shù)平臺(tái)打造智能、安全的物聯(lián)世界通過(guò)不斷優(yōu)化成熟工藝平臺(tái)，公司提供完整的一站式物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things， IoT）工藝、制造和芯片設(shè)計(jì)服務(wù)。并攜手集成電路生態(tài)鏈合作伙伴，為設(shè)計(jì)公司生產(chǎn)物聯(lián)網(wǎng)智能硬件相關(guān)芯片產(chǎn)品，用于智能家居、能源、安防、工業(yè)機(jī)器人、可穿戴式設(shè)備、汽車、交通、物流、環(huán)境、智能農(nóng)業(yè)、健康監(jiān)護(hù)及醫(yī)療等多個(gè)領(lǐng)域。

作為中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，公司能夠提供專業(yè)、安全、完整的本土化服務(wù)，幫助設(shè)計(jì)公司縮短入市時(shí)間，降低成本，在蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)中占據(jù)有利地位。

8寸和12寸技術(shù)平臺(tái)均已完備 – 55納米低漏電嵌入式閃存平臺(tái)已進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)

物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品通常具有功能多樣性以及快速的上市響應(yīng)等特點(diǎn)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)以傳感、微處理、存儲(chǔ)、互聯(lián)為主，注重微小體積和超低功耗?；诠镜?.18微米到28納米的低功耗邏輯及射頻工藝，結(jié)合外置高容量存儲(chǔ)器，設(shè)計(jì)公司可選擇用于智能家居、可穿戴式設(shè)備、智慧城市等各類物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品；0.13微米和55納米低漏電嵌入式閃存（embedded Flash）工藝進(jìn)一步整合內(nèi)置存儲(chǔ)器。采用公司55納米低功耗嵌入式閃存技術(shù)的智能卡芯片已成功進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)。

卓越的SPOCULLTM 95ULP超低功耗和55納米超低功耗技術(shù)平臺(tái)

公司推出了SPOCULL 95ULP超低功耗技術(shù)平臺(tái)。此8’’工藝平臺(tái)提供業(yè)界最高密度最小面積的SRAM，極低的漏電流、功耗和寄生電容。在12’’工藝平臺(tái)上， 公司同時(shí)也推出55納米ULP超低功耗技術(shù)平臺(tái)。以95ULP和55納米ULP為主要超低功耗技術(shù)節(jié)點(diǎn)，通過(guò)進(jìn)一步降低產(chǎn)品操作電壓、工藝器件優(yōu)化和IP設(shè)計(jì)優(yōu)化，極大減低產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗，延長(zhǎng)系統(tǒng)待機(jī)時(shí)間和使用效率，并通過(guò)整合射頻和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)，優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)和安全性能。

公司提供微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感的技術(shù)平臺(tái)

公司還提供微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）傳感器技術(shù)平臺(tái)，能夠打造集射頻、基帶、微處理器、嵌入式閃存、微機(jī)電系統(tǒng)傳感器于一體的單芯片系統(tǒng)（SoC）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）、晶圓級(jí)封裝（WLP）、2.5D封裝等一站式服務(wù)，有助于縮短產(chǎn)品入市周期，優(yōu)化產(chǎn)品成本和結(jié)構(gòu)形態(tài)。

全面的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）IP生態(tài)系統(tǒng)

除了自身的工藝技術(shù)平臺(tái)以外，公司還積極創(chuàng)建全面的物聯(lián)網(wǎng)IP生態(tài)系統(tǒng)。通過(guò)與國(guó)內(nèi)外眾多IP合作伙伴建立的良好合作關(guān)系，公司可在射頻、基帶、嵌入式閃存、CPU 和DSP IP核、基礎(chǔ)單元庫(kù)IP、電源管理類IP、信息安全類IP和模擬接口類IP等方面提供完備的、高質(zhì)量的IP和設(shè)計(jì)服務(wù)。

4）混合信號(hào)/射頻工藝技術(shù)

公司提供與邏輯工藝兼容的混合信號(hào)/射頻工藝技術(shù)。通過(guò)與國(guó)際領(lǐng)先EDA工具供應(yīng)商的合作， SMIC提供精確的RF SPICE 模型和完整的PDK 工具包，涵蓋從0.18微米工藝到28納米PolySiON 工藝。 這一系列工藝技術(shù)用于射頻和無(wú)線互聯(lián)芯片制造并被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子，通信，計(jì)算機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)領(lǐng)域。

5）面板驅(qū)動(dòng)芯片（DDIC）

公司高壓工藝為計(jì)算機(jī)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及無(wú)線通訊LCD驅(qū)動(dòng)等廣泛應(yīng)用領(lǐng)域提供一個(gè)經(jīng)濟(jì)有效的平臺(tái)。公司同時(shí)提供95納米 SPOCULL 高壓平臺(tái)，該平臺(tái)的技術(shù)性能優(yōu)越，具備超低功耗的特性來(lái)支持可穿戴式設(shè)備的應(yīng)用，具備eNVM來(lái)支持in-cell面板的技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于面板驅(qū)動(dòng)，in-cell面板及AMOLED面板等。

6）CMOS 微電子機(jī)械系統(tǒng)

公司的MEMS方案主要集中在兩大主流應(yīng)用領(lǐng)域：第一種為MEMS麥克風(fēng)，是開(kāi)放式結(jié)構(gòu)，目前已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)；第二種慣性傳感器，是封閉式結(jié)構(gòu)，于2016年2Q進(jìn)入小量量產(chǎn)。

7）非易失性存儲(chǔ)器

公司擁有公認(rèn)的制造能力，可以提供具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的嵌入式閃存技術(shù)。公司提供了完整的嵌入式閃存技術(shù)與廣泛IP支持，可應(yīng)用于智能卡，MCU和單芯片。這些嵌入式閃存技術(shù)IP提供快速的程序設(shè)計(jì)和擦除時(shí)間，低功耗與卓越的可靠性和資料保存性能。公司還提供了ETOX NOR閃存技術(shù)解決方案，涵蓋從0.18微米到65納米。這些工藝可提供客戶制造出具有低成本效益，低功耗，高可靠性和耐久性的產(chǎn)品。

集成電路產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的“雁行模式”給中芯帶來(lái)的機(jī)遇

集成電路的最初形態(tài)為垂直整合的運(yùn)營(yíng)模式，系統(tǒng)企業(yè)內(nèi)設(shè)集成電路的制造部門，僅用于滿足企業(yè)自身產(chǎn)品的需求。美國(guó)的AT&T是最先采用垂直整合模式的企業(yè)，隨后IBM的集成電路制造部門為IBM自行生產(chǎn)的大型計(jì)算機(jī)提供處理器。隨著集成電路技術(shù)的擴(kuò)散，日本日立、NEC、富士通、東芝等企業(yè)，歐洲的西門子、飛利浦等電子公司都采用了這種模式。

IDM是繼垂直整合模式之后的新模式，由集成電路制造商自主設(shè)計(jì)與銷售由自己的生產(chǎn)線加工、封裝、測(cè)試后的成品芯片。與垂直整合模式不同的是，IDM企業(yè)的產(chǎn)品是滿足其他系統(tǒng)廠商的要求，最典型的例子就是美國(guó)的Intel公司。IDM模式的優(yōu)點(diǎn)在于IDM廠商可以根據(jù)市場(chǎng)特點(diǎn)制造綜合發(fā)展戰(zhàn)略，可以更加精細(xì)地對(duì)設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)每個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)行質(zhì)量控制。IDM模式不需要外包且利潤(rùn)較高，但其劣勢(shì)在于投資額加大、風(fēng)險(xiǎn)較高，要有不斷推出優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品作保證，而且IDM模式的技術(shù)跨度較大，橫跨了三個(gè)環(huán)節(jié)，企業(yè)不僅需要考慮每個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)問(wèn)題，而且還要綜合協(xié)調(diào)三大環(huán)節(jié)，加大了企業(yè)的運(yùn)營(yíng)難度。

隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷演變，國(guó)際IDM大廠外包代工的趨勢(shì)也日益明顯，逐漸催化了Fabless+Foundry+OSAT模式。

半導(dǎo)體制造在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈里具有卡口地位。制造是產(chǎn)業(yè)鏈里的核心環(huán)節(jié)，地位的重要性不言而喻。在半導(dǎo)體價(jià)值鏈里，占據(jù)最為重要的一環(huán)。統(tǒng)計(jì)行業(yè)里各個(gè)環(huán)節(jié)的價(jià)值量，制造環(huán)節(jié)的價(jià)值量是最大的，因?yàn)镕abless+Foundry+OSAT的模式成為趨勢(shì)，F(xiàn)oundry在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認(rèn)為，F(xiàn)oundry是一個(gè)卡口，產(chǎn)能的輸出都由制造企業(yè)所掌控。

“made in china”品牌下 整機(jī)制造領(lǐng)域滲透率已經(jīng)提升到邊際增長(zhǎng)曲線斜率趨緩階段。中國(guó)制造經(jīng)過(guò)這些年的發(fā)展，在下游整機(jī)制造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的下游應(yīng)用市場(chǎng)，中國(guó)占42%，是非常主要的市場(chǎng)。其中智能手機(jī)占全球28%，LCD TV占全球24%。 PC/Notebook占全球 21%. 平板》21%。這幾個(gè)數(shù)據(jù)說(shuō)明，全球各類電子類產(chǎn)品的下游應(yīng)用需求，中國(guó)是重中之重。

“中國(guó)制造”要從下游往上游延伸，在技術(shù)轉(zhuǎn)移路線上，半導(dǎo)體制造是“中國(guó)制造”尚未攻克的技術(shù)堡壘。中國(guó)是個(gè)“制造大國(guó)”，但“中國(guó)制造”主要都是整機(jī)產(chǎn)品，在最上游的“芯片制造”領(lǐng)域，中國(guó)還和國(guó)際領(lǐng)先水平有很大差距。在從下游的制造向“芯片制造”轉(zhuǎn)移過(guò)程中，一定會(huì)涌現(xiàn)出一批領(lǐng)先的代工企業(yè)。

日本經(jīng)濟(jì)學(xué)家赤松要在1956年提出了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“雁行模式”，認(rèn)為日本的產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)歷了進(jìn)口、進(jìn)口替代、出口、重新進(jìn)口四個(gè)階段。從這個(gè)角度來(lái)看，中國(guó)的集成電路正在經(jīng)歷當(dāng)年日本所經(jīng)歷過(guò)的路線。

世界的集成電路經(jīng)過(guò)了兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次在20世紀(jì)70年代末，從美國(guó)轉(zhuǎn)移到了日本，造就了富士通、日立、東芝、NEC等世界頂級(jí)的集成電路制造商；第二次在20世紀(jì)80年代末，韓國(guó)與***成為這一次轉(zhuǎn)移過(guò)程中的受益者，崛起了三星和臺(tái)積電這樣的制造業(yè)巨頭。

集成電路產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移也包含著一定的技術(shù)特征，轉(zhuǎn)移路徑按照勞動(dòng)密集型產(chǎn)業(yè)—〉資本技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)—〉技術(shù)密集與高附加值產(chǎn)業(yè)。第一階段的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，美國(guó)很多半導(dǎo)體企業(yè)或?qū)⒆陨淼姆鉁y(cè)部門賣出剝離，或是將測(cè)試工廠轉(zhuǎn)移到東南亞，在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過(guò)程中，***的很多封測(cè)企業(yè)開(kāi)始崛起，比如日月光和矽品等。第二階段的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為制造環(huán)節(jié)，這和集成電路產(chǎn)業(yè)分工逐漸細(xì)分有關(guān)系。集成電路的生產(chǎn)模式由原先的IDM為主轉(zhuǎn)換為Fabless+Foundry+OSAT，產(chǎn)業(yè)鏈里的每個(gè)環(huán)節(jié)都分工明確。在制造轉(zhuǎn)移的過(guò)程中，***的TSMC崛起成為現(xiàn)在最大的代工廠。

目前，憑借巨大的市場(chǎng)需求，較低的人工成本，中國(guó)的OSAT和Foundry正有接力***，成為未來(lái)5年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的重點(diǎn)區(qū)域。

本土半導(dǎo)體市場(chǎng)需求和供給仍然錯(cuò)配，有潛力去進(jìn)行國(guó)產(chǎn)替代。中國(guó)大陸地區(qū)的半導(dǎo)體銷售額占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的銷售額比重逐年上升，從2008年的18%上升到1H2016的31%，同時(shí)中國(guó)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能僅為全球的12%，需求和供給之間存在錯(cuò)配。

中國(guó)整機(jī)商品牌提升，“本土化”提供完整產(chǎn)業(yè)鏈機(jī)會(huì)。以智能手機(jī)為例，除了三星蘋果之外，越來(lái)越多的中國(guó)本土品牌開(kāi)始在市場(chǎng)上滲透，并逐漸有了話語(yǔ)權(quán)。國(guó)產(chǎn)手機(jī)包括華為、OPPOVIVO等，年出貨量都已經(jīng)超過(guò)了1億部，并且還保持了可觀的增速。在智能手機(jī)領(lǐng)域，越來(lái)越多的國(guó)產(chǎn)品牌正在浮出水面。從這個(gè)維度來(lái)看，我們看好國(guó)內(nèi)從整機(jī)到上游的價(jià)值傳導(dǎo)。

國(guó)內(nèi)從上游的芯片設(shè)計(jì)制造到下游的整機(jī)已經(jīng)形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，帶來(lái)可期待的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)。我們看到中國(guó)正在形成從整機(jī)到上游芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈的布局，這一點(diǎn)同***美國(guó)韓國(guó)不同，***的電子集中在上游的芯片，從Fabless+Foundry+OSAT，但是欠缺下游的整機(jī)品牌，同時(shí)芯片環(huán)節(jié)沒(méi)有形成規(guī)模的集群效應(yīng)，芯片每個(gè)環(huán)節(jié)只有一兩家龍頭企業(yè)；美國(guó)在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域是全球最強(qiáng)，但是下游的整機(jī)品牌數(shù)量正在被中國(guó)逐漸超過(guò)；韓國(guó)和***的格局有些類似，有一些大而全的企業(yè)，但是缺乏完整的集群效應(yīng)。只有中國(guó)，憑借廣闊的下游市場(chǎng)和完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，正在逐漸崛起。

中國(guó)的設(shè)計(jì)公司崛起給本土制造商帶來(lái)驅(qū)動(dòng)效應(yīng)，本土虛擬IDM構(gòu)建會(huì)成為產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)下的主旋律。從2011年開(kāi)始，受益于下游整機(jī)市場(chǎng)的興起，中國(guó)本土的設(shè)計(jì)企業(yè)開(kāi)始迅速崛起，增速遠(yuǎn)大于全球設(shè)計(jì)公司的CAGR。我們看到全球設(shè)計(jì)業(yè)的CAGR為3%，而中國(guó)的這一數(shù)據(jù)為22%，遠(yuǎn)高于全球設(shè)計(jì)業(yè)的水準(zhǔn)。在中國(guó)設(shè)計(jì)公司快速增長(zhǎng)的過(guò)程中，中國(guó)的制造企業(yè)龍頭中芯國(guó)際自然享受成長(zhǎng)紅利，我們看到從2011-2015年里，伴隨著設(shè)計(jì)企業(yè)的崛起，中芯國(guó)際在中國(guó)大陸地區(qū)的CAGR達(dá)到了25%。這和中國(guó)大陸地區(qū)的設(shè)計(jì)公司快速增長(zhǎng)息息相關(guān)。