國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:19
1327 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出600V絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 系列，藉以優(yōu)化在10kHz以下操作的馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱及空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-06 09:51:002108 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:113206 在研究逆變電路的損耗時，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性，同時還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗進(jìn)行分析，以此介紹選擇合適器件的方法。
2025-03-27 14:20:361765 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款斷態(tài)輸出端額定電壓分別為400V和600V的光繼器---“TLP223GA”和“TLP223J”。這兩款器件都具有低輸入電流以及優(yōu)化的開關(guān)特性，并采用DIP4封裝。產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2022-01-18 13:56:361620 
? Mini家族的產(chǎn)品陣容。該系列智能功率模塊采用了全新的600V逆導(dǎo)型驅(qū)動器2（RCD2）IGBT技術(shù)，并且?guī)в虚_放式發(fā)射極。CIPOS IM523系列智能功率模塊集成多種功率和控制器件來提高
2022-10-31 18:01:081694 
? —小型高邊和低邊開關(guān)（8通道）— ? 中國上海， 2023 年 2 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN
2023-02-07 14:56:11939 
線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:501327 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141126 
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－ ? 中國上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:501911 
進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。開關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開發(fā)出新型封裝，從而開發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
各位大師 請教個問題本人有臺開關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個大容，四個場效應(yīng)管組成的對管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開電沒問題。只要工作就燒開關(guān)管，大功率場效應(yīng)管，兩個對管。問問是怎么回事，會是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
對于常見功率器件，整流橋，電解電容，IGBT，MOS管，這些功率器件的熱損耗功率該怎么計(jì)算？
尤其是電解電容，在母線支撐電路中，受到母線電壓跌落幅值的影響功率損耗很大，所以在常規(guī)的380V變頻器電解電容選型中，以輸出電流為準(zhǔn)，多少A的電流應(yīng)該配備多大容量的電解電容？
2024-06-12 16:44:14
。由于SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面非常有效，因此，希望在這里能加深對元器件的了解，以幫助大家更得心應(yīng)手地使用它。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC功率元器件是能夠降低損耗，并高溫環(huán)境的工作特性優(yōu)異的新一代低損耗
2018-11-29 14:39:47
的目的。這種器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右（參考）。（3）．可控硅SCR可控硅在大電流、高耐壓場合還是必須的，但在常規(guī)工業(yè)控制的低壓、中小電流控制中，已
2018-05-08 10:08:40
的功率損耗有關(guān)，這會影響熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開發(fā)，減少功率損耗的需求將繼續(xù)存在，特別是隨著每輛車電機(jī)數(shù)量的增加以及卡車向純電動汽車的遷移。牽引逆變器傳統(tǒng)上
2022-11-02 12:02:05
阻,直流電機(jī)驅(qū)動,新型,推出,器件,業(yè)界,應(yīng)用設(shè)計(jì),承載能力,傳導(dǎo)損耗<br/>【DOI】：CNKI:SUN:DZZZ.0.2010-04-006<br
2010-05-06 08:55:20
Neway電機(jī)方案的小型化設(shè)計(jì)Neway電機(jī)方案的小型化設(shè)計(jì)通過核心器件創(chuàng)新、電路優(yōu)化、封裝革新及散熱強(qiáng)化，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、功率密度提升至120W/in3的突破，具體設(shè)計(jì)要點(diǎn)如下：一、核心器件
2025-12-17 09:35:07
二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問題等特點(diǎn)的產(chǎn)品。與一般的同規(guī)格IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了77%，可高頻驅(qū)動，因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。其可用于電機(jī)驅(qū)動、太陽能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化
2019-04-12 05:03:38
的可靠性600V耐壓為380V工業(yè)母線系統(tǒng)提供充足余量，其負(fù)壓耐受能力可抑制寄生電感引起的電壓尖峰。2.集成化與成本優(yōu)化相比分立方案，單芯片集成高低邊驅(qū)動可減少光耦或隔離電源數(shù)量，降低BOM復(fù)雜度和布板
2025-11-20 08:47:23
一、概述：高性能半橋驅(qū)動SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對稱
2025-11-21 08:35:25
： SLM2184SCA-13GTR的核心價值在于其高集成度（SOP8小封裝）、高壓能力（600V）、強(qiáng)勁的驅(qū)動電流（950mA） 以及內(nèi)置的智能保護(hù)功能（死區(qū)時間、UVLO、關(guān)斷引腳）。它為開發(fā)緊湊、可靠的高壓功率驅(qū)動系統(tǒng)提供了一個高效的單芯片解決方案。#SLM2184 #高壓半橋驅(qū)動 #半橋驅(qū)動 #門極驅(qū)動
2025-08-26 09:15:40
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說，必須將超過Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
逆變器、UPS不間斷電源
工業(yè)自動化設(shè)備中的功率驅(qū)動部分
總結(jié)SiLM2186CA-DG (SOP8) 是一款在性能、可靠性和兼容性方面表現(xiàn)均衡的高壓半橋驅(qū)動器，600V耐壓、3A灌電流能力
2025-08-23 09:36:06
在工業(yè)風(fēng)機(jī)、家電壓縮機(jī)或通用電機(jī)驅(qū)動等高壓應(yīng)用中，一個簡潔可靠的半橋驅(qū)動電路是系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的基礎(chǔ)。SiLM2206CJ半橋門極驅(qū)動器，集成了關(guān)鍵的自舉二極管，支持高達(dá)600V的母線電壓，在幫助簡化高
2025-12-31 08:22:18
SiLM2234 600V半橋門極驅(qū)動器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
：快速的開關(guān)特性和足夠的驅(qū)動電流，可以有效降低功率器件的開關(guān)損耗，這意味著更高的電源轉(zhuǎn)換效率和更輕的散熱設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。
設(shè)計(jì)更簡單，成本更低：高邊直驅(qū)的設(shè)計(jì)顯著簡化了電路拓?fù)?，?jié)省了隔離電源等元件的成本
2026-01-04 08:59:29
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變器及大功率開關(guān)電源等高壓應(yīng)用領(lǐng)域，系統(tǒng)設(shè)計(jì)長期面臨著高壓干擾、驅(qū)動效率低下以及高邊驅(qū)動設(shè)計(jì)復(fù)雜的核心痛點(diǎn)。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，600V半橋門極驅(qū)動芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
和IGBT器件的可靠驅(qū)動，助力高壓功率器件實(shí)現(xiàn)可靠且高效的運(yùn)行。
寬電壓耐受，驅(qū)動更可靠
1. 600V母線電壓支持：適配工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動等高壓應(yīng)用場景，穩(wěn)定應(yīng)對高電壓波動。
2. 20V VCC寬
2025-10-21 09:09:18
在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器或大功率電源中，驅(qū)動電路的可靠性直接決定整體性能。面對高壓環(huán)境下的噪聲干擾、開關(guān)損耗以及高邊驅(qū)動設(shè)計(jì)復(fù)雜等實(shí)際挑戰(zhàn)，SiLM22868提供了一種扎實(shí)的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
升/下降時間及170ns典型傳播延遲，顯著降低開關(guān)損耗，提升高頻應(yīng)用下的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)： 獨(dú)特的浮動通道設(shè)計(jì)，支持直接驅(qū)動600V高邊N溝道MOSFET/IGBT，無需額外隔離電源
2025-08-08 08:46:25
?！ 〔粌H如此，羅姆正在不斷提高驅(qū)動這些功率元器件的IC的耐壓性能。以往耐壓數(shù)十伏的羅姆IC,如今耐壓性能已經(jīng)提高到600V,可驅(qū)動各種耐壓水平的功率元器件。 對于需要絕緣的整機(jī)產(chǎn)品，可使用2012年5月
2018-09-26 09:44:59
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
的數(shù)值，則可以
降低總
功率損耗。如果相電流很高，就會提高柵極驅(qū)動電壓，以便
降低RDS（on）和導(dǎo)通
損耗。IR的CHIL?數(shù)字控制技術(shù)讓我們能夠針對MOSFET、相位數(shù)量和每個相位的電流水平來優(yōu)化這些參數(shù)，從而利用服務(wù)器VR解決方案實(shí)現(xiàn)最大效率增益?！ ?/div>
2018-11-29 17:00:15
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
請問一下各位高手，如何去降低電機(jī)的功率！在不改動負(fù)載、電壓的條件下！可以加個元器件什么的！
2014-12-17 12:03:29
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
近年來，功率半導(dǎo)體廠商致力于提高器件的開關(guān)速度，這帶來了開關(guān)損耗降低和系統(tǒng)能效提升的益處。這些功率器件需要優(yōu)化的直流電路寄生電感（L?）。為了滿足具有大電流的高功率應(yīng)用的需求，推出了一種全新的芯片
2018-12-07 10:16:11
1、摘要通帶插入損耗是無源射頻器件（如濾波器，發(fā)射合路器，電纜）的重要指標(biāo)。而用常見的單臺功率計(jì)輸入輸出測試法卻不能獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。本文解釋了產(chǎn)生誤差的原因，并描述了一種在工程中極為實(shí)用的雙功率計(jì)
2019-06-10 07:53:22
國際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì)，配有高端和低端驅(qū)動器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
電機(jī)控制
銳駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術(shù)，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）， 配合先進(jìn)的封裝技術(shù)
2024-09-23 17:07:50
問下雙向可控硅的最大功率怎么看？ 比如BT134-600 的最大電壓是600V 電流是4A，那最大功率是600*4=2400W咯？
2019-07-05 16:28:57
在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器等高功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)中，你是否也在高壓驅(qū)動的門檻前反復(fù)權(quán)衡？
如果你的電路需要在最高600V的母線電壓下工作，驅(qū)動大功率MOSFET或IGBT，什么樣的門極驅(qū)動器才能在高頻開關(guān)
2025-12-03 08:25:35
超高效率600V H系列整流器擴(kuò)展硅二極管性能
為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn)， Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed新款600V功率因數(shù)校正器（PFC
2009-12-31 10:03:111237 適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新
功率轉(zhuǎn)換
器件
英飛凌科技股份公司近日
推出適用于節(jié)能家用電器
電機(jī)驅(qū)動裝置的
功率轉(zhuǎn)換
器件系列。全新的
600V RC IGBT驅(qū)動系列（RC指逆向?qū)?/div>
2010-01-23 08:37:071431 英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列（RC指
2010-01-25 08:44:191090 600V MOSFET繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181434 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場領(lǐng)先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:342107 IR推出汽車驅(qū)動應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車電機(jī)驅(qū)動、微型逆變器驅(qū)動和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411787 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:431012 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13950 羅姆開發(fā)了采用SiC
功率元件的
功率模塊，額定電壓和電流分別為
600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因?yàn)椴捎昧藴?/div>
2011-10-12 09:48:461712 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC，適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211990 美國Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險企業(yè)，因美國谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:442262 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:533853 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR）近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用而優(yōu)化，包括空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用等。
2014-12-11 11:48:093378 
基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場效應(yīng)晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。
2016-05-05 14:41:391153 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:112189 商業(yè)化正處于起步階段，F(xiàn)S技術(shù)更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于發(fā)達(dá)國家。本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計(jì)與制造方法，并通過
2019-12-19 17:59:00
25 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 以IMD112T iMOTION? Driver， iMOTION?智能驅(qū)動器——帶功率器件驅(qū)動的電機(jī)控制器為核心的吊扇方案，功率器件：PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ，逆變器采用3A 600V逆導(dǎo)型IGBT。
2022-06-15 10:06:162179 外殼的設(shè)計(jì)很重要。第三種可能是提高操作溫度。高溫路線圖要求器件在 175°C 下運(yùn)行，將來甚至在 200°C 下運(yùn)行。 對于第一個方面，降低損耗，我們需要轉(zhuǎn)向基于碳化硅和氮化鎵的功率器件。對于 EV 應(yīng)用，我們將討論 600 至 1,200 V 范圍
2022-08-03 10:16:551271 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:112026 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（下稱“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件——TPD2015FN高邊開關(guān)（8通道）和TPD2017FN低邊開關(guān)（8通道），用于控制電機(jī)、螺線管、燈具和工業(yè)設(shè)備可編程邏輯
2023-02-08 13:22:37705 關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時，警報(bào)輸出（...
2023-02-08 13:43:211572 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:212074 中國上海，2023年2月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制電機(jī)、螺線管、燈具和其他應(yīng)用（如工業(yè)
2023-02-09 15:30:00497 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布，推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制電機(jī)、螺線管、燈具和其他應(yīng)用(如工業(yè)設(shè)備的可編程邏輯控制器)中使
2023-02-12 09:37:421691 PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動IC，在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中，用于控制功率器件，如MOS晶體管或IGBT。
2023-02-24 18:13:333035 優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路，而
2023-03-06 11:56:27709 有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET *1
2023-04-19 17:50:021093 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30802 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無刷電動機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:341611 表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)驅(qū)動電路板的尺寸
2023-08-28 09:40:39753 
抑制功率衰減 [1] ，適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現(xiàn)高速信號傳輸?shù)陌雽?dǎo)體測試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經(jīng)過優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信
2023-10-17 23:10:021222 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:541530 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等
2023-10-27 11:13:001295 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:011859 Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計(jì)算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價比，在全球范圍內(nèi)樹立了高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用自動扭矩降低步進(jìn)電機(jī)系統(tǒng)的功率損耗.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-09 09:45:060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于600V GaN功率級的QFN12x12封裝的熱性能.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-21 10:18:060 新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級中提供15A、20A和30A三個型號，額定功率高達(dá)
2025-04-01 17:34:231257 
功率器件是管理和降低各種電子設(shè)備電能功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比，碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗，因此碳化硅（SiC）被廣泛視為下一代功率器件的材料。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備小型化
2025-05-16 15:41:40372 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 揚(yáng)杰科技近日推出了一款TO-220AB-1 600V 小功率可控硅產(chǎn)品。 核心優(yōu)勢： 1.低導(dǎo)通壓降（VTM ：減少功率損耗，提高能效，降低溫升
2025-06-04 12:05:4446250 
日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可在增強(qiáng)溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]的同時，顯著降低其因?qū)娮鑋1]而產(chǎn)生的損耗
2025-06-20 14:18:50957 
包括PSS30SF1F6（額定電流30A / 額定電壓600V）和PSS50SF1F6（額定電流50A / 額定電壓600V）。
2025-09-24 10:39:48916 
終止（TrenchFSII）技術(shù)的600V、7AIGBT。該器件集低損耗、高開關(guān)頻率與良好的溫度穩(wěn)定性于一身，為各類中功率變頻與能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了優(yōu)質(zhì)解決方案。核
2025-12-25 16:57:49713 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論