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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片

美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片

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3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392048

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2022-11-08 07:55:44

關(guān)于利用2D圖片利用投影的方法創(chuàng)建3D模型

例如攝影機(jī)拍攝3張圖,利用第一張和第三張構(gòu)建出3D結(jié)構(gòu),測試第二張圖中的特征距離該3D模型中心的距離!
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如何利用相位延遲改善3D音效?如何利用相位延遲消除串?dāng)_?
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IBM3M開發(fā)3D封裝 芯片提速1000倍

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2011-12-18 14:10:461388

提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石

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計(jì)劃在海外建首座3D封測廠 落腳臺灣中科

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與英特爾在3D XPoint存儲芯片市場上競爭激烈,互不相讓

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OPPO Find X的FaceKey 3D結(jié)構(gòu)給力 期待oppo findx蘭博基尼版

OPPO更是帶來OPPO FaceKey 3D結(jié)構(gòu),通過在人臉建立15000個(gè)識別點(diǎn),帶來遠(yuǎn)比指紋更安全的解鎖和支付體驗(yàn)?;?b class="flag-6" style="color: red">3D結(jié)構(gòu)的特性,OPPO再一次對自拍美顏進(jìn)行升級,使用3D結(jié)構(gòu)技術(shù)為用戶臉部進(jìn)行3D建模后,AI提供個(gè)性美顏方案,美顏?zhàn)源藦?D時(shí)代進(jìn)入了3D時(shí)代。
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vivo宣稱新品采用3D ToF技術(shù),是否比3D結(jié)構(gòu)更勝一籌?

主流的人臉識別有哪些?你肯定回答2D紅外和3D結(jié)構(gòu),但是近日vivo宣稱下半年推出3D ToF,運(yùn)用到vivo新品中,并量產(chǎn)商用。是不是又一次被藍(lán)廠驚掉了下巴。3D ToF 果真碾壓 3D 結(jié)構(gòu)嗎?
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丘鈦拿下OPPO超100萬3D結(jié)構(gòu)訂單

事實(shí)上,與筆者猜測的也頗為一致。因?yàn)閺哪壳笆袌錾习l(fā)布的消息來看,截止7月份,國內(nèi)僅有小米、OPPO發(fā)布了帶有3D結(jié)構(gòu)的新機(jī),其中小米的主要供應(yīng)商是歐菲科技,于此同時(shí),下半年除了華為手機(jī)外,并沒有關(guān)于其他品牌發(fā)布搭載帶有3D結(jié)構(gòu)的新機(jī)。
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半導(dǎo)體行業(yè)巨頭光在新加坡的新工廠破土動工,該工廠致力于制造3D NAND Flash。
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上周,系與英特爾推出了64層3D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架構(gòu)相較于TLC(3bits/cell)容量更大,使得單Die容量可高達(dá)1Tb,備受市場高度關(guān)注
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IDEMIA 3D Face:利用3D人臉識別技術(shù)快速、輕松地解鎖智能手機(jī)的軟件

據(jù)報(bào)道,增強(qiáng)身份識別(Augmented Identity)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者IDEMIA近日宣布正在通過IDEMIA 3D Face為電子設(shè)備制造商提供生物識別安全方面的專業(yè)知識,IDEMIA 3D Face是利用3D人臉識別技術(shù)快速、輕松地解鎖智能手機(jī)的軟件。
2018-09-13 16:22:274945

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HUAWEI Mate 20 Pro采用2400萬前置攝像頭,擁有3D結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),3D智能美顏,自拍清晰自然;同時(shí)支持3D人臉解鎖,帶來毫秒級解鎖體驗(yàn)。
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新型存儲技術(shù)3D XPoint目前處于發(fā)展初期 英特爾分道揚(yáng)鑣

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英特爾邏輯芯片3D堆疊技術(shù)“Foveros” 實(shí)現(xiàn)世界一流性能

英特爾近日向業(yè)界推出了3D邏輯芯片封裝技術(shù)“Foveros”,據(jù)悉這是在原來的3D封裝技術(shù)第一次利用3D堆疊的優(yōu)點(diǎn)在邏輯芯片上進(jìn)行邏輯芯片堆疊。也是繼多芯片互連橋接2D封裝技術(shù)之后的又一個(gè)顛覆技術(shù)。
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計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況,減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測的20%增長,而NAND閃存預(yù)計(jì)增長35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:054225

華為P30或支持3D結(jié)構(gòu)人臉識別

按照以往的情況來看,要使用3D結(jié)構(gòu)人臉識別,采用水滴屏的手機(jī)是不太可能支持3D結(jié)構(gòu)人臉識別。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">3D結(jié)構(gòu)人臉識別需要相對比較復(fù)雜的原深感攝像頭系統(tǒng),因此這類手機(jī)一般都是采用的大劉海方案。
2019-01-29 09:20:286328

臺積電完成全球3D IC封裝技術(shù),有望持續(xù)獨(dú)攬?zhí)O果大單

臺積電一條龍布局再突破,完成全球3D IC封裝技術(shù),預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。
2019-04-23 08:56:383342

臺積電完成全球3D IC封裝技術(shù)

臺積電一條龍布局再突破,完成全球3D IC封裝技術(shù),預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。
2019-05-04 09:12:002846

重磅 | 封裝廠集體失業(yè)?臺積電完成3D封裝,領(lǐng)先業(yè)界

臺積電完成全球 3D IC 封裝,預(yù)計(jì)將于 2021 年量產(chǎn)。
2019-04-24 10:55:203083

臺積電揭露3D IC封裝技術(shù)成功,揭開半導(dǎo)體制程的新世代

臺積電完成全球 3D IC 封裝,預(yù)計(jì)將于 2021 年量產(chǎn)。
2019-05-27 15:30:483395

已流片第一批第四代3DNAND存儲芯片 有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3DNAND內(nèi)存

科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲芯片,它們基于全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存,但警告稱,使用新架構(gòu)的存儲芯片僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507

模擬芯片技術(shù)的發(fā)展邁向3D時(shí)代

類比積體電路設(shè)計(jì)也進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù),在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件,以提升包括電源晶片、感測器與無線射頻(RF)等各種類比方案效能。
2019-10-14 14:18:131071

推出最新的第四代3D NAND閃存

宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180

TSV制程技術(shù)日愈成熟,模擬芯片邁向3D時(shí)代

類比積體電路設(shè)計(jì)也進(jìn)入三維晶片(3D IC)時(shí)代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后,類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線,期透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù),在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件,以提升包括電源晶片、感測器與無線射頻(RF)等各種類比方案效能。
2019-10-21 14:28:531438

第四代3D NAND芯片量產(chǎn) 計(jì)劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,系存儲巨頭,的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043

國內(nèi)自主研發(fā),聚芯微電子發(fā)布ToF傳感器芯片

昨天聚芯微電子發(fā)布了國內(nèi)自主研發(fā)、背照式、高分辨率、用于3D成像的飛行時(shí)間(ToF)傳感器芯片。
2020-03-11 14:40:245550

推出整合芯片uMCP5 內(nèi)存和存儲帶寬比上代方案提升了50%

宣布,已經(jīng)成功試產(chǎn)了全球第一個(gè)LPDDR5 DRAM內(nèi)存顆粒、96層堆疊3D NAND閃存顆粒整合封裝在一起的芯片“uMCP5”,面向追求高速內(nèi)存、高性能存儲的主流和旗艦5G智能手機(jī),當(dāng)然用在中高端4G手機(jī)里也沒問題。
2020-03-12 15:04:331427

英特爾與簽署3D XPoint存儲晶圓新的供應(yīng)協(xié)議

在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后,英特爾近日又與簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出,鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142525

意大利利用直線電機(jī)3D打印技術(shù)制造出液壓元件

方面取得突破,通過先進(jìn)的3D打印技術(shù)制造出液壓元件。 一直以來,AidroHydraulics公司都將3D打印技術(shù)視為未來發(fā)展的好選擇,并在近幾年,3D打印技術(shù)大力引入產(chǎn)品智造當(dāng)中,其中典型的便是
2020-03-18 10:07:131467

Intel與光達(dá)成新協(xié)議 繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品供應(yīng)

Intel于近日與光在3D XPoint閃存供應(yīng)事項(xiàng)上面達(dá)成了新的協(xié)議,分析師認(rèn)為,他們向支付了以前更多的錢以繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品的供應(yīng)。
2020-03-23 08:52:432863

即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲器 層數(shù)達(dá)到128層

光在二季度財(cái)報(bào)電話會議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃,將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011

全球3D QLC NAND SSD升級新固件

兩年前,發(fā)布了全球款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD,型號為5210 ION系列。今天,宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級,可以作為機(jī)械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042

豐田攜手3DS利用3D打印技術(shù)制造頂級賽車

德國豐田研發(fā)中心TOYOTA Motorsport GmbH(TMG)和3D打印機(jī)生產(chǎn)商3D Systems和宣布合作開發(fā)“first-to-market”的增材制造3D打?。┙鉀Q方案。
2020-05-09 16:19:362254

埃瓦科技正式發(fā)布3D視覺AI芯片——Ai3100

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,埃瓦科技正式發(fā)布3D視覺AI芯片——Ai3100,是埃瓦針對AI終端市場“追螢”系列的款專用芯片。Ai3100基于異構(gòu)架構(gòu),集成3D單目雙目結(jié)構(gòu)、ISP、HDR、NPU等專用引擎,提供高性能
2020-06-01 17:05:014514

ASM利用3D打印技術(shù)制造出真正的軟體機(jī)器人

這次開發(fā)的方法論首先以人身體等生物模型為基礎(chǔ),制造了軟體的CAD模型文件。接著使用者在CAD文件中指定軟體機(jī)器人主要關(guān)節(jié)的動作和運(yùn)行方向。之后利用高速計(jì)算機(jī)算法CAD文件構(gòu)造成3D的軟體機(jī)器
2020-08-14 10:16:151535

淺談3D打印技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品制造及實(shí)際應(yīng)用

(2015-2016)》中,我國就已經(jīng)明確 3D 打印列入了國家戰(zhàn)略層面。此后,各地區(qū)有關(guān)部門紛紛出臺政策,以此推動 3D 打印技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品制造及實(shí)際應(yīng)用。 利用金屬 3D 打印技術(shù)制造的構(gòu)件,其內(nèi)部質(zhì)量、晶粒結(jié)構(gòu)、微觀組織及性能,不僅不受零件尺寸、壁
2021-01-04 15:46:143251

全球首創(chuàng)LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存,性能爆增

繼今年3次公開之后,今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準(zhǔn)備。uMCP5在全球首次通過MCP多芯片封裝的方式,LPDDR5內(nèi)存、UFS閃存整合在一芯片內(nèi),可大大提升智能手機(jī)的存儲密度,節(jié)省內(nèi)部空間、成本、功耗。
2020-10-22 09:46:403637

科技量產(chǎn)全球款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產(chǎn)品

uMCP5。uMCP5高性能、高密度及低功耗的內(nèi)存和存儲集成在一個(gè)緊湊的封裝中,使智能手機(jī)能夠應(yīng)對數(shù)據(jù)密集型5G工作負(fù)載,顯著提升速度和功效。 量產(chǎn)全球款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝
2020-10-27 15:17:473518

奧比中創(chuàng)始人黃源浩詳解3D視覺應(yīng)用

潛心研發(fā)帶來的深厚技術(shù)積淀,為奧比中的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。奧比中自2015年成功研發(fā)國內(nèi)3D感知芯片開始,不斷突破國際技術(shù)壟斷,成為擁有從芯片、算法,到系統(tǒng)、框架、上層應(yīng)用支持的全棧式AI 3D感知技術(shù)方案提供商。
2020-10-28 09:49:467313

?IBM全球款2nm芯片制程 IBM 2納米芯片制造技術(shù)要點(diǎn)

IBM Research在其紐約奧爾巴尼技術(shù)中心宣布其突破性的2nm技術(shù)的消息。 據(jù)IBM官方表示,核心指標(biāo)方面,IBM稱該2nm芯片的晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬晶體管)為
2021-05-19 17:38:155143

發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)媒Anandtech報(bào)道,日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出,新型176L閃存是自與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品,此后從浮柵( floating-gate)存儲單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920

奧比中憑自主研發(fā),成為全球領(lǐng)先的AI 3D傳感技術(shù)提供商

奧比中成立于2013年1月,是一家以AI 3D傳感技術(shù)為核心的科技創(chuàng)新型企業(yè)。在奧比中最初成立時(shí),我國在消費(fèi)級3D傳感領(lǐng)域還是一片空白,無論芯片還是關(guān)鍵部件都未能完成自主研發(fā)。為了盡快實(shí)現(xiàn)3D
2020-11-12 09:24:093284

科技宣布已批量出貨全球款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,科技宣布已批量出貨全球款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623

發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696

全新的3D打印功能材料,實(shí)現(xiàn)了百納米至微米級別電子3D打印

周南嘉團(tuán)隊(duì)3D多材料打印技術(shù)引入芯片級高端制造領(lǐng)域,利用3D打印技術(shù)進(jìn)行三維高精度光電封裝、制造高頻無源器件,例如可將天線尺寸縮小到十微米至百微米級別。
2020-11-18 15:18:043183

光有望 3D XPoint(Optane)引入 AMD 等平臺

迎來適用于 AMD 平臺的 Optane 或 3D XPoint 類產(chǎn)品。 作為 XPoint 內(nèi)存的共同開發(fā)者,(Micron)宣布致力于推出自己的 3D XPoint 技術(shù)以及相應(yīng)的存儲
2020-11-29 11:40:082396

第一款3D Xpoint閃存SSD銷量差

通過轉(zhuǎn)讓IM工廠股份給、閃存業(yè)務(wù)打包出售給SK海力士等,Intel正重新梳理旗下業(yè)務(wù),至少就閃存、SSD來看,現(xiàn)在只剩下傲騰了。 不過,傲騰的3D Xpoint芯片仍要靠猶他州的IM工廠生產(chǎn)
2020-11-29 11:54:412026

光有望3D XPoint引入AMD等平臺

迎來適用于 AMD 平臺的 Optane 或 3D XPoint 類產(chǎn)品。 ▲ 英特爾傲騰 905P,圖源英特爾 作為 XPoint 內(nèi)存的共同開發(fā)者,(Micron)宣布致力于推出自己的 3D XPoint 技術(shù)以及相應(yīng)的存儲解決方案,該解決方案可在多種平臺上使用。公司首席財(cái)務(wù)官戴維 辛斯納(Dav
2020-11-30 10:32:001997

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)內(nèi)存密度提升了 40%。 計(jì)劃于今年 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

全球2nm芯片是中國制造的嗎 2nm芯片何時(shí)量產(chǎn)

全球2nm芯片并不是中國制造的,它是由IBM研制出來的,硅晶圓由IBM研究院在其位于美國紐約州奧爾巴尼半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。
2022-06-22 10:14:254334

IBM發(fā)布全球款2nm芯片

IBM宣布已推出全球2nm制程芯片,至今為止一種最小、最強(qiáng)大的芯片,標(biāo)志著IBM芯片制造工藝領(lǐng)域取得的巨大飛躍。
2022-06-24 17:45:462058

美國科技企業(yè)IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片

全球2nm芯片問世時(shí)間是2021年5月份,美國科技企業(yè)IBM發(fā)布全球首個(gè)2nm制程芯片制造技術(shù)。
2022-06-27 09:34:191954

LPDDR5成為全球款獲得ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)ASIL D認(rèn)證的內(nèi)存

解決方案,以應(yīng)對智能邊緣復(fù)雜的內(nèi)存與存儲需求。開始向客戶送樣全球最高容量的 microSD 卡產(chǎn)品 i400,其密度達(dá)到業(yè)界前所未有的 1.5TB。該產(chǎn)品采用的全球款 176 層 3D NAND 技術(shù),專為工業(yè)級視頻安防應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2022-06-27 15:38:352052

IBM發(fā)布全球首個(gè)2納米芯片制造技術(shù)

2021年5月,IBM發(fā)布全球首個(gè)2納米芯片制造技術(shù),2nm工藝芯片用EUV光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕在指甲大小的芯片上,集成了500億晶圓體,IBM通過與AMD、三星率先推出測試芯片,處于全球領(lǐng)先地位。
2022-07-04 09:21:413248

IBM首發(fā)2nm芯片 采用GAA技術(shù)

去年5月,IBM成功制造出世界上首2nm制程的半導(dǎo)體芯片。
2022-07-05 13:22:581681

3D IC制造技術(shù)已成主流,異構(gòu)3D IC還有待進(jìn)步

多年來,3D IC技術(shù)已從初始階段發(fā)展成為一種成熟的主流制造技術(shù)。EDA行業(yè)引入了許多工具和技術(shù)來幫助設(shè)計(jì)采用3D IC路徑的產(chǎn)品。最近,復(fù)雜的SoC實(shí)現(xiàn)開始利用3D IC技術(shù)來平衡性能和成本目標(biāo)。
2022-09-16 10:06:411879

發(fā)布基于1-alpha技術(shù)制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術(shù),大幅提高了芯片的能效和內(nèi)存密度。稱計(jì)劃在明年開始量產(chǎn)這種芯片
2022-11-03 10:49:011189

3D-NAND 閃存探索超過300層

全行業(yè)正在努力 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝,這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993

甬江實(shí)驗(yàn)室一個(gè)3D數(shù)字制造創(chuàng)新中心揭牌!主任系清鋒首席科學(xué)家朱

3D數(shù)字制造創(chuàng)新中心主任。3D數(shù)字制造創(chuàng)新中心主任朱、副主任盧伊絲、研究員趙威獲頒聘書據(jù)朱光說:“我們研發(fā)的LEAP超快光固化3D打印技術(shù),打印速度比傳統(tǒng)3
2022-08-18 14:33:251785

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長江存儲8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

3D異構(gòu)集成與 COTS (商用現(xiàn)成品)小芯片的發(fā)展問題

3D 異構(gòu)集成與 COTS (商用現(xiàn)成品)小芯片的發(fā)展問題
2023-11-27 16:37:161656

科技出貨全球款基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存 突破性封裝技術(shù)

開始 出貨全球款采用1γ(1-gamma)制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存認(rèn)證樣品 。該產(chǎn)品專為加速旗艦智能手機(jī)上的AI應(yīng)用而設(shè)計(jì)。LPDDR5X內(nèi)存具備業(yè)界領(lǐng)先的速率,達(dá)到每秒10.7 Gb(Gbps),同時(shí)功耗可降低高達(dá)20%1,為智能手機(jī)帶來更快、更流暢的移動體驗(yàn)和更強(qiáng)的續(xù)航
2025-06-06 11:49:061454

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