表示其HBM2E是第四個(gè)工業(yè)時(shí)代的最佳內(nèi)存解決方案，支持需要最高內(nèi)存性能的高端GPU，超級計(jì)算機(jī)，機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能系統(tǒng)
2019-08-13 09:28:41
6584 提供的HBM2E內(nèi)存達(dá)到了3.6Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，而在和他們的合作過程中我們將速率進(jìn)一步地推進(jìn)到了4.0 Gbps?！?Rambus IP核產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Frank Ferro分享說，“此次
2020-10-23 09:38:098976 12月9日，Rambus線上設(shè)計(jì)峰會召開，針對數(shù)據(jù)中心的存儲挑戰(zhàn)、5G邊緣計(jì)算，以及內(nèi)存接口方案如何提高人工智能和訓(xùn)練推理應(yīng)用程序的性能，Rambus中國區(qū)總經(jīng)理蘇雷和Rambus高速接口資深應(yīng)用工程師曹汪洋，數(shù)據(jù)安全資深應(yīng)用工程師張巖帶來最新的產(chǎn)業(yè)觀察和技術(shù)分享。
2020-12-21 22:15:277695 。 ? 過往，三星和SK海力士在HBM內(nèi)存領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。目前，各大內(nèi)存廠商在HBM2E層面已經(jīng)開始鋪貨。就以SK海力士的節(jié)點(diǎn)來看，2020年
2021-08-23 10:03:282441 近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:176429 
在舊金山舉辦的AI Day活動上，高通正式發(fā)布了兩款新的中端移動處理器，分別是驍龍665、驍龍730。驍龍665是前年推出的主流手機(jī)明星級平臺驍龍660的升級版，采用三星11nm LPP工藝制造。
2019-04-13 11:26:132832 三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231654 在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中，但很明顯沒個(gè)幾年時(shí)間是出不來的。 ? GPU 市場的顯存選擇 ? 我們再開看看目前GPU市場對于顯存的選擇，AMD在消費(fèi)級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達(dá)則在
2022-12-02 01:16:003484 五代產(chǎn)品。對于HBM3E，SK海力士預(yù)計(jì)2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品，2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊，容量達(dá)24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進(jìn)展。據(jù)韓媒報(bào)道
2023-10-25 18:25:244378 
技術(shù)的獨(dú)家供應(yīng)商。 ? 由于汽車對車用芯片更嚴(yán)格的品質(zhì)要求，SK海力士已單獨(dú)生產(chǎn)專門用于汽車用途的HBM2E，這也是目前唯一一家將HBM用于汽車的公司。 ? 我們知道HBM芯片對于現(xiàn)今AI拉動的高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心已成為必須，隨著HBM2E開始用于汽車，滿足智能駕駛不斷產(chǎn)生的計(jì)算需求，這
2024-08-23 00:10:007956 產(chǎn)品組合 ? 圖1：Rambus HBM4控制器 ? 中國北京，2024年11月13日 —— 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出業(yè)界首款HBM4內(nèi)存控制器IP，憑借廣泛的生態(tài)系統(tǒng)支持，擴(kuò)展了其在HBM IP領(lǐng)域
2024-11-13 15:36:401109 
，其性能表現(xiàn)處于頂級水準(zhǔn)。 友堅(jiān)恒天科技專注于三星平臺產(chǎn)品的研發(fā)，是三星在中國最具實(shí)力的方案公司。公司主 打的三 星平板電腦方案銷量，連續(xù)多年穩(wěn)居第一。公司定位于中高端產(chǎn)品的研發(fā)，具有多年 的嵌入式產(chǎn)
2017-06-30 11:00:32
4800 MT/s解決方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬提高了33%，使數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的主內(nèi)存性能達(dá)到了一個(gè)新的水平。該產(chǎn)品的延遲和功耗均達(dá)到業(yè)內(nèi)
2023-02-22 10:50:46
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
三星打破上網(wǎng)本既有模式 性能尺寸接近傳統(tǒng)筆記本CNET科技資訊網(wǎng)7月1日國際報(bào)道 Nvidia證實(shí)，三星將推出一款采用其Ion芯片組的上網(wǎng)本，打破這類產(chǎn)品既有的模式。 Nvidia筆記本電腦產(chǎn)品部門
2009-07-01 21:47:27
Altera公司近期宣布，開始交付業(yè)界第一款高性能28-nm FPGA量產(chǎn)芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工藝制造的FPGA，比競爭解決方案高出一個(gè)速率等級
2012-05-14 12:38:53
`S5P6818 開發(fā)板是三星 2015 年推出的八核處理器，其集成了高性能的八核 ARMcortex-A53 處理器，既有超強(qiáng)的性能，同時(shí)兼顧了低功耗的設(shè)計(jì)，外加強(qiáng)大的 3D 性能及視頻處理能力
2017-12-04 11:27:25
SoC和MCU，NXP也由此成為三星MCU代工的首個(gè)客戶。 2019年，在三星推出首款商用eMRAM的同時(shí)即表示，MCU將是eMRAM的主要應(yīng)用方向之一，未來將繼續(xù)擴(kuò)大其嵌入式非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，其中
2023-03-21 15:03:00
級產(chǎn)品。 2、友堅(jiān)是三星AP事業(yè)部國內(nèi)重要合作伙伴,是三星指定平板產(chǎn)品的IDH 3、CPU:S5P4418 三星四核 4、內(nèi)存：1G RAM+4G eMMC 5、安卓4.4系統(tǒng)本批次開發(fā)板將新增四大
2016-07-01 14:04:09
，收購原裝字庫，回收三星CPU,收購三星拆機(jī)字庫，回收三星原裝IC,有貨速聯(lián)系，型號如下：KMK2U000VM-B604、KMK1U000VM-BA04、KAT007012B-BRTT
2021-08-20 19:11:25
：提供帶有自主設(shè)計(jì)外殼的整體解決方案，外殼設(shè)計(jì)時(shí)尚美觀； 三星Cortex-A8處理器核心，性能強(qiáng)、速度快、功耗低； Android智能操作系統(tǒng)，上萬種軟件無限下載及應(yīng)用；同時(shí)具備內(nèi)置Wi-fi和內(nèi)置3G
2011-03-30 14:30:37
如何實(shí)現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關(guān)鍵作用是什么
2021-05-06 07:24:55
北京時(shí)間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息，展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布，基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機(jī)E1282(GT-E
2012-11-09 15:43:30
`S5P6818 開發(fā)板是三星 2015 年推出的八核處理器，其集成了高性能的八核 ARMcortex-A53 處理器，既有超強(qiáng)的性能，同時(shí)兼顧了低功耗的設(shè)計(jì)，外加強(qiáng)大的 3D 性能及視頻處理能力
2017-11-17 11:33:00
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:36:06
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:38:20
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:32:32
全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴，也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣其AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商，目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330（3G模塊）的整合，預(yù)計(jì)明年1月將可以向整個(gè)亞太地區(qū)進(jìn)行三星AP的平板電腦方案的推廣。
2012-12-21 19:28:08
我們正在調(diào)試基于三星4412的MFC（視頻硬解碼）但是移植調(diào)試不出來如果哪位大俠成功調(diào)試過類似的產(chǎn)品（210或4412） 可以一起探討一下
2014-01-16 10:21:24
蘋果/三星高端智能手機(jī)快充識別IC-MA5887.MA5887是一個(gè)高性能的解決方案“快速充電”機(jī)制,加快充電時(shí)間.MA5887嵌入式自動充電器檢測其符合USB電池充電規(guī)格（BC）版本1.2,和蘋果
2016-10-13 14:25:00
隨著網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心帶寬需求的日益提升，針對高性能內(nèi)存解決方案的需求也是水漲船高。對于超過 400 Gbps 的系統(tǒng)開發(fā)，以經(jīng)濟(jì)高效的方式實(shí)現(xiàn)內(nèi)存方案的性能和效率已經(jīng)成為項(xiàng)目中的重要挑戰(zhàn)之一。
2020-12-03 07:14:31
隨著HarmonyOS NEXT的正式推出，鴻蒙原生應(yīng)用開發(fā)熱度高漲，數(shù)量激增。但在三方應(yīng)用鴻蒙化進(jìn)程中，性能問題頻出。為此，HarmonyOS NEXT推出了一整套原生頁面高性能解決方案，包括
2025-01-02 18:00:13
三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費(fèi)以達(dá)成和解
韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達(dá)成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司
2010-01-21 10:55:361015 作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的世界領(lǐng)導(dǎo)者（三星官方用語），三星電子在2017年7月18日宣布，它正在增加其8G版的高帶寬Memory-2（HBM2）的產(chǎn)量來滿足日益增長的市場需求，為人工智能、HPC（高性能計(jì)算）、更先進(jìn)的圖形處理、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和企業(yè)服務(wù)器等應(yīng)用層面提供支持。
2017-07-23 04:47:281018 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 12月21日，IBM宣布，將選用三星7nm EUV代工其Power11處理器，后者將用于藍(lán)色巨人的Power系統(tǒng)、IBM Z、LinuxOne、高性能計(jì)算以及云服務(wù)解決方案中。
2018-12-24 10:22:135560 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 最近，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲標(biāo)準(zhǔn)HBM2E，針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對于一些大企業(yè)，集成這些技術(shù)可以說不費(fèi)吹灰之力，但不是誰都有這個(gè)實(shí)力。
2020-03-08 19:43:564565 相比GDDR顯存，HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503 全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19870 7月2日消息，據(jù)外媒報(bào)道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275 顯卡的顯存這一路走來都是GDDR，但是這兩年HBM成了大明星，最新的HBM2E顯存也在去年8月首次提出規(guī)格。 由于三星等公司的努力，HBM在過去幾年來逐漸展現(xiàn)穩(wěn)步成長。例如三星上半年發(fā)布了稱為
2020-08-19 14:38:051440 Alchip 5nm設(shè)計(jì)將利用高性能計(jì)算IP產(chǎn)品組合，其中包括一級供應(yīng)商提供的“同類最佳” DDR5，GDDR6，HBM2E，HBM3，D2D，PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552763 瓴盛科技首席營銷官成飛介紹，此次推出的芯片是基于世界頂尖的晶圓廠Samsung Foundry 11nm FinFET的工業(yè)制造，具備低功耗、高能效的領(lǐng)先競爭優(yōu)勢；同時(shí)基于異構(gòu)處理器設(shè)計(jì)，豐富式架構(gòu)讓軟件工程師在系統(tǒng)軟件實(shí)施層面可以做到更好的功耗優(yōu)化。
2020-09-04 16:26:362613 16GB/stack的容量。 HBM2E對HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進(jìn)行了一些更新來提升性能，作為中代產(chǎn)品，能提供更高的時(shí)鐘速度，更高的密度（12層，最高可達(dá)24GB）。三星是第一個(gè)將16GB/satck
2020-09-10 14:39:012830 為了給人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬，HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計(jì)者的兩個(gè)首選方案。
2020-10-26 15:41:133266 
DesignWare HBM2E PHY IP 可提供每秒 460 GB 的聚合帶寬，能夠滿足先進(jìn) FinFET 工藝 SoC 對海量計(jì)算性能的要求。HBM2E IP 是新思科技全面內(nèi)存接口 IP
2021-02-14 09:22:001151 三星昨日宣布了一項(xiàng)新的突破，面向 AI 人工智能市場首次推出了 HBM-PIM 技術(shù)，據(jù)介紹，新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能，并將功耗降低 71%。 在此前，行業(yè)內(nèi)性能最強(qiáng)運(yùn)用最廣泛的是 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 官方發(fā)布 近日，三星推出了專為下一代自動駕駛電動汽車應(yīng)用的高端車用內(nèi)存系列解決方案。新產(chǎn)品陣容包括了適用于高性能車載信息娛樂系統(tǒng)的256GB PCIe Gen3 NVMe球柵陣列(BGA)封裝
2021-12-21 11:43:222358 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 隨著臺積電曝光2nm制程的進(jìn)展后，三星緊追其后也宣布了關(guān)于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產(chǎn)時(shí)間也定在了2025年，跟臺積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來首次追上了臺積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 SoC 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學(xué)習(xí)計(jì)算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強(qiáng)型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應(yīng)用程序，每種應(yīng)用程序都有其自身的優(yōu)點(diǎn)，但
2022-07-30 11:53:503296 在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中，但很明顯沒個(gè)幾年時(shí)間是出不來的。 GPU市場的顯存選擇 我們再看看目前GPU市場對于顯存的選擇，AMD在消費(fèi)級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達(dá)則在部分
2022-12-02 07:15:031989 HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器）結(jié)構(gòu)復(fù)雜，驗(yàn)證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416 
據(jù)韓媒報(bào)道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個(gè)內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:031257 7月5日，在三星每周三舉行的員工內(nèi)部溝通活動期間，三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內(nèi)存 (HBM) 產(chǎn)品的市場份額仍超過 50%”，他駁斥了有關(guān)該公司內(nèi)存競爭力正在下降的擔(dān)憂。
2023-07-10 10:56:031421 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來在Intel 20A、臺積電2nm、三星3nm上，都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。
2023-10-23 11:15:081635 
為增強(qiáng)AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579 
Gbps 的性能，可支持 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%，總內(nèi)存吞吐量超過 1.2 TB/s，適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。
2023-12-07 14:16:061362 “隨著AI行業(yè)對大容量
HBM的需求日益增大，我們的新
產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”
三星電子
內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲
方案是我們在人人工智能時(shí)代所推崇的
HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?！?/div>
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認(rèn)可三星實(shí)力，稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士，后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:061180 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤，三星已被競爭對手SK海力士超越；位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破，成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044 三星方面表示，預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196 業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863 三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問題，導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
2024-05-17 11:10:13918 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 三星電子近期宣布，其與全球多家合作伙伴在高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品的供應(yīng)測試上進(jìn)展順利。該公司表示，將繼續(xù)致力于提升所有產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，確保為客戶提供最優(yōu)質(zhì)的解決方案。
2024-05-28 09:46:40766 英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示，英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認(rèn)了三星HBM未通過英偉達(dá)任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101 在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報(bào)道，三星電子已成功通過英偉達(dá)的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 近期，有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預(yù)計(jì)很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:181268 近日，三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào)，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)（NVIDIA）的嚴(yán)格認(rèn)證，標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 近日，有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而，三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng)，明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161 進(jìn)入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn)，強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí)，三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作，預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 近日，知名市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404 三星電子近期發(fā)布預(yù)測，指出全球HBM（高帶寬內(nèi)存）需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算，到2025年，全球HBM需求量將躍升至250億GB，較今年預(yù)測的120億GB實(shí)現(xiàn)翻番，這主要得益于人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展對高性能內(nèi)存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023 近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554 方式獲得三星顯示的一座大樓，并計(jì)劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。 此次擴(kuò)建工廠的背景是，三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片，對高性能內(nèi)存有著迫切需求，而三星的定制化HBM4內(nèi)
2024-11-13 11:36:161756 三星電子計(jì)劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。
2024-11-14 16:44:351203 近日，英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于三星的HBM3E內(nèi)存
2024-11-25 14:34:171028 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4，與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比，內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
2025-05-26 10:45:261307 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí)，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 已全部加載完成
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