1月12日晚間，三星Exynos 2100處理器正式發(fā)布。該芯片是三星首款采用集成5G調(diào)制解調(diào)器的旗艦芯片，也是三星繼2020年末推出的Exynos 1080之后的第二個(gè)5nm芯片組。這款芯片和高
2021-01-14 09:35:33
8501 電子發(fā)燒友報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對(duì)手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗要比
2021-10-09 09:17:004872 近日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P，希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。臺(tái)積電表示，憑借5nm（N5）、4nm（N4）、3nm（N3）、以及最新的N4P制程，將能
2021-10-28 08:05:1118894 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091380 。 ? ? 圖源：高通 ? 目前該系列處理器芯片已經(jīng)采用5nm工藝進(jìn)行試生產(chǎn)，報(bào)道中明確地指出，該系列芯片到收尾階段將會(huì)以4nm工藝呈現(xiàn)，預(yù)計(jì)將會(huì)交由三星代工。與前代產(chǎn)品Wear 4100的12nm工藝相比，Wear 5100系列在生產(chǎn)工藝方面有著顯著的提升，芯片的性能和功耗有望得到新的突破。并
2022-02-28 09:44:2014144 儀式。才過4個(gè)月不到，韓國媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問題也遲遲沒有得到改善。 ? 其實(shí)，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣布啟動(dòng)利用GAA技術(shù)的
2022-11-30 09:35:124254 次公開了 SF1.4（1.4nm 級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-22 00:02:002463 次公開了?SF1.4（1.4nm?級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?4?個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
2025-03-23 11:17:401827 有參考價(jià)值的信息?！ ∮⑻貭柭肪€圖 從7nm到1.4nm 首先將目光放到最遠(yuǎn)，英特爾預(yù)計(jì)其工藝制程節(jié)點(diǎn)將以2年一個(gè)階段的速度向前推進(jìn)。從2019年推出10nm工藝開始（實(shí)際產(chǎn)品在市場(chǎng)上非常少見
2020-07-07 11:38:14
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
的eMRAM模塊，只要增加3個(gè)掩模，就可以集成到芯片制造過程的后端。因此，該模塊被允許插入使用批量、FinFET或FD-SOI制造工藝生產(chǎn)的芯片中，而不一定取決于所使用的前端制造技術(shù)。 由此也可以看出，三星
2023-03-21 15:03:00
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704 代工事業(yè)執(zhí)行副總裁Jong Shik Yoon本周表示，未來三星將進(jìn)一步推進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，并且將展示一系列全新的工藝，并且公司已經(jīng)制定了全新的產(chǎn)品路線圖。
2017-05-27 09:23:00974 根據(jù)國外媒體報(bào)道，日前有內(nèi)部人士表示，三星已經(jīng)開始計(jì)劃在2019年使用6nm工藝制造移動(dòng)芯片，而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產(chǎn)線的投資。據(jù)悉，三星計(jì)劃在今年安裝兩款全新的光刻機(jī)，并且計(jì)劃在2018年繼續(xù)追加投資7臺(tái)，這樣就將為未來制造工藝的提升提供了支持，同時(shí)還能大幅提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
2017-06-28 10:40:551203 5月底的時(shí)候，三星在舉辦了新聞發(fā)布會(huì)，公布了旗下最新的工藝制程路線圖，在新的路線圖中，三星希望能夠在2020年推進(jìn)4nm工藝制程。
2017-06-30 14:24:041044 晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱，三星電子搶先使用極紫外光（EUV）微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」（FinFET）的新技術(shù)，目前看來似乎較占上風(fēng)。
2017-12-01 12:05:251479 新思科技研究人員兼電晶體專家Victor Moroz說，設(shè)計(jì)人員可能必須過渡到采用大約三層的橫向納米線堆疊，或稱為“納米矽板”(nano-slabs)。三星則宣布計(jì)劃使用閘極全環(huán)(GAA)電晶體以實(shí)現(xiàn)4nm制程，目標(biāo)是在2020年投入生產(chǎn)。
2018-03-30 15:05:2210893 
5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:004661 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01588 實(shí)現(xiàn)更小面積的芯片和超低功耗，并已準(zhǔn)備好為客戶提供樣品，再次彰顯了其在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。此前，三星已實(shí)現(xiàn)7nm工藝的批量生產(chǎn)和客戶定制的6nm工藝的產(chǎn)品流片(Tape-out)，并將于4月份內(nèi)實(shí)現(xiàn)7nm的出貨。 建設(shè)中的華城EUV廠鳥瞰圖(截止2019年3月) 據(jù)悉，與其第一代
2019-04-18 20:48:54636 在上周的美國SFF晶圓代工論壇上，三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了，而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335 近年來，在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下，三星將其業(yè)務(wù)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了邏輯工藝代工。在近日的SFF（SamsungFoundry Forum）美國分會(huì)上，三星宣布了四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm。同時(shí)
2019-05-30 15:53:464391 6月4日消息，據(jù)Digitimes報(bào)道，臺(tái)積電持續(xù)保持先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，7nm制程包攬了大廠訂單，三星決定跳過7nm制程，直接上7nm LPP EVU制程。
2019-06-05 16:40:263285 集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思（Synopsys）近日宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破，也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473942 關(guān)于7nm制程，今年年底之前可能會(huì)有基于三星 7 納米工藝芯片的手機(jī)亮相嗎？可能性或許不大，雖然高通新一代芯片驍龍 855 也將交給三星負(fù)責(zé)生產(chǎn)，但不要指望今年立馬發(fā)布然后大規(guī)模量產(chǎn)，即便量產(chǎn)可能也要等到今年的第四季度末。
2019-09-02 10:51:4210341 舉個(gè)例子，臺(tái)積電一貫以來在研發(fā)先進(jìn)工藝上出了名保守。在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)
2019-09-04 11:45:584703 去年10月，三星芯片工廠正式開始使用其7LPP（7nm低功耗+）制造工藝生產(chǎn)芯片，此后并未放緩其制造技術(shù)的發(fā)展。該公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP（6nm低功耗+）技術(shù)開始批量生產(chǎn)芯片
2019-08-06 15:43:164128 和以往間隔多年推出一代全新工藝制程不同，目前兩大晶圓代工廠臺(tái)積電及三星都改變了打法，一項(xiàng)重大工藝制程進(jìn)行部分優(yōu)化升級(jí)之后，就會(huì)以更小的數(shù)字命名。作為韓系芯片大廠龍頭的三星在工藝制程方面非常激進(jìn)
2019-08-26 12:29:003380 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。
2019-09-12 10:44:033454 據(jù)國外媒體報(bào)道，消息稱，芯片制造商AMD已經(jīng)使用三星的7nm制程，來制造其Radeon RX 5500系列顯卡。
2019-12-18 17:09:413120 報(bào)道稱，與三星電子的5nm工藝相比，3nm制程能將芯片尺寸縮小35%，功耗降低50%，性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601 根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。
2020-02-21 09:00:352667 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 據(jù)國外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230 中關(guān)村在線消息：在先進(jìn)的芯片制造領(lǐng)域，放眼世界，只剩下臺(tái)積電，英特爾和三星。目前，臺(tái)積電與三星在 7nm 以下的競(jìng)爭(zhēng)引起了廣泛關(guān)注。根據(jù) DigiTimes 的報(bào)告，三星將直接跳過 4nm 先進(jìn)工藝
2020-07-08 16:07:212550 
在芯片先進(jìn)制程的賽場(chǎng)上，放眼全球，僅剩臺(tái)積電、英特爾、三星。目前，臺(tái)積電和三星在7nm以下的競(jìng)爭(zhēng)備受關(guān)注。根據(jù)報(bào)道，三星將直接跳過4nm先進(jìn)制程，轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn)，此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺(tái)積電
2020-07-06 15:31:542666 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 臺(tái)積電是在官網(wǎng)所披露的二季度財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議材料中，提及4nm制程的。臺(tái)積電CEO、副董事長(zhǎng)魏哲家在會(huì)上表示，他們將推出4nm制程，作為5nm制程家族的延伸。
2020-08-04 16:29:583472 據(jù)韓媒報(bào)道，業(yè)界人士透露，三星預(yù)計(jì)將從 2020 年底開始，投入 5nm 制程應(yīng)用處理器 (AP)、通訊調(diào)制解調(diào)器芯片 (Modem)的大量生產(chǎn)。
2020-09-04 11:17:033346 在2020年5月，臺(tái)積電就曾宣布，將在美國亞利桑納州斥資120億美元興建5nm制程晶圓廠，并預(yù)計(jì)2023年正式量產(chǎn)。消息刺激競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手南韓三星，三星日前也宣布計(jì)劃斥資100億美元在美國德州奧斯汀興建
2021-02-02 14:03:531767 
理論上，與前一代制程相比，新工藝節(jié)點(diǎn)應(yīng)該帶來比前一代節(jié)點(diǎn)低至少15％的面積，但三星的8LPP節(jié)點(diǎn)在擴(kuò)展方面不像臺(tái)積電的7nm制程那樣具有積極性，這使得臺(tái)積電在這一代產(chǎn)品中具有密度優(yōu)勢(shì)。
2020-09-27 11:08:532813 失去了蘋果訂單的三星，雖然依舊獲得了高通等公司的訂單，但在芯片制程工藝方面，三星也要落后于臺(tái)積電一段時(shí)間，相同的制程工藝，臺(tái)積電都是率先大規(guī)模投產(chǎn)。
2020-10-28 10:28:111628 蘋果A14仿生芯片拉動(dòng)手機(jī)芯片正式跨入了5nm時(shí)代。三星不甘人后，今天發(fā)布的三星Exynos 1080處理器，采用了5nm制程工藝，在性能和功耗控制等方面，都有著極為出色的表現(xiàn)。 三星Exynos
2020-11-12 18:13:204092 臺(tái)積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會(huì)跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 09:52:512513 2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852 英特爾最近兩年可以說深陷制程工藝的陷阱中，以至于在處理器市場(chǎng)面對(duì)AMD只能節(jié)節(jié)敗退，丟掉了許多的市場(chǎng)份額，顯然英特爾也意識(shí)到了制程工藝的重要性，除了加快10nm的部署外，還押注了更先進(jìn)的4nm制程，并且將與臺(tái)積電展開全面而深度的合作。
2021-01-13 09:59:582328 到，Intel委托臺(tái)積電生產(chǎn)圖形處理器（GPU），后者計(jì)劃使用4nm工藝制造Intel的GPU，計(jì)劃從今年下半年開始生產(chǎn)。 據(jù)悉，三星也將從今年下半年開始，在其位于德克薩斯州奧斯汀的代工廠，生產(chǎn)Intel的南橋芯片組，月產(chǎn)能為15000片晶圓，相當(dāng)于奧斯汀工廠
2021-01-23 10:25:051953 的競(jìng)爭(zhēng)。 目前三星正在生產(chǎn) 5nm EUV 芯片，這家韓國芯片巨頭一貫希望加強(qiáng)其先進(jìn)制造工藝，增強(qiáng)同臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)力。此前有報(bào)道稱，三星為在更短的時(shí)間內(nèi)追趕上臺(tái)積電，直接跳過了 4nm 工藝節(jié)點(diǎn)，從 5nm 躍升至 3nm。但是，要實(shí)現(xiàn)這一計(jì)劃，
2021-01-25 09:41:111852 的競(jìng)爭(zhēng)。 目前三星正在生產(chǎn) 5nm EUV 芯片，這家韓國芯片巨頭一貫希望加強(qiáng)其先進(jìn)制造工藝，增強(qiáng)同臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)力。此前有報(bào)道稱，三星為在更短的時(shí)間內(nèi)追趕上臺(tái)積電，直接跳過了 4nm 工藝節(jié)點(diǎn)，從 5nm 躍升至 3nm。但是，要實(shí)現(xiàn)這一計(jì)劃，
2021-01-25 10:29:052091 的5nm工藝，制程層面的性能和功耗得到進(jìn)一步優(yōu)化。 但消息人士稱，高通有意在2022年切換到臺(tái)積電的4nm工藝，其設(shè)計(jì)跟5nm是兼容的，EUV光罩層會(huì)更多，不過具體性能、功耗有多大變化一直也沒公布。 其實(shí)，高通2月初發(fā)布的X65和X62 5G基帶就是4nm下
2021-02-24 17:23:293849 推出的5G移動(dòng)處理器驍龍888，就是交由三星電子采用5nm制程工藝代工。 而產(chǎn)業(yè)鏈方面的人士透露，高通將推出的下一代5G移動(dòng)處理器驍龍895（暫定名），仍將由三星電子代工，采用升級(jí)版的5nm制程工藝，但在2022年，有可能轉(zhuǎn)向臺(tái)積電，采用
2021-02-24 17:29:284161 制程工藝。 報(bào)道稱，促使高通轉(zhuǎn)投臺(tái)積電懷抱的主要原因是，近期有消息稱臺(tái)積電的4nm工藝計(jì)劃在2022年大規(guī)模量產(chǎn)，三星作為其對(duì)手相對(duì)落后了一些，而高通又急于應(yīng)用新的工藝改善新品的性能。 消息稱，這款基于臺(tái)積電4nm的驍龍芯片應(yīng)該會(huì)在明年正
2021-02-25 13:37:462500 這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上，公布了其未來幾年的制程工藝路線圖，其中，8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月，三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證，具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:299987 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)中，臺(tái)積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對(duì)手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗
2021-10-12 11:16:232425 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）近日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布推出4nm制程工藝——N4P，希望借此贏得明年蘋果公司A16處理器代工訂單。臺(tái)積電表示，憑借5nm（N5）、4nm（N4）、3nm（N3
2021-10-30 11:25:169826 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740 GAA結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)同樣困難重重。據(jù)了解，近期三星采用GAA結(jié)構(gòu)打造的3nm芯片，良率僅在10%~20%之間。而臺(tái)積電在其第一代3nm制程中仍將采用FinFET工藝。
2022-04-29 10:22:002985 的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn)，并且三星稱之前飽受詬病的良率問題也已得到解決。 美國總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進(jìn)行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺(tái)積電，投入了大量資金進(jìn)行高端制程的研
2022-05-22 16:30:312676 蘋果原計(jì)劃或許是在2022年的iPhone14中使用比A15更高制程的4nm工藝，然而臺(tái)積電的4nm要到2023年才會(huì)量產(chǎn)。
2022-05-31 15:46:263059 
據(jù)媒體報(bào)道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開始量產(chǎn)，代工方為三星，將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 了4nm制程工藝，并且今年下半年將會(huì)完成3nm制程工藝的量產(chǎn)，2025年會(huì)完成2nm制程工藝的量產(chǎn)，已經(jīng)是遙遙領(lǐng)先其他廠商了，全球先進(jìn)制程基本上都需要依靠臺(tái)積電和三星來完成，而相較于三星，臺(tái)積電在各個(gè)方面又更占據(jù)優(yōu)勢(shì)，因此臺(tái)積
2022-06-23 09:47:221724 今年2021年依然是5nm工藝的天下，明年2022年主要是三星4nm和臺(tái)積電5nm（N5P）的天下，2023年才能見到3nm工藝制程，2nm至少也是2024年的事情了。
2022-06-27 10:45:163809 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布， 基于3nm全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT，簡(jiǎn)稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。
2022-06-30 10:15:592813 最先進(jìn)的制程工藝便是三星的3nm工藝，并且這也是全球首次采用GAA晶體管的芯片，三星表示采用了GAA晶體管的3nm芯片將應(yīng)用在高性能低功耗的計(jì)算領(lǐng)域，并且未來將要運(yùn)用到移動(dòng)端。 目前三星3nm工藝芯片的首位顧客被爆料是一家來自中國的礦機(jī)芯片公司，隨
2022-06-30 16:36:272953 （FinFET）的進(jìn)階，4D（GAA）技術(shù)被認(rèn)為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù)，相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。 另外，每一個(gè)新工藝新制程的成本和良品率，都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069 隨著臺(tái)積電曝光2nm制程的進(jìn)展后，三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產(chǎn)時(shí)間也定在了2025年，跟臺(tái)積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來首次追上了臺(tái)積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域，三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭，不過在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片，在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周，三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示，這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102256 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開帷幕。
2022-08-18 11:57:192174 三星確實(shí)也在緊追臺(tái)積電的步伐，去年也量產(chǎn)了4nm芯片，高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產(chǎn)。
2022-09-21 11:54:421196 芯片晶圓代工產(chǎn)品舉行了出廠儀式。才過4個(gè)月不到，韓國媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問題也遲遲沒有得到改善。 其實(shí)，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455 平臺(tái)表示，公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 4nm 工藝制程手機(jī)芯片的封裝。公司在芯片和封裝設(shè)計(jì)方面與客戶展開合作，提供滿足客戶對(duì)性能、質(zhì)量、周期和成本要求的產(chǎn)品。 公司的全面晶圓級(jí)技術(shù)平臺(tái)為客戶提供豐富多樣的選擇，幫助客戶將 2.5D 和 3D 等各類先進(jìn)
2022-12-27 14:18:354624 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:071259 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺(tái)積電的80%。然而，通過加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:424327 一篇拆解報(bào)告，稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290 groq的新一代芯片性能將比現(xiàn)有芯片提高10倍以上，能源效率有望提高2至4倍。該芯片將利用三星電子sf4x 4nm工程節(jié)點(diǎn)制作，并將使用增加串流、減少延遲及電力消耗量、減少存儲(chǔ)器容量的第一代tensustream architecture。
2023-08-18 10:19:581759 有報(bào)道稱amd將利用4納米技術(shù)將部分生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到三星，但具體交易規(guī)模尚未公開。新報(bào)道稱，amd可能會(huì)使用三星vender工廠測(cè)試三星vender或部分i/o芯片，但根據(jù)目前的報(bào)告，amd不可能在三星4納米內(nèi)生產(chǎn)主要ip。
2023-11-13 11:16:361237 內(nèi)情人士透露，AMD採用Zen 5c架構(gòu)的新一代芯片包含眾多型號(hào)，其中低階芯片將由三星4nm制程代工，高階芯片則由臺(tái)積電3nm制程代工。業(yè)界認(rèn)為臺(tái)積電3nm制程技術(shù)在完整性、整合度及效能表現(xiàn)上還不夠成熟，因此對(duì)AMD而言三星4nm制程與臺(tái)積電3nm制程技術(shù)相當(dāng)。
2023-11-17 16:37:291129 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點(diǎn)在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計(jì)算機(jī)。
2023-12-01 10:33:453358 
韓華集團(tuán)下屬的ic設(shè)計(jì)企業(yè)vision ext正在對(duì)通過智能型閉路電視收集的影像、動(dòng)影像進(jìn)行分析的視角ai半導(dǎo)體進(jìn)行投資。此前，三星4nm工程主要用于高性能計(jì)算（hpc）和自主行駛車等方面。商務(wù)公司的目標(biāo)是通過與三星的合作，在4納米范圍內(nèi)首次引進(jìn)視覺ai半導(dǎo)體。
2023-12-07 16:51:102458 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，韓國科技巨頭三星近日宣布了一項(xiàng)重要決策。據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星已決定推遲其位于美國德克薩斯州泰勒市新晶圓廠的設(shè)備訂單，考慮將原計(jì)劃的4nm制程工藝直接升級(jí)到更為尖端的2nm制程。這一決策預(yù)計(jì)將在今年三季度正式公布。
2024-06-20 09:31:131051 在半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)技場(chǎng)上，三星正全力沖刺，準(zhǔn)備在2027年推出一系列令人矚目的創(chuàng)新。近日，三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技術(shù)路線圖，其中包括備受矚目的1.4nm制程工藝、芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)和硅光子技術(shù)。
2024-06-21 09:30:47861 概倫電子(股票代碼：688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術(shù)認(rèn)證，滿足雙方共同客戶對(duì)高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。
2024-06-26 09:49:141378 SoC芯片解決方案，據(jù)說該芯片的性能與高通驍龍8 Gen1相當(dāng)，同時(shí)采用臺(tái)積電4nm“N4P”工藝。 爆料人士@heyitsyogesh 沒有提供該定制芯片的名稱，但他提到了小米內(nèi)部SoC芯片的一些細(xì)節(jié)。例如，采用臺(tái)積電的4nm“N4P”工藝意味著將比即將推出的驍龍8 Gen 4落后整
2024-08-28 09:56:511691 與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當(dāng)前三星代工部門最緊迫的任務(wù)是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)域的決心和實(shí)力。 同時(shí)，韓真晚也提到了三星電子在GAA工藝方面的領(lǐng)先地位。盡管三星已經(jīng)率先實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)GAA工藝，但在先進(jìn)制
2024-12-10 13:40:351257 SF4X制程即4HPC，是4nm系列節(jié)點(diǎn)演進(jìn)新一步，主要面向AI/HPC所需芯片。Blue Cheetah在三星SF4X上制得的D2D PHY支持高級(jí)2.5D和標(biāo)準(zhǔn)2D芯粒封裝，總吞吐量突破100Tbps
2025-01-22 11:30:15964 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 自蘋果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來，臺(tái)積電成功在2020年率先成為5nm工藝量產(chǎn)出貨的代工廠。但同樣擁有頂尖工藝的三星也不甘落后，先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100三款芯片。盡管力求后發(fā)制人，但三星的5nm之路依舊并非一帆風(fēng)順。
2021-01-20 03:53:004130
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