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      中科院半導(dǎo)體所

      文章：1496 被閱讀：582.9w 粉絲數(shù)：321 關(guān)注數(shù)：0 點(diǎn)贊數(shù)：49

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      集成電路制造中薄膜生長(zhǎng)設(shè)備的類(lèi)型和作用

      薄膜生長(zhǎng)設(shè)備作為集成電路制造中實(shí)現(xiàn)材料沉積的核心載體，其技術(shù)演進(jìn)與工藝需求緊密關(guān)聯(lián)，各類(lèi)型設(shè)備通過(guò)結(jié)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-03 15:30 ?58次閱讀
      集成電路制造中薄膜生長(zhǎng)設(shè)備的類(lèi)型和作用

      電子封裝中焊接材料的焊錫種類(lèi)

      焊接材料作為芯片封裝中的核心連接媒介，其性能與工藝適配性直接影響電路的可靠性及使用壽命。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-03 14:10 ?140次閱讀
      電子封裝中焊接材料的焊錫種類(lèi)

      芯片邏輯內(nèi)建自測(cè)試技術(shù)的工作原理與核心架構(gòu)

      隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步，芯片集成度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，測(cè)試成本與測(cè)試效率已成為行業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)依....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 03-03 14:08 ?60次閱讀
      芯片邏輯內(nèi)建自測(cè)試技術(shù)的工作原理與核心架構(gòu)

      集成電路制造中薄膜生長(zhǎng)工藝的發(fā)展歷程和分類(lèi)

      薄膜生長(zhǎng)是集成電路制造的核心技術(shù)，涵蓋PVD、CVD、ALD及外延等路徑。隨技術(shù)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，工藝持續(xù)提....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-27 10:15 ?284次閱讀
      集成電路制造中薄膜生長(zhǎng)工藝的發(fā)展歷程和分類(lèi)

      集成電路制造工藝中的刻蝕技術(shù)介紹

      本文系統(tǒng)梳理了刻蝕技術(shù)從濕法到等離子體干法的發(fā)展脈絡(luò)，解析了物理、化學(xué)及協(xié)同刻蝕機(jī)制差異，闡明設(shè)備與....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-26 14:11 ?367次閱讀
      集成電路制造工藝中的刻蝕技術(shù)介紹

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)電子束曝光技術(shù)

      在前面的文章中介紹了接觸式/接近式曝光和無(wú)掩膜激光直寫(xiě)技術(shù)，下面介紹電子束曝光技術(shù)。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-10 15:29 ?277次閱讀
      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)電子束曝光技術(shù)

      拋光設(shè)備的核心自動(dòng)化配置要求和關(guān)鍵工藝參數(shù)

      在半導(dǎo)體器件規(guī)?；慨a(chǎn)過(guò)程中，拋光設(shè)備的自動(dòng)化水平直接決定生產(chǎn)效率、工藝穩(wěn)定性與作業(yè)安全性，需同時(shí)滿....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-09 14:32 ?393次閱讀
      拋光設(shè)備的核心自動(dòng)化配置要求和關(guān)鍵工藝參數(shù)

      一文詳解磁控濺射技術(shù)

      磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種廣泛應(yīng)用的物理氣相沉積（PVD）工藝，是制....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-03 14:08 ?454次閱讀
      一文詳解磁控濺射技術(shù)

      數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的工藝設(shè)計(jì)套件生成步驟

      本文將詳細(xì)介紹數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）生成步驟。
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 02-02 16:14 ?250次閱讀
      數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的工藝設(shè)計(jì)套件生成步驟

      集成電路制造中滑移線缺陷的概念和來(lái)源

      在高端芯片制造中，有一種被稱(chēng)為“隱形殺手”的缺陷——滑移線缺陷。它直接威脅著芯片的性能與可靠性，是半....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-30 15:59 ?221次閱讀
      集成電路制造中滑移線缺陷的概念和來(lái)源

      半導(dǎo)體制造中刻蝕工藝技術(shù)介紹

      多項(xiàng)目圓片(MPW)與多層光掩模(MLR)顯著降低了掩模費(fèi)用，而無(wú)掩模光刻技術(shù)如電子束與激光直寫(xiě)，在....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-27 11:05 ?428次閱讀
      半導(dǎo)體制造中刻蝕工藝技術(shù)介紹

      半導(dǎo)體制造中晶圓清洗設(shè)備介紹

      在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓清洗是一道至關(guān)重要的工序。晶圓經(jīng)切割后，表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-27 11:02 ?502次閱讀
      半導(dǎo)體制造中晶圓清洗設(shè)備介紹

      深度解讀晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線

      本文介紹了晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線及其核心參數(shù)的意義。曲線描述了柵壓控制漏極電流的過(guò)程，涵蓋關(guān)斷、亞閾值與....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-26 17:33 ?5300次閱讀
      深度解讀晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線

      半導(dǎo)體芯片鍵合技術(shù)概述

      鍵合是芯片貼裝后，將半導(dǎo)體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進(jìn)行電氣連接的工藝。它實(shí)現(xiàn)了芯片與外部世界之....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:36 ?580次閱讀
      半導(dǎo)體芯片鍵合技術(shù)概述

      淺談三維原子探針的跨領(lǐng)域應(yīng)用

      原子探針斷層掃描（APT，也叫三維原子探針）是一種三維分析技術(shù)，能看清原子級(jí)的成分分布，空間分辨率達(dá)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:33 ?291次閱讀
      淺談三維原子探針的跨領(lǐng)域應(yīng)用

      芯片可靠性面臨哪些挑戰(zhàn)

      芯片可靠性是一門(mén)研究芯片如何在規(guī)定的時(shí)間和環(huán)境條件下保持正常功能的科學(xué)。它關(guān)注的核心不是芯片能否工作....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:32 ?281次閱讀
      芯片可靠性面臨哪些挑戰(zhàn)

      功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

      在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中，單脈沖雪崩能量（Single Pulse Avalanche ....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-20 15:28 ?4587次閱讀
      功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

      MIT團(tuán)隊(duì)提出一種垂直集成的BEOL堆疊架構(gòu)

      近期發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在傳統(tǒng)CMOS芯片的后端工藝（BEOL）層添加額外的有源器件層，可將原本僅用于布線的區(qū)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-16 12:59 ?652次閱讀
      MIT團(tuán)隊(duì)提出一種垂直集成的BEOL堆疊架構(gòu)

      詳解芯片制造中的金屬中間層鍵合技術(shù)

      金屬中間層鍵合技術(shù)涵蓋金屬熱壓鍵合、金屬共晶鍵合、焊料鍵合及瞬態(tài)液相（transient liqui....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-16 12:55 ?412次閱讀
      詳解芯片制造中的金屬中間層鍵合技術(shù)

      詳解芯片制造中的中間層鍵合技術(shù)

      依據(jù)中間層所采用的材料不同，中間層鍵合可劃分為黏合劑鍵合與金屬中間層鍵合兩大類(lèi)，下文將分別對(duì)其進(jìn)行詳....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-16 12:54 ?1331次閱讀
      詳解芯片制造中的中間層鍵合技術(shù)

      一文解讀微機(jī)電系統(tǒng)的基礎(chǔ)知識(shí)

      微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS，Micro-electro-mechanical System，亦稱(chēng)微系統(tǒng)），....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-14 14:08 ?409次閱讀
      一文解讀微機(jī)電系統(tǒng)的基礎(chǔ)知識(shí)

      陽(yáng)極鍵合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)

      直接鍵合方式具備較高的對(duì)準(zhǔn)精度與穩(wěn)固的鍵合強(qiáng)度，能滿足高端器件的封裝需求，但該技術(shù)對(duì)晶圓表面的平整度....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-14 14:04 ?556次閱讀
      陽(yáng)極鍵合工藝的基本原理和關(guān)鍵參數(shù)

      晶體管輸出特性曲線的構(gòu)成與核心區(qū)域

      晶體管的輸出特性曲線是半導(dǎo)體器件物理與芯片電路設(shè)計(jì)之間最關(guān)鍵的橋梁。這張圖表描繪了在固定柵極電壓下，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-12 10:51 ?566次閱讀
      晶體管輸出特性曲線的構(gòu)成與核心區(qū)域

      超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

      超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 01-04 15:01 ?2460次閱讀
      超結(jié)MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)3D SOI集成電路技術(shù)

      在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時(shí)代”的進(jìn)程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制，....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:22 ?570次閱讀
      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)3D SOI集成電路技術(shù)

      SOI晶圓片的結(jié)構(gòu)特性及表征技術(shù)

      SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應(yīng)力分布共同決定，其....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:21 ?458次閱讀
      SOI晶圓片的結(jié)構(gòu)特性及表征技術(shù)

      Salicide自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝的定義和制造流程

      Salicide(Self-Aligned Silicide，自對(duì)準(zhǔn)硅化物)是一種通過(guò)選擇性金屬沉積....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:18 ?972次閱讀
      Salicide自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝的定義和制造流程

      漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)如何影響晶體管性能

      隨著智能手機(jī)、電腦等電子設(shè)備不斷追求輕薄化，芯片中的晶體管尺寸已縮小至納米級(jí)(如3nm、2nm)。但....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:17 ?654次閱讀
      漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)如何影響晶體管性能

      淺談SOI晶圓制造技術(shù)的四大成熟工藝體系

      SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支，歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代，已形成以SIMOX、BS....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:15 ?577次閱讀
      淺談SOI晶圓制造技術(shù)的四大成熟工藝體系

      集成電路版圖設(shè)計(jì)的核心組成與關(guān)鍵步驟

      在集成電路設(shè)計(jì)中，版圖（Layout）是芯片設(shè)計(jì)的核心環(huán)節(jié)之一，指芯片電路的物理實(shí)現(xiàn)圖。它描述了電路....
      的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 12-26 15:12 ?689次閱讀
      集成電路版圖設(shè)計(jì)的核心組成與關(guān)鍵步驟