? ? ?? Info封裝與CoWoS封裝是目前2.5D封裝的典型代表，同屬于TSMC開發(fā)的2.5D封裝，那么如何區(qū)分 Info封裝與CoWoS封裝呢？主要從以下方面進行闡述。

?1、定義

? ? ? ?Info全稱為Integrated Fan-Out，意為集成式扇出型封裝，定義中的重點一為集成，另一方面，此封裝必須為扇出型封裝。提到Info封裝，首先要先說一下FOWLP（Fan-Out Wafer Level package）封裝。傳統(tǒng)的WLP在切割前進行封裝，雖然減小了封裝尺寸，但是使I/O數量受到了限制，為了滿足I/O數量增多的需求，FOWLP應運而生。FOWLP使用扇出型技術，通過RDL層，將Die表面的觸點擴展到Die的投影面積之外，增加了凸點布置的靈活性以及增多了引腳數量。通常情況下的FOWLP封裝的特點為尺寸較小，無基板，塑封封裝。如下圖所示，Info封裝在某些方面與FOWLP具有相同的特點，而同時又在其上進行了發(fā)展。

圖片來源：TSMC Info 封裝

? ? ? ?CoWoS全稱為Chip on Wafer on Substrte，也就是說，此種封裝類型中必須包括Wafer（或與Wafer有相同功能的結構）以及Substrate。

2、Interposer種類

? ??? ? Interposer在2.5D封裝中起著至關重要的作用，不同的Die通過Interposer實現電氣互聯(lián)，具有更快的傳輸速度。剛剛接觸2.5D封裝的同學很容易被CoWoS中的“W”誤導，產生先入為主的印象，即Interpose=硅中介層。實際上，Interposer主要包含三種類型：整塊的硅板、硅橋以及高密度I/O的RDL層。

3、Info封裝的種類

? ? ? ? 一般而言，Info封裝包含三種類型：Info_oS、Info_PoP以及Info_LSI。

? ? ? ?3.1?Info_oS

? ? ? ? Info_oS全稱Integrated Fan-out on substrate。此種封裝將多個高級邏輯芯片一起封裝，并通過RDL層進行互聯(lián)，由于封裝尺寸較大，僅僅使用RDL層無法滿足封裝的強度要求，因此增加了substrate。

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?圖片來源：?? TSMC?Info 封裝? ? ? ?

? ? ?3.2 Info_PoP

? ? ?Info_PoP封裝全稱為Integrated Fan-out Package on Package，是FOWLP與PoP封裝的結合體。此種封裝將不同類型的芯片在垂直方向上堆疊在一起，下層為FOWLP封裝的芯片，上層為DRAM等被動芯片，封裝之間通過TIV（Through Info Via）進行電氣互聯(lián)。

圖片來源：Chip Industry Maps Heterogeneous Integration - EE Times

? ? ?3.3 Info_LSI

? ? ?Info_LSI封裝全稱Integrated Fan-out_Local Silicon Interconnect，此種封裝使用硅橋以及RDL層代替整塊硅，達到了性能與成本的平衡。

圖片來源于網絡

??4、CoWoS封裝的種類

? ? ? ?4.1?CoWoS-S

? ? ???實際上CoWoS封裝也分為三種類型，我們通常所說的CoWoS，一般意義上指的是CoWoS-S，這里的S為Silicon，即Interposer為整個硅片，這種CoWoS類型是成本最高的，但在性能上也是最好的。

圖片來源：一文讀懂CoWoS技術

? ? ?4.2?CoWoS-R

? ? ?CoWoS-R，這里的R指的是RDL，即封裝使用高密度I/O的RDL層作為interposer，CoWoS-R和Info-oS具有相似的結構，從外觀上很難進行區(qū)分。

圖片來源于網絡

? ?? 4.3?CoWoS-L

? ? ?CoWoS-L，這里的L指的是Local的意思，即使用局部的硅橋進行芯片之間的電氣互聯(lián)，硅橋以外的位置使用RDL層或substrate進行代替，?CoWoS-L與Info_LSI 具有相似的外觀結構。

圖片來源于網絡

審核編輯：劉清