科高通一樣生產(chǎn)銷售手機(jī)芯片。據(jù)外媒最新消息，三星電子4月4日對外發(fā)布了多款手機(jī)5G芯片，作為5G商用的通信解決方案。該公司也表示芯片已經(jīng)開始投入量產(chǎn)。 據(jù)國外媒體報(bào)道，本周五，三星電子計(jì)劃配合韓國運(yùn)營商，在韓國發(fā)售全世界
2019-04-04 18:47:48
7085 1月7日消息，三星電子已開始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術(shù)的6nm（nm）半導(dǎo)體芯片。該公司自開始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來，僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級周期正在縮短
2020-01-07 12:03:104766 在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程競局, 三星電子(Samsung Electronics)，近期宣布32奈米制程TLC芯片量產(chǎn)，一舉領(lǐng)先目前停留在43奈米制程的東芝，至于英特爾(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片將于2009年底量產(chǎn)。
2011-01-26 22:22:052677 三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 三星官方宣布，已經(jīng)開始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 三星推出0.64?像素ISOCELL JN1目前，0.64?是三星量產(chǎn)的圖像傳感器中的最小像素尺寸。
2021-06-10 10:26:483109 
` 本帖最后由 lzr858585 于 2016-10-28 16:24 編輯
前幾天三星在推出專供國內(nèi)市場的GALAXY C9 Pro，現(xiàn)在又似乎準(zhǔn)備開始著手更新GALAXY A系列新品。今天
2016-10-28 16:05:54
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時(shí)還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達(dá)到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日報(bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通過適當(dāng)放寬線寬等
2025-04-18 10:52:53
三星電機(jī)與三星電子聯(lián)手成立任務(wù)編組團(tuán)隊(duì)投入研發(fā)，最近推出Galaxy Watch的應(yīng)用處理器(AP)，便是使用FO-PLP的技術(shù)。該AP是2018年6月開始量產(chǎn)，這個(gè)技術(shù)目前尚無其他案例，是否有其他
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
觀點(diǎn)：蘋果與三星這場“世紀(jì)專利大戰(zhàn)”的硝煙看似早已漸去，實(shí)際上這兩家公司在全球各地的法院展開的專利大戰(zhàn)還未了結(jié)，雙方又開始醞釀一場新的戰(zhàn)斗。而且，三星MAX3232EUE+T 推出新的平面廣告
2012-10-09 16:39:58
隨機(jī)存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開始進(jìn)入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三星公司表示：“就如同Nike一樣，廣告也將會根據(jù)產(chǎn)品所連接的生活方式而進(jìn)行改變?！薄 ∽罱?，三星高管已經(jīng)停止使用舊的名片，并接到通知讓其等到明年1月，或?qū)⒏某尚碌拿?。自去?b class="flag-6" style="color: red">開始，三星正在試圖將其
2012-11-05 16:22:13
GPIO前的準(zhǔn)備工作是什么？
2022-02-10 07:11:39
SPC58系列芯片的開發(fā)準(zhǔn)備工作因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">工作的需要，重新?lián)炱鹩布颓度胧介_發(fā)的工作。面對的是ST的SPC58NE芯片。準(zhǔn)備工作如下：
2021-12-23 07:33:09
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
跡可循。 在2002年開啟MRAM研發(fā)工作后，三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發(fā)，該技術(shù)后來被證明可以滿足高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)ψ詈笠患壘彺娴男阅芤?，被認(rèn)為是MRAM突破利基市場的利器
2023-03-21 15:03:00
利潤率。資料圖三星電子股價(jià)在周五開盤后不久旋即觸及274萬韓元的新高，因寄望內(nèi)存芯片需求日益增加，2017年獲利可望創(chuàng)紀(jì)錄。“內(nèi)存芯片已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)美麗新世界。供應(yīng)增加的速度已大大放慢，同時(shí)需求超出預(yù)期
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
，計(jì)劃將合作范圍自現(xiàn)行的液晶面板事業(yè)擴(kuò)大至事務(wù)機(jī)事業(yè)。據(jù)報(bào)導(dǎo)，夏普計(jì)劃以O(shè)EM的形式提供事務(wù)機(jī)給三星(即為三星代工生產(chǎn)掛上三星品牌的事務(wù)機(jī)產(chǎn)品)，且為加強(qiáng)彼此的合作關(guān)系，三星也可能對夏普進(jìn)行追加
2013-08-05 14:19:28
大量回收三星高通CPU回收三星高通CPU，收購三星高通CPU，深圳帝歐專業(yè)回收三星高通CPU，趙生：*** QQ：764029970//1816233102歡迎有貨來電。專業(yè)收購三星高通CPU，高價(jià)
2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因?yàn)槲业膽?yīng)用程序返回GATT錯(cuò)誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設(shè)置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
` 【PConline 資訊】12英寸的平板真的會推出么？前段時(shí)間業(yè)內(nèi)人士的預(yù)測引來無數(shù)猜想。近日，taiwan《Digitimes (電子時(shí)報(bào))》引述計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈消息稱，蘋果和三星均在計(jì)劃
2013-10-29 10:18:00
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
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2021-07-06 19:32:41
`請問高速PCB設(shè)計(jì)前期的準(zhǔn)備工作有哪些？`
2020-04-08 16:32:20
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:041005 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451726 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192 世界第一大智能手機(jī)生產(chǎn)商，三星也在進(jìn)行AI技術(shù)的探索，它們先是推出了語音助手Bixby，現(xiàn)在則開始從芯片著手了。
2017-09-26 08:43:05648 在去年三星電信設(shè)備營收得到了很大的漲幅，更是刺激了三星持續(xù)投入電信設(shè)備業(yè)務(wù)，三星一直將華為最為強(qiáng)勁的競爭對手，5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)剛好給三星提供機(jī)會，據(jù)悉，三星計(jì)劃將在2019年量產(chǎn)5G芯片。
2018-01-19 11:47:561048 集微網(wǎng)消息，據(jù)彭博援引韓國新聞網(wǎng)站The Bell消息，三星電子已和一家從事比特幣挖礦的企業(yè)簽訂協(xié)議，并從本月起開始生產(chǎn)用于比特幣挖礦的芯片。 該公司指出，三星在去年已經(jīng)完成用于比特幣挖礦所需
2018-02-21 14:01:00806 三星電子準(zhǔn)備調(diào)整鑄造技術(shù)藍(lán)圖，2019年下半年開始量產(chǎn)6納米芯片。按照原來的計(jì)劃，三星本打算在2019年試產(chǎn)6納米芯片。在7納米技術(shù)上，三星落后于臺積電，現(xiàn)在它想在6納米技術(shù)上加速前進(jìn)。
2018-03-14 16:41:425956 為實(shí)現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-all-around；GAA)電晶體。
2018-05-30 11:37:135440 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)業(yè)內(nèi)首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設(shè)備。據(jù)介紹，三星512GB eUFS采用了三個(gè)三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個(gè)控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 根據(jù)韓國媒體ET News于28日的報(bào)道，在明年初旗下首款可折疊智能手機(jī)上市之前，三星目前已在準(zhǔn)備對其使用的顯示屏進(jìn)行量產(chǎn)，而量產(chǎn)工作將在今年夏天正式開始。
2018-07-02 16:19:00820 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:002032 據(jù)外媒7月10日報(bào)道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 很顯然從今年開始，廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存，之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD，而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD，這些SSD從1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:031358 傳三星首款 AMOLED 可摺疊手機(jī)spec與量產(chǎn)計(jì)劃曝光，項(xiàng)目命名「Winner」三星計(jì)劃推出可摺疊手機(jī)的
2018-09-15 11:15:025068 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 三星宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司的5G芯片，涵蓋調(diào)制解調(diào)器芯片Exynos Modem 5100、無線射頻收發(fā)芯片Exynos RF 5500，以及電源控制芯片Exynos SM 5800，這3款芯片皆同
2019-04-09 17:19:035189 SK海力士宣布已向主要SSD（固態(tài)硬盤）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器，計(jì)劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:544098 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04981 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個(gè)活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251778 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 現(xiàn)在，UFS 3.0芯片已經(jīng)成為旗艦機(jī)的標(biāo)配，不過未來我們在旗艦機(jī)上或許還能看到速度更快的芯片。今天，三星電子正式宣布已開始量產(chǎn)業(yè)界首款用于旗艦機(jī)的512GB eUFS 3.1芯片，與此前的三星eUFS 3.0芯片相比，eUFS 3.1芯片的寫入速度是以前的三倍。
2020-03-17 14:46:253396 盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計(jì)劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠，開始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552 繼三星去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個(gè)月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發(fā)，目前看來三星已經(jīng)將對手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 據(jù)相關(guān)報(bào)道稱，三星Display將于2021年開始量產(chǎn)QD-OLED面板，并計(jì)劃在2季度進(jìn)行正式生產(chǎn)，目前，三星正在為QD-OLED面板的產(chǎn)能擴(kuò)充，這為后續(xù)降低成本做好鋪墊。
2020-07-29 11:50:311132 11 月 19 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子正在奮力趕超臺積電，計(jì)劃在 2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片。 三星電子高管 Park Jae-hong 最近在一次活動中表示，公司已定下目標(biāo)，在
2020-11-19 11:39:071911 前兩天有媒體報(bào)道華為P50系列會如期發(fā)布，原因是來自于韓媒的消息三星、LG兩大面板生產(chǎn)商已經(jīng)開始著手為華為P50系列提供屏幕做生產(chǎn)前的準(zhǔn)備。至于這個(gè)消息是真是假，目前還無法查證。但對于國內(nèi)的消費(fèi)者來講當(dāng)然希望這一切都是真的。
2020-11-25 16:45:142024 11月19日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，三星電子正在奮力趕超臺積電，計(jì)劃在2022年量產(chǎn)3納米芯片。三星電子高管Park Jae-hong最近在一次活動中表示，公司已定下目標(biāo)，在2022年量產(chǎn)3納米芯片
2020-11-30 11:26:532651 據(jù)Korea IT News報(bào)道，三星電子已經(jīng)開始進(jìn)行巨額半導(dǎo)體投資，總價(jià)值達(dá)317億美元。該公司最近開始對其在中國的NAND閃存工廠和在韓國的DRAM工廠進(jìn)行投資。 據(jù)報(bào)道，除NAND閃存
2021-01-29 09:05:242367 三星電子宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司迄今為止最為先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心SSD，型號為“PM9A3”。
2021-02-25 09:54:362336 三星電子宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)該公司迄今為止最為先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心SSD，型號為“PM9A3”。
2021-02-25 10:25:202349 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱，三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝，并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺積電。
2022-07-04 09:34:041906 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 三星已經(jīng)訂出第三季量產(chǎn)89英寸Micro LED電視的計(jì)劃，將于本月開發(fā)審議，下個(gè)月試產(chǎn)，到第三季全面量產(chǎn)。
2023-01-07 10:39:531098 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:071259 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:003104 
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:581255 最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競爭力計(jì)劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02863 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:001975 10月19日，韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個(gè)活動上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進(jìn)工藝路線圖和代工戰(zhàn)略，宣稱將在未來3年內(nèi)量產(chǎn)2納米
2023-11-01 15:07:53988 
據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。三星決定從明年初開始更換設(shè)備，并向業(yè)界通報(bào)了到2025年分階段完成的目標(biāo)。
2023-11-03 11:48:032419 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當(dāng)前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標(biāo)志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進(jìn)步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341553 三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲市場即將迎來一場革命性的變革。
2024-09-12 16:27:311108 三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。這款基于雙堆棧架構(gòu)的QLC V-NAND，通過創(chuàng)新的通道孔蝕刻技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單元層數(shù)，為各類AI應(yīng)用提供了前所未有的內(nèi)存解決方案。
2024-09-23 14:53:521479 近日，三星電子被曝出計(jì)劃對其芯片高管職位進(jìn)行大幅削減，并著手重組半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)。據(jù)相關(guān)消息稱，三星電子正在對其設(shè)備解決方案（DS）部門下的內(nèi)存部門進(jìn)行嚴(yán)格的審計(jì)，該部門主要負(fù)責(zé)監(jiān)管公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
2024-10-11 15:56:26833 在近日舉行的韓國半導(dǎo)體展覽會上，三星公司宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)突破：其技術(shù)團(tuán)隊(duì)已順利完成硅電容器的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一成果標(biāo)志著三星在先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，預(yù)示著半導(dǎo)體技術(shù)的新一輪革新。
2024-10-28 16:59:03961 近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn)，并預(yù)計(jì)根據(jù)市場狀況分階段實(shí)施。
2024-10-30 16:18:46970 近日，三星顯示在第三季度業(yè)績的電話會議上透露了其8.6代OLED產(chǎn)線的最新進(jìn)展。公司表示，面向IT領(lǐng)域的8.6代OLED產(chǎn)線的主要設(shè)備已經(jīng)完成，目前正按計(jì)劃進(jìn)行，原計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。然而，據(jù)最新媒體報(bào)道，三星顯示已決定將這一量產(chǎn)時(shí)間表提前至最早2025年底。
2024-11-05 17:00:182240 三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計(jì)算可能帶來的安全威脅。 據(jù)悉，三星
2025-02-26 15:23:282483 據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn)；三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片，目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:152150
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