功率MOSFET市場(chǎng)為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場(chǎng)，而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等市場(chǎng)。甚至，隨著高壓功
2010-09-10 08:44:40
4231 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:591850 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出免費(fèi)的在線(xiàn)工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對(duì)采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進(jìn)行測(cè)試和優(yōu)化。
2012-04-10 09:32:33843 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出在40℃下功率高達(dá)20kW(可根據(jù)需要提供更高的功率值)，能夠在-25℃～+250℃溫度范圍內(nèi)工作，可用于極端環(huán)境中應(yīng)用的新款不銹鋼功率電
2012-10-29 11:33:551352 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布用于紅外遙控應(yīng)用的新系列微型紅外(IR)接收器模塊---TSOP39xxx和TSOP59xxx系列。Vishay
2017-03-07 08:31:523370 。 Vishay Siliconix的LITTLE FOOT功率MOSFET將強(qiáng)大的功率處理能力封裝在纖巧的表面貼裝封裝中。標(biāo)準(zhǔn)概述的8引腳SOIC封裝（圖1）具有銅引線(xiàn)框架，可最大程度地提高熱傳遞，同時(shí)保持
2021-05-25 11:30:077112 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出免費(fèi)的在線(xiàn)工具PowerCAD Simulation，可以讓工程師又快又方便地對(duì)采用Vishay Siliconix穩(wěn)壓器IC的電路進(jìn)行測(cè)試和優(yōu)化。
2012-04-05 15:06:54876 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并
2023-01-30 10:09:49986 
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅(qū)動(dòng)離散功率級(jí)，以驅(qū)動(dòng)IGBT柵極。推薦產(chǎn)品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
Si9241AEY是一個(gè)單片總線(xiàn)收發(fā)器提供汽車(chē)雙向串行通信診斷應(yīng)用程序。該裝置具有過(guò)電壓保護(hù)和VBAT短路。收發(fā)信管腳受到保護(hù)可以驅(qū)動(dòng)超過(guò)VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
您不理財(cái)，財(cái)不理您，歡迎使用免費(fèi)在線(xiàn)記賬理財(cái)軟件，網(wǎng)址：www.gok100.com，聯(lián)系QQ：1454590399
2012-03-25 22:16:19
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2012-03-25 22:18:31
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
功率放大器的需求將進(jìn)一步提高。RF 功率 MOSFET在無(wú)線(xiàn)電通訊領(lǐng)域也有應(yīng)用，其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達(dá)百W以上。它同時(shí)也應(yīng)用于電視(特別是數(shù)字電視)功率放大器、雷達(dá)系統(tǒng)和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
利用功率MOSFET手冊(cè)，利用Saber軟件里的自建模工具對(duì)功率MOSFET進(jìn)行建模，并仿真驗(yàn)證其性能。淘寶上搜索“功率MOSFET建?！?，則可看到課程鏈接。建模主要包含以下內(nèi)容：Saber軟件中
2017-04-12 20:43:49
本視頻將演示如何發(fā)布數(shù)據(jù)至DigiPCBA平臺(tái)用于ECAD-MCAD協(xié)同設(shè)計(jì)！寶藏級(jí)的在線(xiàn)設(shè)計(jì)協(xié)同工具分享給大家，大家點(diǎn)擊鏈接就可以在線(xiàn)注冊(cè)了！地址：https://digipcba.com/?hmsr=HQbbs
2021-04-01 10:24:48
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
怎么安裝適用于Linux *的OpenVINO?工具包的英特爾?發(fā)布版?
2021-09-23 08:33:34
` 最新QQ密碼尋回軟件，牛人免費(fèi)發(fā)布做技術(shù)研究終極qq密碼尋回者，2013年3月最新發(fā)布收關(guān)之作，以后不再更新免費(fèi)測(cè)試版。采用最新技術(shù)，極佳的qq密碼尋回工具，密保版可以找回密保資料。請(qǐng)自覺(jué)用于正規(guī)渠道使用，若用于違法用途請(qǐng)自覺(jué)刪除。試用軟件聯(lián)系QQ33871040 `
2013-03-16 15:16:40
INTEWORK-VBA(Vehicle Bus Analyzer) 車(chē)輛總線(xiàn)監(jiān)控分析及仿真工具，是由經(jīng)緯恒潤(rùn)自主研發(fā)的一款專(zhuān)業(yè)、易用的車(chē)載
2021-03-05 10:42:54
泰芯TXLink調(diào)試器MCU單片機(jī)開(kāi)發(fā)工具仿真器 TXLink是珠海泰芯半導(dǎo)體有限公司基于Keil在8051開(kāi)發(fā)平臺(tái)的調(diào)試器，目前支持泰芯
2022-10-27 18:53:09
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:222091 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291767 Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴(kuò)
2010-03-26 11:38:56973 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102
Vishay Intertechnology, Inc宣布，對(duì)其ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)
2010-06-25 10:20:431330 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標(biāo)準(zhǔn)電壓。其前一代產(chǎn)品的容值
2010-06-25 15:38:30613 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標(biāo)準(zhǔn)電壓。其前一代產(chǎn)品的容值
2010-06-28 08:36:54897 日前，長(zhǎng)期為軍工和航天客戶(hù)提供高可靠性分立和IC器件的供應(yīng)商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經(jīng)通過(guò)了DSCC的
2010-07-07 18:08:291027 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱(chēng)雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:231339 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類(lèi)器件。
2011-08-18 09:42:402991 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出用于電源管理IC的在線(xiàn)設(shè)計(jì)仿真工具（PMIC）——Easy DesignSim。Easy DesignSim為使用富士通豐富電源管理IC產(chǎn)品線(xiàn)（如轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)、電源及
2012-04-26 08:40:18887 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類(lèi)別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。
2012-04-26 16:39:57990 Mouser Electronics開(kāi)始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採(cǎi)用業(yè)界最小的晶片級(jí)封裝，并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421517 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 富士通半導(dǎo)體推出了一款用于電源管理IC（PMIC）的在線(xiàn)設(shè)計(jì)仿真工具，叫Easy DesignSim?。使用富士通豐富電源管理IC產(chǎn)品線(xiàn)（如轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)、電源及充電控制裝置等）的設(shè)計(jì)人員有了全面
2013-05-17 10:47:061783 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:401182 年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061460 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 的采用非對(duì)稱(chēng)PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車(chē)載
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱(chēng)雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:511504 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44981 半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）宣布贊助兩款在線(xiàn)免費(fèi)電路設(shè)計(jì)工具：EasySim在線(xiàn)仿真工具和EasyPCB布線(xiàn)設(shè)計(jì)工具。
2014-04-16 12:02:351804 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱(chēng)功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車(chē)應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，光電子產(chǎn)品部發(fā)布新的在線(xiàn)工具，加速家用娛樂(lè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師耗時(shí)的計(jì)算工作。使用遙控功能的所有產(chǎn)品都需要一個(gè)有精確尺寸的窗口，來(lái)確保能
2016-09-28 15:39:191417 
MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551806 MPLAB? REAL ICE?在線(xiàn)仿真器功率監(jiān)視器（AC244008）包含功率模塊和一個(gè)外部電源，從而使MPLAB REAL ICE在線(xiàn)仿真器能夠監(jiān)視目標(biāo)板或器件的電流和電壓。
2018-06-11 08:29:0016 本視頻將首先介紹是DDS的優(yōu)缺點(diǎn)，然后是DDS頻率合成的基本原理，相位噪聲和雜散，系統(tǒng)時(shí)鐘的實(shí)現(xiàn)，產(chǎn)品介紹，最后是在線(xiàn)仿真工具ADIsimDDS。
2019-07-29 06:01:006469 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:502090 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
MPLAB REAL ICE在線(xiàn)仿真器跟蹤接口工具包用戶(hù)指南免費(fèi)下載。
2021-05-12 10:14:3914 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 在線(xiàn)電路仿真工具
Autodesk Circuits – Circuits.Io
PartSim –Partsim.Com
EveryCircuit
2022-10-12 11:50:1123443 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 國(guó)民技術(shù)通用MCU在線(xiàn)下載仿真工具NS-Link、通用下載工具、離線(xiàn)量產(chǎn)燒錄工具等, 適用于N32 MCU家族全系列產(chǎn)品。
2022-11-11 21:50:41845 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于Vishay NTC熱敏電阻的Altium Designer仿真模型.zip》資料免費(fèi)下載
2022-11-30 09:34:262 scratc，更輕量化，上手更容易，是一個(gè)在線(xiàn)的電路仿真工具。
2022-12-02 14:23:0812029 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。 日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來(lái)取代兩個(gè) PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時(shí)
2023-02-04 06:10:041602 
英國(guó)Pickering公司作為用于電子測(cè)試和驗(yàn)證的模塊化信號(hào)開(kāi)關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商，于今日發(fā)布了一款全新的免費(fèi)在線(xiàn)使用的微波開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)工具Microwave Switch Design
2023-06-15 14:22:191113 電腦上，但在保存文件時(shí)不能對(duì)文件名進(jìn)行任何修改。如果您不能或不允許使用宏設(shè)置的 Excel 文件，Vishay 建議使用在線(xiàn) ? NTCRT 計(jì)算工具 ? 。 此計(jì)算工具可用于確定Vis hayNTC
2023-07-05 20:05:091133 
品英Pickering作為用于電子測(cè)試和驗(yàn)證的模塊化信號(hào)開(kāi)關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商，于近日發(fā)布了一款全新的免費(fèi)在線(xiàn)使用的微波開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)工具Microwave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:451243 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在線(xiàn)設(shè)計(jì)和仿真工具入門(mén)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-20 09:45:090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于MPLAB X IDE的MPLAB REAL ICE在線(xiàn)仿真器用戶(hù)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 14:46:481 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱(chēng)雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有獨(dú)特功能的領(lǐng)先在線(xiàn)仿真工具，適用于軟/硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使工程師在開(kāi)發(fā)周期的早期階段，
2024-03-20 09:58:381582 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標(biāo)志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計(jì)算領(lǐng)域帶來(lái)了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 給大家分享一個(gè)不錯(cuò)的在線(xiàn)仿真工具（Wokwi），支持多種平臺(tái)，支持市面上主流的開(kāi)發(fā)板，比如：STM32、ESP32、Arduino、樹(shù)莓派等。還支持常見(jiàn)的傳感器、顯示器件（LCD、LED屏幕）等
2024-06-15 08:10:4610370 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET支持和培訓(xùn)工具.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-30 11:32:431 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18348 Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術(shù)。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58320 Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53433 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay / Siliconix 電子保險(xiǎn)絲評(píng)估板用于評(píng)估SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B單通道電子保險(xiǎn)絲負(fù)載開(kāi)關(guān)。該板可用于AEC-Q100版本
2025-11-14 14:05:58366
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