嵌入式閃存中，然而，嵌入式閃存的小型化已近乎突破極限，無(wú)法跟上CMOS邏輯的小型化。 據(jù)稱(chēng)嵌入式閃存的小型化極限是在CMOS邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)40nm至28nm上產(chǎn)生。嵌入式非易失性存儲(chǔ)器有望在28nm及更高版本的CMOS邏輯上扮演嵌入式閃存的角色。 嵌入式閃
2019-03-13 15:25:55
11452 聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門(mén)（300-million gate count）系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門(mén)SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達(dá)100MB，可為高級(jí)通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬，滿(mǎn)足高速而穩(wěn)定的傳輸需求，以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:091614 Altera公司與臺(tái)積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開(kāi)合作，Altera公司將采用臺(tái)積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車(chē)及工業(yè)等各類(lèi)市場(chǎng)的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:091246 三星電子近日宣布，正在開(kāi)發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測(cè)試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2013-05-23 09:05:162080 GlobalFoundries在7月份宣布量產(chǎn)14nm FinFET(LPE)，總算是邁入了1Xnm的大關(guān)。
2015-09-21 08:54:461048 MONOS工藝制造，不僅可以幫助嵌入式工程師增強(qiáng)系統(tǒng)的性能，降低成本，同時(shí)還可以提高電動(dòng)汽車(chē)控制系統(tǒng)的安全等級(jí)。該型號(hào)目前已可通過(guò)世強(qiáng)訂購(gòu)。
2015-10-13 18:18:121789 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會(huì)量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會(huì)在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過(guò)10nm節(jié)點(diǎn)，他們下一個(gè)高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171360 90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)力再度加強(qiáng)。 華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上，于
2017-12-27 17:59:3110769 許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼、配置參數(shù)和系統(tǒng)斷電時(shí)保留的其他數(shù)據(jù)。今天，閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中扮演著這一角色。鑒于需要閃存的應(yīng)用程序范圍很廣，因此有許多體系結(jié)構(gòu)和功能集可以滿(mǎn)足應(yīng)用程序的不同要求。
2022-12-01 13:45:082446 
瑞薩電子株式會(huì)社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋層上覆硅）工藝的新型嵌入式閃存低功耗技術(shù)，可提供1.5MB容量，是業(yè)界首款基于65nm SOTB技術(shù)的嵌入式2T-MONOS（雙晶體管-金屬氧化氮氧化硅）閃存.
2019-06-15 10:01:072534 提案正在荷蘭政府進(jìn)行審查。 ? 2. 28nm 改40nm ？印度要求鴻海Vedanta 合資晶圓廠(chǎng)重提申請(qǐng) ? 據(jù)報(bào)道，鴻海集團(tuán)
2023-06-30 11:08:591362 
日前，LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開(kāi)始向硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
對(duì)出現(xiàn)故障的器件進(jìn)行分析。另一方面，采用并列技術(shù)需要對(duì)定制壓焊墊進(jìn)行定位，以有效地在兩個(gè)芯片之間進(jìn)行綁定。絕大部分應(yīng)用所采用的首選方案均需要一個(gè)具有嵌入式閃存的標(biāo)準(zhǔn)微控制器，這種內(nèi)部綁定的應(yīng)用具有重大
2019-04-30 07:00:16
無(wú)法突破 90nm 以下節(jié)點(diǎn)，理由是存儲(chǔ)單元擴(kuò)展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)?？扇缃?b class="flag-6" style="color: red">嵌入式閃存已發(fā)展到 28nm 級(jí)，因此證明上述看法是錯(cuò)誤的。現(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時(shí)代。不過(guò)
2020-08-14 09:31:37
之外，具有高壓能力的嵌入式閃存技術(shù)的一個(gè)更大的優(yōu)勢(shì)在于元件的長(zhǎng)期供應(yīng)。例如，在汽車(chē)與工業(yè)應(yīng)用中，產(chǎn)品的壽命周期能達(dá)10年或更多。將閃存嵌入IC可以防止出現(xiàn)技術(shù)生命終結(jié)的風(fēng)險(xiǎn)，并且由于逐步淘汰當(dāng)前工藝而采用新的工藝，需要對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行定期檢驗(yàn)，這是采用分立式NVM或閃存微控制器時(shí)經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題。
2019-04-08 09:36:15
和實(shí)時(shí)系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開(kāi)發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時(shí)詳細(xì)說(shuō)明嵌入式系統(tǒng)和實(shí)時(shí)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-07-11 07:53:14
和實(shí)時(shí)系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開(kāi)發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時(shí)詳細(xì)說(shuō)明嵌入式系統(tǒng)和實(shí)時(shí)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-08-23 06:45:41
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2015-11-24 09:50:20
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2014-06-25 18:04:03
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2015-11-25 16:06:53
使用的65nm工藝升級(jí)到40nm，Cortex-A9高性能版本將在使用雙核心的 同時(shí)，把頻率拉高到2GHz以上，同時(shí)依然保持超低功耗，預(yù)計(jì)高性能Smartbook將是它的主要戰(zhàn)場(chǎng)。 低功耗版本方面，主要
2014-06-30 11:27:50
GD32E5高性能微控制器，采用臺(tái)積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和經(jīng)濟(jì)的開(kāi)發(fā)成本。推動(dòng)嵌入式開(kāi)發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展，解決數(shù)字電源
2021-12-16 08:13:14
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠(chǎng)，從第四季度開(kāi)始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
為何要進(jìn)行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計(jì)？如何進(jìn)行嵌入式軟件架構(gòu)設(shè)計(jì)？
2021-11-01 06:31:26
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級(jí)別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
基于全新Arm? Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺(tái)積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟(jì)
2021-11-04 08:38:32
如何使用 GDB 進(jìn)行嵌入式遠(yuǎn)程調(diào)試？
2021-12-24 07:01:07
如何對(duì)嵌入式應(yīng)用程序進(jìn)行調(diào)試
2021-12-24 07:36:55
嵌入式閃存技術(shù)認(rèn)知誤區(qū)
2021-01-12 06:30:12
怎樣在嵌入式A40i開(kāi)發(fā)板上配置sftp用于文件傳輸呢？請(qǐng)問(wèn)嵌入式A40i開(kāi)發(fā)板是如何控制LED閃爍的？
2021-12-27 07:21:34
【來(lái)源】：《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】：<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05
40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案，并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專(zhuān)業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持，銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度，半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)
Avago Technologies(安華高科技)日前宣布，已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23971 英飛凌、TSMC擴(kuò)大合作，攜手65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司近日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開(kāi)發(fā)
2009-11-10 09:02:382359 華虹NEC發(fā)布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案
上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”）不久前宣布，公司基于0.13微米嵌入式閃存（eFlash）工藝平臺(tái)，成功開(kāi)發(fā)出面
2010-01-12 08:43:281953 傳40nm制程代工廠(chǎng)良率普遍低于70%
據(jù)業(yè)者透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無(wú)法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551359 臺(tái)積電稱(chēng)其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問(wèn)題
據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示，臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:431259 賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA，已經(jīng)完全通過(guò)生產(chǎn)前的驗(yàn)
2010-01-26 08:49:171145 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:121155 華邦電子宣布將于年內(nèi)開(kāi)始40nm制程技術(shù)研發(fā)
華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開(kāi)始40nm制程工藝的開(kāi)發(fā)，不過(guò)華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)
2010-02-02 18:00:121059 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 恒憶創(chuàng)新多位配置串口NOR閃存加速嵌入式應(yīng)用性能
恒憶（Numonyx）在IIC深圳站宣布推出業(yè)界首款 65nm 多位輸入輸出(1 位、2 位和 4 位)SPI閃存系列產(chǎn)品－－Forté N25Q，該產(chǎn)
2010-03-08 10:15:061087 安華高和IBM合作嵌入式互連技術(shù)
Avago Technologies(安華高科技)宣布，推出同類(lèi)產(chǎn)品中速度最快、能源效率最高的
2010-03-25 17:18:23577 臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃：AMD下代顯卡40nm工藝＋混合架構(gòu)
AMD曾在多個(gè)場(chǎng)合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡，我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50903 SanDisk (NASDAQ: SNDK)今天宣布推出全新iNAND? Extreme?嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器(Embedded Flash Drive; EFD)系列;
2011-06-02 08:41:071630 燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司與中芯國(guó)際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。
2011-06-22 09:16:331743 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出首款面向芯片卡和安全應(yīng)用的65納米嵌入式閃存(eFlash)微控制器(MCU)樣品。這是英飛凌和臺(tái)積電(TSMC)于2009年開(kāi)始共同開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)65 納米
2011-11-19 00:13:18746 英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護(hù)應(yīng)用。
2011-11-30 10:07:061534 瑞薩電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車(chē)實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù)，針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠(chǎng)
2012-01-05 19:44:131116 意法·愛(ài)立信今天發(fā)布了業(yè)界首個(gè)采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺(tái)CG2905。這款開(kāi)創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度，推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)擴(kuò)增實(shí)境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:382705 8月14日消息，ARM和芯片工廠(chǎng)Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11877 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經(jīng)在14nm FinFET工藝開(kāi)發(fā)之路上取得又一個(gè)里程碑式的突破，與其設(shè)計(jì)、IP合作伙伴成功流片了多個(gè)開(kāi)發(fā)載具。
2012-12-24 09:28:241508 聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Spansion 4日共同宣布，將展開(kāi)40納米工藝研發(fā)合作,此份非專(zhuān)屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:341203 益華電腦宣布，晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認(rèn)證Cadence實(shí)體驗(yàn)證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類(lèi)比、數(shù)位與混合訊號(hào)設(shè)計(jì)實(shí)體signoff。同時(shí)
2014-03-25 09:33:501333 2014年11月14日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 （FSE： IFX / OTCQX： IFNNY） 今日宣布，基于ARM?內(nèi)核的嵌入式功率系列橋式驅(qū)動(dòng)器提供無(wú)以倫比的集成水平，以應(yīng)對(duì)智能電機(jī)控制在廣泛的汽車(chē)應(yīng)用中日益增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
2014-11-17 09:41:461849 Storage Technology（SST）與先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強(qiáng)化型（LPx）/RF平臺(tái)的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）產(chǎn)品已通過(guò)全面認(rèn)證并開(kāi)始投放市場(chǎng)。
2015-05-18 14:48:301713 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，正與 GLOBALFOUNDRIES 展開(kāi)合作，認(rèn)證 Mentor? RTL 到 GDS 平臺(tái)（包括 RealTime
2015-11-16 17:16:231434 SST全球市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Vipin Tiwari表示：“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技術(shù)與先進(jìn)130 nm BCDLite工藝節(jié)點(diǎn)的結(jié)合，開(kāi)辟了產(chǎn)品全新的應(yīng)用潛力，尤其是對(duì)于電源管理
2016-07-13 14:33:311931 全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠(chǎng)聯(lián)華電子公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“UMC”）于今日宣布，賽普拉斯由UMC代工的專(zhuān)有40nm嵌入式 電荷捕獲 （eCT?） 閃存微控制器（MCU），現(xiàn)已開(kāi)始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582708 作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國(guó)際（SMIC）的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）芯片，并稱(chēng)更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來(lái)。
2017-01-17 09:40:004521 目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片（非易失性阻變式存儲(chǔ)器）。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作，發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中，中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:554016 基于CCopt引擎的SMIC40nm低功耗工藝CortexA9的時(shí)鐘樹(shù)實(shí)現(xiàn),該文基于 SMIC 40nm 低功耗工藝的 ARM Cortex A9 物理設(shè)計(jì)的實(shí)際情況，詳細(xì)闡述了如何使用 cadence 最新的時(shí)鐘同步優(yōu)化技術(shù)，又稱(chēng)為 CCopt 技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一的時(shí)鐘樹(shù)綜合和物理優(yōu)化。
2017-09-28 09:08:517 近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461762 聯(lián)華電子宣布，推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶，在以往55納米單元尺寸減少20%以上，整體縮小了20～30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司賑災(zāi)評(píng)估這個(gè)微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:362880 的2G 、3G 和4G無(wú)線(xiàn)通信終端的核心芯片供應(yīng)商之一，今日宣布其首款集成了無(wú)線(xiàn)連接的手機(jī)基帶平臺(tái)-SC6531正式商用。展訊單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531集成了FM與藍(lán)牙，更高
2018-11-14 20:39:01983 ”）共同合作，集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）與控制器 （Controller）并應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm的工藝技術(shù)，推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:567748 ，SST的嵌入式SuperFlash?技術(shù)將應(yīng)用到SK hynix system ic的110納米（nm）CMOS平臺(tái)中，從而為設(shè)計(jì)人員提供具有成本效益的低功耗嵌入式閃存解決方案。
2018-12-13 15:43:381942 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:581073 華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-06-27 16:22:384416 繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開(kāi)發(fā)公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺(tái)積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場(chǎng)推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個(gè)重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗(yàn)證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:033501 再創(chuàng)全球晶圓代工廠(chǎng)90nm工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。
2019-06-28 09:25:2510149 江蘇華存發(fā)布了我國(guó)第一顆國(guó)研國(guó)造的嵌入式40納米工規(guī)級(jí)別存儲(chǔ)控制芯片及應(yīng)用存儲(chǔ)解決方案：HC5001，這意味著我國(guó)在中高階eMMC存儲(chǔ)領(lǐng)域有了第一顆“中國(guó)芯”，并實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2019-09-19 11:49:472263 瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布，雙方合作開(kāi)發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車(chē)與自動(dòng)駕駛汽車(chē)的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162684 據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282970 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:142975 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:563103 Objective Analysis總裁Jim Handy表示：“當(dāng)閃存置于主處理器之外時(shí)，保證嵌入式系統(tǒng)的安全性就變得尤為重要。針對(duì)閃存無(wú)法嵌入MCU的情況，英飛凌推出的安全閃存解決方案是一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的架構(gòu)。
2020-07-20 15:37:592327 在本系列的第 1 部分中，我們介紹了安全性在連接的嵌入式系統(tǒng)中的重要性，以及強(qiáng)制使用外部閃存的閃存的去集成。在本系列的第 2 部分中，我們介紹了下一代智能內(nèi)存安全閃存。在本系列的最后一部分中，我們將介紹與使用外部閃存的安全嵌入式系統(tǒng)相關(guān)的設(shè)計(jì)問(wèn)題。
2022-10-21 09:23:571288 
許多嵌入式系統(tǒng)利用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼、配置參數(shù)以及系統(tǒng)斷電時(shí)持續(xù)存在的其他數(shù)據(jù)。如今，閃存在大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)中都扮演著這一角色。鑒于需要閃存的應(yīng)用范圍很廣，有多種架構(gòu)和功能集可以滿(mǎn)足應(yīng)用的不同要求。
2022-10-24 11:55:001442 
IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:153 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561 IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260 IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241 IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122 ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷(xiāo)售廠(chǎng)商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其Ariel? SoC成功通過(guò)完整質(zhì)量可靠度驗(yàn)證，該IoT芯片基于聯(lián)電40納米超低功耗（40ULP）工藝并采用英飛凌SONOS eFlash嵌入式閃存技術(shù)。
2023-08-17 15:58:202048 Z20K11xN采用國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車(chē)規(guī) 40nm工藝，提供LQFP48，LQFP64以及LQFP100封裝，CPU主頻最大支持64MHz，支持2路帶64個(gè)郵箱的CAN-FD通訊接口，工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:084276 
全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布推出[1]業(yè)界首款[2]面向汽車(chē)應(yīng)用的通用閃存[3](UFS) 4.0版嵌入式閃存器件樣品。這些性能更高的新型器件封裝小巧
2024-01-31 18:19:001451 存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社宣布，該公司已開(kāi)始提供業(yè)界首款面向車(chē)載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
2024-02-22 16:21:511586 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布了將與中國(guó)第二大晶圓代工廠(chǎng)合作，計(jì)劃于2025年底在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU）.
2024-11-21 15:41:561482 11月21日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布與中國(guó)晶圓代工廠(chǎng)華虹半導(dǎo)體合作的新計(jì)劃 ，將與華虹合作在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的MCU！ 意法半導(dǎo)體表示，它正在與中國(guó)第二大定制芯片制造商華虹合作，到2025年底在
2024-11-26 01:05:001224 近日，歐洲芯片巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）宣布了一項(xiàng)與中國(guó)第二大晶圓代工廠(chǎng)華虹半導(dǎo)體合作的新計(jì)劃。雙方將攜手在中國(guó)生產(chǎn)40nm節(jié)點(diǎn)的微控制器（MCU），以助力ST實(shí)現(xiàn)中長(zhǎng)期的營(yíng)收目標(biāo)。
2024-12-03 12:42:151389 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過(guò)可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592248 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實(shí)現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲(chǔ)IP核已在國(guó)內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠(chǎng)經(jīng)過(guò)
2025-08-14 17:20:531312 生產(chǎn)40nm制程的MCU，以支撐其中長(zhǎng)期營(yíng)收目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)，這是意法半導(dǎo)體MCU業(yè)務(wù)經(jīng)歷了在中國(guó)市場(chǎng)的份額下滑后，做出了最新市場(chǎng)動(dòng)作。 ? 意法半導(dǎo)體強(qiáng)調(diào)，在中國(guó)當(dāng)?shù)赜兄圃炷芰Γ@對(duì)于維持該公司的電動(dòng)車(chē)芯片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力非常重要。意法半導(dǎo)體首席
2024-11-22 09:06:393636 
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