微處理器設(shè)計(jì)公司ARM與臺(tái)積電今天共同宣布，首個(gè)采用臺(tái)積電下下代16nm工藝制程FinFET技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A57處理器已成功流片。Cortex-A57處理器為ARM旗下性能最高的處理器。
2013-04-03 09:05:05
1484 移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和FPGA等諸多應(yīng)用領(lǐng)域。此次合作非常深入，開(kāi)始于工藝制造的早期階段，貫穿于設(shè)計(jì)分析至設(shè)計(jì)簽收，全面有效解決FinFETs設(shè)計(jì)存在的問(wèn)題，從而交付能實(shí)現(xiàn)超低功耗、超高性能芯片的設(shè)計(jì)方案。
2013-04-09 11:00:051123 面對(duì)Altera采用英特爾（Intel）14納米三門(mén)極電晶體（Tri-gate Transistor）制程，并將于2016年量產(chǎn)14納米FPGA的攻勢(shì)，賽靈思于日前發(fā)動(dòng)反擊，將攜手臺(tái)積電采用16納米FinFET制程，搶先于2014年推出新一代FPGA。
2013-05-31 09:29:541467 Cadence系統(tǒng)芯片開(kāi)發(fā)工具已經(jīng)通過(guò)臺(tái)積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計(jì)參考手冊(cè)第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶(hù)現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢(shì)。
2013-06-06 09:26:451651 由于FPGA兩大領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者Xilinx與Altera不斷在先進(jìn)制程領(lǐng)域中激烈競(jìng)爭(zhēng)，也使得Xilinx已經(jīng)前進(jìn)到16nm FinFET，委由臺(tái)積電進(jìn)行代工，而Altera則是破天荒找上英特爾，以14nm三閘極電晶體進(jìn)行生產(chǎn)。但在當(dāng)時(shí)，市場(chǎng)僅僅了解的是產(chǎn)品制程，但對(duì)于產(chǎn)品本身的架構(gòu)卻是一無(wú)所知。
2013-10-31 09:43:093517 臺(tái)積電昨日宣布其將在未來(lái)一年內(nèi)調(diào)用至少100億美元的經(jīng)費(fèi)來(lái)增加在16nm FinFET芯片的工業(yè)生產(chǎn)。旨在進(jìn)一步提升其在FinFET技術(shù)上的領(lǐng)先地位。
2014-10-17 16:33:391161 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱(chēng)16FF+）工藝已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱(chēng)可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582650 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其與臺(tái)積公司（ TSMC）已經(jīng)就7nm工藝和3D IC技術(shù)開(kāi)展合作，共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。
2015-05-29 09:09:492086 臺(tái)積電第三代16納米FinFET制程從第4季起，大量對(duì)客戶(hù)投石問(wèn)路，這也是臺(tái)積電口中的低價(jià)版本，隨著攻耗和效能的改善，以及價(jià)格的修正，臺(tái)積電可望在2016年全面提升FinFET制程市占率。
2015-10-16 07:47:031072 安謀（ARM）與臺(tái)積電共同宣布一項(xiàng)為期多年的協(xié)議，針對(duì)7奈米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作，包括支援未來(lái)低功耗、高效能運(yùn)算系統(tǒng)單晶片（SoC）的設(shè)計(jì)解決方案。 這項(xiàng)協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎(chǔ)實(shí)體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。
2016-03-17 08:32:13927 后來(lái)進(jìn)入10nm級(jí)，Intel在制程工藝層面一騎絕塵，領(lǐng)先三星和臺(tái)積電一代以上。不過(guò)，Intel 14nm FinFET大量都是用在自家生意上，畢竟作為芯片一哥，需求量驚人，另外就是為FPGA伙伴代工了。
2016-07-15 10:24:041155 著稱(chēng)，三星為了趕超臺(tái)積電選擇直接跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET工藝，臺(tái)積電雖然首先開(kāi)發(fā)出16nm工藝不過(guò)由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進(jìn)行改進(jìn)引入FinFET工藝，就此三星成功實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。
2017-03-02 01:04:492107 16nm節(jié)點(diǎn)上，X公司繼續(xù)選擇臺(tái)積電。X公司和臺(tái)積電共同宣布聯(lián)手推動(dòng)一項(xiàng)賽靈思稱(chēng)之為“FinFast”的專(zhuān)項(xiàng)計(jì)劃，采用臺(tái)積電先進(jìn)的 16FinFET工藝打造擁有最快上市、最高性能優(yōu)勢(shì)的FPGA器件
2013-08-22 14:46:48
FPGA器件售價(jià)不到10美元(在與門(mén)陣列產(chǎn)品相當(dāng)?shù)呐繒r(shí))?！ ?b class="flag-6" style="color: red">性能和功耗 與傳統(tǒng)數(shù)據(jù)處理方法不同,DSP采用了高度流水線(xiàn)化的并行操作。而FPGA結(jié)構(gòu)則可以做得更好,達(dá)到更高的性能。FPGA具有
2011-02-17 11:21:37
增強(qiáng)；同時(shí)也極大地減少了漏電流的產(chǎn)生，這樣就可以和以前一樣繼續(xù)進(jìn)一步減小Gate寬度。目前三星和臺(tái)積電在其14/16nm這一代工藝都開(kāi)始采用FinFET技術(shù)。圖6：Intel（左：22nm）和Samsung（右：14nm）Fin鰭型結(jié)構(gòu)注：圖3、圖6的圖片來(lái)于網(wǎng)絡(luò)。
2017-01-06 14:46:20
有沒(méi)有擴(kuò)展UltraScale產(chǎn)品系列的計(jì)劃？ 除了采用臺(tái)積電公司（TSMC）20nm SoC工藝技術(shù)構(gòu)建的Kintex和Virtex UltraScale器件之外，賽靈思還將推出采用臺(tái)積電16
2013-12-17 11:18:00
臺(tái)積電0.18工藝電源電壓分別是多少？是1.8v跟3.3v嗎？
2021-06-25 06:32:37
臺(tái)積電正在大量生產(chǎn)用于蘋(píng)果iPhone8手機(jī)的10nm A11處理器。消息稱(chēng)，蘋(píng)果可能在下個(gè)月初正式發(fā)布iPhone 8，但是具體發(fā)貨日期仍然不確定。 據(jù)悉，臺(tái)積電已經(jīng)采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
產(chǎn)電源管理芯片。高通將使用臺(tái)積電的BCD工藝(Bipolar-CMOS-DMOS)來(lái)生產(chǎn)其新一代電源管理芯片，并將臺(tái)積電作為其電源管理芯片的主要代工合作伙伴。臺(tái)積電將于2017年底開(kāi)始小批量生產(chǎn)高
2017-09-27 09:13:24
各類(lèi)常用工藝庫(kù)臺(tái)積電，中芯國(guó)際，華潤(rùn)上華
2015-12-17 19:52:34
用高性能的FPGA器件設(shè)計(jì)符合自己需要的DDS電路有什么好的解決辦法嗎？
2021-04-08 06:23:09
的必經(jīng)前提步驟，而先進(jìn)的制成工藝可以更好的提高中央處理器的性能，并降低處理器的功耗，另外還可以節(jié)省處理器的生產(chǎn)成本?！ 靶酒T(mén)”讓臺(tái)積電備受矚目 2015年12月份由臺(tái)積電舉辦的第十五屆供應(yīng)鏈管理論
2016-01-25 09:38:11
【來(lái)源】：《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05
臺(tái)積電是全球最大的芯片代工廠(chǎng)，其日前稱(chēng)，它將從2010 年年初開(kāi)始采用高級(jí)的28納米技術(shù)，主要用于生產(chǎn)高性能技術(shù)設(shè)備中使用的芯片。在競(jìng)爭(zhēng)非常激烈的代工市場(chǎng)，臺(tái)積電和臺(tái)
2009-11-25 11:55:56
38 臺(tái)積電率先量產(chǎn)40納米工藝
臺(tái)積電公司日前表示，40納米泛用型（40G）及40納米低耗電（40LP）工藝正式進(jìn)入量產(chǎn)，成為專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域唯一量產(chǎn)40納米工藝的公司
2008-11-22 18:27:071112 傳臺(tái)積電取消32nm工藝
據(jù)稱(chēng)，全球第一大半導(dǎo)體代工廠(chǎng)臺(tái)積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。
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2009-11-27 18:00:09766 臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶(hù)賽靈思合作28納米產(chǎn)品
外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶(hù)賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺(tái)積電展開(kāi)28納米制程合作；臺(tái)積電28納米已確定取得富
2010-01-19 15:59:551290 知名芯片設(shè)計(jì)廠(chǎng)商ARM公司日前與臺(tái)積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，雙方將就使用臺(tái)積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器產(chǎn)品方面進(jìn)行合作。
2012-07-24 13:52:571172 ARM與臺(tái)積電宣布簽署一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對(duì)象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來(lái)研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)方法。
2012-08-12 10:04:001155 臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米（nm）已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體（FinFET）技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸（450mm）晶圓
2012-09-07 09:05:21984 臺(tái)積電在10月16日的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來(lái)測(cè)試16nmFinFET制程
2012-10-23 09:18:541087 節(jié)能微控器和無(wú)線(xiàn)射頻供應(yīng)商Energy Micro宣布其一直與臺(tái)積電緊密合作來(lái)驗(yàn)證臺(tái)積電的eLL（超低漏電流工藝）技術(shù)給其新一代的低功耗Cortex-M 微控制器帶來(lái)的好處。和臺(tái)積電的密切配合，使Energy Micro可以很早接觸這一最新的工業(yè)技術(shù)，從而進(jìn)一步增強(qiáng)其MCU產(chǎn)品性能。
2013-05-24 11:44:011277 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）。
2014-05-21 09:44:543157 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫(kù)特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221955 美國(guó)加州圣何塞（2014年9月26日）－全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布，其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過(guò)臺(tái)積電公司16FF+制程的V0.9
2014-10-08 19:10:45895 美國(guó)加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:221242 2016年5月19日，北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司（TSMC）10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50926 ? UltraScale+? FPGA 面向首批客戶(hù)開(kāi)始發(fā)貨，這是業(yè)界首款采用臺(tái)積公司(TSMC) 16FF+ 工藝制造的高端 FinFET FPGA。賽靈思在 UltraScale+ 產(chǎn)品系列與設(shè)計(jì)工具上一直
2017-02-08 18:03:19459 企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）今天宣布其與臺(tái)積公司（ TSMC）已經(jīng)就7nm工藝和3D IC技術(shù)開(kāi)展合作，共同打造其下一代All Programmable
2017-02-09 03:48:04400 作者：Mike Santarini 賽靈思公司賽靈思雜志發(fā)行人 mike.santarini@xilinx.com 臺(tái)積公司的16nm FinFET工藝與賽靈思最新UltraRAM
2017-02-09 06:28:122132 
2015年，基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，FPGA也正式步入FinFET 3D晶體管時(shí)代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創(chuàng)下業(yè)界第一，開(kāi)啟了FinFET FPGA的新時(shí)代。
2019-10-06 11:57:003784 Chipworks制程分析室的研究人員對(duì)使用臺(tái)積電28nm HPL制程工藝（基于gatelast HKMG技術(shù)）制作的賽靈思Kintex-7 FPGA芯片進(jìn)行了工藝 解剖，這是分析報(bào)告。
2017-02-11 06:39:113757 小米很有可能會(huì)推出搭載澎湃S2的新機(jī)，澎湃S2采用臺(tái)積電16nm工藝是沒(méi)有太大的懸念，相對(duì)澎湃S1較為落后的28nm在功耗上有顯著優(yōu)勢(shì)，但和旗艦級(jí)的10nm工藝相比還是有一定差距。
2017-10-14 12:01:003057 臺(tái)積電南京工廠(chǎng)將會(huì)在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺(tái)積電會(huì)引進(jìn)16nm FinFET制造工藝，僅次于10nm FinFET，并在南京設(shè)立一個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)中心來(lái)吸引客戶(hù)訂單。
2017-12-10 09:30:461300 據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電7 納米工藝已經(jīng)獲得50 多家客戶(hù)的訂單，比特大陸也也是臺(tái)積電重大大陸客戶(hù)。此外，海思在 10 納米制程芯片方面也與臺(tái)積電積極合作，同時(shí)高通下一代驍龍 855 處理器平臺(tái)也將采用臺(tái)積電 7 納米工藝。
2018-01-24 11:26:471664 強(qiáng)力證明了雙方深入合作的成果，同時(shí)也展現(xiàn)了臺(tái)積電堅(jiān)持提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)的承諾，以滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)下一世代高效能及具節(jié)能效益產(chǎn)品之與日俱增的需求。 臺(tái)積電的16FinFET工藝能夠顯著改善速度與功率，并且降低漏電流，有效克服先進(jìn)系統(tǒng)單芯片技術(shù)微縮時(shí)所產(chǎn)生的關(guān)鍵障礙。相
2018-02-17 15:12:30979 2018年蘋(píng)果手機(jī)搭載的A12芯片將采用后者7nm工藝，據(jù)悉，這是全球首發(fā)的7nm芯片，蘋(píng)果這一出手讓高通和三星汗顏，而蘋(píng)果此次合作的代工廠(chǎng)是臺(tái)積電，由此可見(jiàn)，臺(tái)積電在制造工藝上也很成熟了。
2018-04-24 16:15:275419 5月23日早間消息，聯(lián)發(fā)科宣布推出中端芯片Helio P22。Helio P22采用臺(tái)積電12nm FinFET工藝打造，CPU設(shè)計(jì)為8核A53，最高主頻2．0GHz。GPU采用PowerVR
2018-05-23 14:03:002955 臺(tái)積電似乎以更穩(wěn)妥的方式發(fā)展先進(jìn)制造工藝，其20nm工藝性能表現(xiàn)不良導(dǎo)致高通的驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題，在推進(jìn)16nm工藝上選擇了更穩(wěn)健的方式即是先在2014年研發(fā)16nm工藝再在2015年三季度引入
2018-05-25 14:36:313763 梁孟松是臺(tái)積電前研發(fā)處長(zhǎng)，是臺(tái)積電FinFET工藝的技術(shù)負(fù)責(zé)人，而FinFET工藝是芯片制造工藝從28nm往20nm工藝以下演進(jìn)的關(guān)鍵，2014年臺(tái)積電研發(fā)出16nm工藝之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133927 賽靈思（Xilinx）昨（1）日宣布，旗下采用臺(tái)積電最新16納米制程的最新可編程邏輯芯片（FPGA）VirtexUltraScale+正式出貨首家客戶(hù)采用，并將元件或主機(jī)板出貨給超過(guò)60家客戶(hù)。
2018-11-08 09:41:331032 在本視頻中，了解Xilinx采用高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）和CCIX技術(shù)的16nm Virtex UltraScale + FPGA的功能和存儲(chǔ)器帶寬。
2018-11-27 06:20:004617 2019-08-27 14:10:477087 
舉個(gè)例子，臺(tái)積電一貫以來(lái)在研發(fā)先進(jìn)工藝上出了名保守。在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)
2019-09-04 11:45:584703 才與臺(tái)積電進(jìn)行專(zhuān)利訴訟官司和解，并簽訂10年交互授權(quán)協(xié)議的晶圓代工大廠(chǎng)格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設(shè)計(jì)廠(chǎng)SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器（HBM2E）運(yùn)用于格芯最近宣布
2019-11-06 15:59:553626 高通最新發(fā)布的驍龍865采用臺(tái)積電的7納米制程工藝，準(zhǔn)確地說(shuō)是臺(tái)積電第二代7nm FinFET或被稱(chēng)為N7P，而驍龍765/765G則是采用三星的7nm EUV工藝，
2019-12-06 11:30:463724 關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》（DigiTimes）1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，中國(guó)大陸芯片代工廠(chǎng)商中芯國(guó)際擊敗臺(tái)積電，奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:016361 集微網(wǎng)消息，近日，臺(tái)積電再拿下華為大單，據(jù)了解，華為麒麟820將采用臺(tái)積電7nm制程工藝。
2020-03-31 16:18:513298 近日，臺(tái)積電再拿下華為大單，據(jù)了解，華為麒麟820將采用臺(tái)積電7nm制程工藝。
2020-04-01 15:38:294201 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過(guò)其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:233682 臺(tái)積電的2nm工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱(chēng)為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前FinFET設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。
2020-09-25 09:27:142407 他們未來(lái)的3nm工廠(chǎng)，預(yù)計(jì)2022年下半年臺(tái)積電3nm工藝就會(huì)投產(chǎn)。 當(dāng)然隨著半導(dǎo)體工藝的逐漸發(fā)展，工藝的升級(jí)也逐漸困難，所需的投入也越來(lái)越大，報(bào)團(tuán)合作也越來(lái)越多，臺(tái)積電拉了Google和AMD過(guò)來(lái)合作。 臺(tái)積電正在和Google合作，以推動(dòng)3D芯片制
2020-11-30 15:50:101146 眾所周知，臺(tái)積電的2nm工藝將采用差分晶體管設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)被稱(chēng)為多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管，它是對(duì)先前FinFET設(shè)計(jì)的補(bǔ)充。
2020-09-26 10:31:121733 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片代工商臺(tái)積電的 5nm 工藝，在今年一季度就已大規(guī)模投產(chǎn)，蘋(píng)果 iPhone 12 系列智能手機(jī)搭載的 A14 處理器，就是由臺(tái)積電采用 5nm 工藝代工的，這一工藝在今年三季度
2020-11-06 16:19:022235 半年大規(guī)模投產(chǎn)。 在 2nm 工藝方面，外媒稱(chēng)臺(tái)積電在去年就已組建了研發(fā)團(tuán)隊(duì)，確定了 2nm 工藝的研發(fā)路線(xiàn)。 供應(yīng)鏈的消息人士此前透露，臺(tái)積電的 2nm 工藝將采用多橋通道場(chǎng)效晶體管 （MBCFET）架構(gòu)，這一架構(gòu)有助于克服鰭式場(chǎng)效晶體管 （FinFET）架構(gòu)因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理
2020-11-17 17:34:021961 目前 iPhone 12 型號(hào)中所使用的 A14 Bionic 是智能手機(jī)行業(yè)內(nèi)首款基于 5nm 生產(chǎn)工藝的芯片。不過(guò)報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果和臺(tái)積電還將朝著更小的節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。研究公司 TrendForce 今天
2020-11-19 15:32:123319 臺(tái)灣研究公司 TrendForce 今天報(bào)道，蘋(píng)果計(jì)劃在 2021 年 iPhone 中將臺(tái)積電的下一代 5nm + 工藝用于 A15 芯片。臺(tái)積電的網(wǎng)站顯示，5nm + 工藝（被稱(chēng)為 N5P）是其 5nm 工藝的“性能增強(qiáng)版本”，它將提供額外的功率效率和性能改進(jìn)。
2020-11-30 15:19:002323 
12 月 7 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，5nm 是芯片代工商臺(tái)積電目前最先進(jìn)的制程工藝，蘋(píng)果 iPhone 12 系列所搭載的 A14 處理器，就是由臺(tái)積電采用 5nm 工藝制造。 雖然臺(tái)積電的制程
2020-12-07 18:08:152563 隨著先進(jìn)制程的研發(fā)難度加大，相關(guān)企業(yè)的研發(fā)經(jīng)費(fèi)也是節(jié)節(jié)攀升，半導(dǎo)體行業(yè)中的領(lǐng)頭羊臺(tái)積電去年就指出了超過(guò)170億美元的研發(fā)經(jīng)費(fèi)，而在剛剛到來(lái)的2021年中，臺(tái)積電更是做好了支出200億美元打造3nm成熟工藝的決定。
2021-01-05 11:19:382453 1月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在蘋(píng)果轉(zhuǎn)向5nm，華為無(wú)法繼續(xù)采用臺(tái)積電的先進(jìn)工藝代工芯片之后，臺(tái)積電7nm的產(chǎn)能，也就有了給予其他廠(chǎng)商更多的可能，去年下半年AMD獲得的產(chǎn)能就明顯增加，AMD在去年下半年也成為了臺(tái)積電7nm工藝的第一大客戶(hù)。
2021-01-15 10:55:082668 積電的第二大客戶(hù)，兩者從2014年的16nm工藝開(kāi)始合作，2014年的16nm工藝表現(xiàn)不佳，性能參數(shù)甚至不如20nm工藝，但是華為海思堅(jiān)持采用，那時(shí)候16nm工藝僅有華為海思和另一家客戶(hù)，由此結(jié)成了緊密合作關(guān)系，此后雙方共同研發(fā)先進(jìn)工藝，而華為則會(huì)率先采用后者的先進(jìn)
2021-01-15 11:01:232182 1 月 15 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在蘋(píng)果轉(zhuǎn)向 5nm，華為無(wú)法繼續(xù)采用臺(tái)積電的先進(jìn)工藝代工芯片之后，臺(tái)積電 7nm 的產(chǎn)能，也就有了給予其他廠(chǎng)商更多的可能，去年下半年 AMD 獲得的產(chǎn)能
2021-01-15 11:27:283373 2月24日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在先進(jìn)芯片制程工藝方面，三星電子雖然要晚于臺(tái)積電推出，但也是基本能跟上臺(tái)積電節(jié)奏廠(chǎng)商，并未落下很長(zhǎng)時(shí)間。 在三星電子的先進(jìn)芯片制程工藝方面，高通是長(zhǎng)期采用的廠(chǎng)商，他們
2021-02-24 17:29:284161 高通在去年12月帶來(lái)了史上最強(qiáng)的驍龍888芯片，采用三系的5nm制程工藝，帶來(lái)了前所有的強(qiáng)大性能。 但根據(jù)最新消息，高通內(nèi)部正在開(kāi)發(fā)一款更加強(qiáng)大的驍龍新品，其將與臺(tái)積電攜手打造，采用臺(tái)積電的4nm
2021-02-25 13:37:462500 消息稱(chēng)，臺(tái)積電也在研發(fā)3nm工藝，可惜新工藝仍將采用FinFET立體晶體管技術(shù)，與5nm工藝相比，晶體管密度將提高
2021-03-15 14:15:421889 的N4P及N3工藝要到明年才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，而目臺(tái)積電的N4工藝和N5P工藝相比不具備顯著優(yōu)勢(shì)，，與其花費(fèi)精力去采用N4工藝，不如再等一段時(shí)間直接在A16的下一代處理器上搭載最新工藝，故而蘋(píng)果的A16處理器仍將使用5nm工藝。 雖然這次的A16還是采用的
2022-05-30 16:29:012600 今日，臺(tái)積電在其舉辦的技術(shù)論壇會(huì)中展示了2nm（N2）工藝以及其它的一些先進(jìn)制程。 在大會(huì)上，臺(tái)積電展示了N3工藝最新的FINFLEX技術(shù)，該技術(shù)擴(kuò)展了采用3nm制程產(chǎn)品的性能、功率等，能夠讓芯片
2022-06-17 16:13:256050 臺(tái)積電即將推出下一代先進(jìn)工藝制程2nm芯片，臺(tái)積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。
2022-06-27 18:03:472075 的3nm工藝，性能將進(jìn)一步得到提高，為了獲得更多的3nm工藝產(chǎn)能，蘋(píng)果也在繼續(xù)加強(qiáng)與臺(tái)積電的合作。 如果M2 Pro和M3芯片真的會(huì)采用3nm工藝的話(huà)，那么后續(xù)的M2 Max、M2 Ultra等芯片也
2022-06-29 16:34:043229 Ansys憑借實(shí)現(xiàn)靈活的功耗/性能權(quán)衡，通過(guò)臺(tái)積電N3E工藝技術(shù)創(chuàng)新型FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證?? 主要亮點(diǎn) Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺(tái)榮獲臺(tái)積電N3E
2022-11-17 15:31:571498 sloped fin walls ）的 22 納米發(fā)展到今天更加垂直的壁（vertical walls）和臺(tái)積電為其 5 納米工藝實(shí)施的高遷移率溝道 FinFET。
2023-01-04 15:49:232428 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱，優(yōu)化至關(guān)重要。
2023-01-04 15:54:513687 臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專(zhuān)案，目的在于培育未來(lái)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 11:21:01950 臺(tái)積電宣布推出大學(xué)FinFET專(zhuān)案，目的在于培育未來(lái)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-04-23 09:29:036009 。Cadence 和臺(tái)積電早已達(dá)成了長(zhǎng)期合作，而利用這個(gè)最新成果，雙方的共同客戶(hù)可以使用完整的 N16 工藝 79GHz 毫米波設(shè)計(jì)參考流程來(lái)開(kāi)發(fā)優(yōu)化的、更可靠性的下一代 RFIC 設(shè)計(jì)，用于移動(dòng)、汽車(chē)、醫(yī)療保健
2023-05-09 15:04:432317 臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)管理部負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示：“臺(tái)積電始終與我們的Open Innovation Platform（OIP）生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴密切合作，臺(tái)積電最先進(jìn)的N2工藝全套設(shè)計(jì)解決方案
2023-05-12 11:33:331588 
的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車(chē)MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車(chē)處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車(chē)嵌入式MRAM（磁隨機(jī)存儲(chǔ)器）。在向軟件定義汽車(chē)（SDV）的過(guò)渡中，汽車(chē)廠(chǎng)商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:021289 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為新時(shí)代高性能航天級(jí)Xilinx FPGA供電.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 11:24:360 、2025年量產(chǎn)。此外臺(tái)積電日本工廠(chǎng)有望2024年底開(kāi)始量產(chǎn)，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州工廠(chǎng)計(jì)劃2025年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。 而對(duì)于臺(tái)積電3nm工藝的芯片，大家關(guān)注最多的是蘋(píng)果 A17Pro。A17 Pro 采用了臺(tái)
2023-10-20 12:06:232227 據(jù)悉，JASM為臺(tái)積電、索尼及豐田旗下電裝公司的三方合資企業(yè)，主要負(fù)責(zé)經(jīng)營(yíng)日本熊本的芯片工廠(chǎng)。未來(lái)，工廠(chǎng)將采用22/28nm、12/16nm FinFET制程工藝，預(yù)估月產(chǎn)能高達(dá)5.5萬(wàn)片300mm晶圓。
2023-12-15 14:22:161076 在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺(tái)積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來(lái)構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕，也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個(gè)全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531328 臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州的Fab 21晶圓廠(chǎng)傳來(lái)重大進(jìn)展，據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，該廠(chǎng)已正式投產(chǎn)，首批產(chǎn)品為采用N4P先進(jìn)工藝的A16 SoC，專(zhuān)為蘋(píng)果iPhone 14 Pro系列打造。這一里程碑標(biāo)志著臺(tái)積電海外擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的重要成果，也展現(xiàn)了其在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的核心地位。
2024-09-19 17:24:521192 OpenAI正在與博通和臺(tái)積電兩大半導(dǎo)體巨頭攜手合作，共同打造其首款自主研發(fā)的“in-house”芯片，旨在為其人工智能系統(tǒng)提供更強(qiáng)大的算力支持。
2024-10-30 16:17:40841 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件與臺(tái)積電進(jìn)一步擴(kuò)大合作，基于臺(tái)積電的新工藝，推行多個(gè)新項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品認(rèn)證以及技術(shù)創(chuàng)新，結(jié)合西門(mén)子EDA 解決方案與臺(tái)積電業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的芯片工藝和先進(jìn)封裝技術(shù)，幫助雙方共同客戶(hù)打造
2024-11-27 11:20:32658 12 月 12 日消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 10 日宣布同臺(tái)積電就車(chē)載氮化鎵 GaN 功率器件的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 羅姆此前已于 2023 年采用臺(tái)積電
2024-12-12 18:43:321572 
近日，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛，臺(tái)積電計(jì)劃從2025年1月起，針對(duì)其3nm、5nm以及先進(jìn)的CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 具體而言，臺(tái)積電將對(duì)3nm和5nm
2024-12-31 14:40:591373 我們很高興展示基于臺(tái)積電成熟 N4 工藝打造的 Gen1 UCIe IP 的 16GT/s 眼圖。該 IP 一次流片成功且眼圖清晰開(kāi)闊，為尋求 Die-to-Die連接的客戶(hù)再添新選擇。
2025-08-25 16:48:051780 
一直以來(lái)持續(xù)在旗艦移動(dòng)平臺(tái)、運(yùn)算、車(chē)用、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用領(lǐng)域，共同打造兼具高性能與高能效的芯片組，而此次合作更象征著 MediaTek 與臺(tái)積公司堅(jiān)實(shí)伙伴關(guān)系的全新里程碑。
2025-09-16 16:40:31978
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