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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>長江儲存發(fā)布其突破性技術(shù)Xtacking,有望大幅提升NAND I/O速度

長江儲存發(fā)布其突破性技術(shù)Xtacking,有望大幅提升NAND I/O速度

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長江存儲3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎”

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紫光旗下長江存儲的全新3D NAND架構(gòu)技術(shù)隆重亮相2018重慶智博會

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海外并購助力彎道超車:關(guān)注泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游頭部公司

對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布突破性技術(shù)Xtacking,長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年,長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入。
2018-10-09 10:57:323783

長江存儲成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)

談到NAND閃存,或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品,多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上,但其實閃存芯片也有內(nèi)部接口,LGA/BGA都有引腳,所以就有引腳帶寬,即IO接口速度的概念,一定程度上可理解為內(nèi)頻。
2018-11-26 16:18:5817946

MIT發(fā)布2018年全球10大突破性技術(shù)!

《麻省理工科技評論》是全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威,至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破,有的已經(jīng)在現(xiàn)實中得以應(yīng)用,有的還尚需時日,但注定將在未來對人類的生產(chǎn)生活產(chǎn)生重大影響,甚至?xí)氐赘淖冋麄€社會面貌。
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美國公司AI癌癥診斷系統(tǒng)獲FDA突破性設(shè)備認(rèn)定

日前,美國紐約醫(yī)療保健創(chuàng)業(yè)公司Paige.AI宣布,AI癌癥診斷系統(tǒng)獲得美國食品藥品監(jiān)督管理局(FDA)頒發(fā)的突破性設(shè)備認(rèn)定,這使得該公司成為美國首家在AI癌癥診斷領(lǐng)域獲得突破性設(shè)備認(rèn)定的公司。
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目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對市場影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143966

長江存儲8月將推出Xtacking 2.0技術(shù)

在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官湯強做了題為《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》的主題演講,并透露將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術(shù)。
2019-05-17 11:47:132081

長江存儲直追國際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753

突破國外專利封鎖,長江存儲將于今年8年推出Xtacking 2.0

湯強在峰會上表示將于今年8年推出Xtacking 2.0。
2019-05-17 14:22:593739

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069

人工智能輔助宮頸癌篩查技術(shù)取得突破性進(jìn)展

人工智能輔助宮頸癌篩查技術(shù)取得突破性進(jìn)展,業(yè)內(nèi)專家評價,本次成果是數(shù)字化醫(yī)療與精準(zhǔn)醫(yī)療的一項重要實踐,為未來精準(zhǔn)診斷惠及廣大人群提供了技術(shù)和數(shù)據(jù)上的支持。若該成果得以落地應(yīng)用,預(yù)期可使病理醫(yī)生進(jìn)行單
2019-06-29 11:32:401630

長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788

長江存儲推出第二代Xtacking 3D NAND存儲架構(gòu)

Xtacking長江存儲在去年FMS(閃存技術(shù)峰會)首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎項。獨特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器

長江存儲科技(YMTC)本周早些時候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374

英偉達(dá)發(fā)布最新GPUDirect儲存技術(shù)

Nvidia發(fā)展GPUDirect儲存技術(shù),大幅提升GPU加載大型資料集的速度,使用GPUDirect儲存技術(shù),GPU加載資料集的工作不再完全需要仰賴CPU,因而解除了資料I/O的瓶頸。
2019-09-11 11:51:021622

中國首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

我國閃存核心技術(shù)獲得成功,3D NAND進(jìn)步實屬不易

有關(guān)國產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破,相信很多人都在翹首期待,希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品,而當(dāng)長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時候,我們知道,真正的國產(chǎn)存儲即將出現(xiàn)了!
2019-10-31 11:37:071248

長江存儲向存儲巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長江存儲打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國家重點打造的存儲器大項目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808

NVIDIA推出一款突破性的推理軟件 可以實現(xiàn)會話式AI應(yīng)用

2019年12月18日— — NVIDIA于今日發(fā)布一款突破性的推理軟件。借助于該軟件,全球各地的開發(fā)者都可以實現(xiàn)會話式AI應(yīng)用,大幅減少推理延遲。而此前,巨大的推理延遲一直都是實現(xiàn)真正交互式互動的一大阻礙。
2019-12-19 10:06:511571

長江儲存宣布128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長江儲存在官網(wǎng)宣布128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603

博通芯片同比恩智浦半導(dǎo)體銷售額減少 29.1%

現(xiàn)在,長江存儲已成功將 Xtacking 技術(shù)應(yīng)用于第二代 3D NAND 產(chǎn)品的開發(fā),大規(guī)模量產(chǎn)之后,預(yù)計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片。
2020-08-11 15:55:18648

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

小米電視大師至尊紀(jì)念版采用Mini LED,實現(xiàn)畫質(zhì)的突破性提升

今天小米電視官方公布了一款超大杯小米電視—小米電視大師至尊紀(jì)念版。官方宣布,小米電視大師至尊紀(jì)念版帶來了目前最先進(jìn)的顯示技術(shù)之一:Mini LED,它實現(xiàn)了畫質(zhì)的突破性提升
2020-09-23 15:42:451174

長江存儲推出兩款致鈦系列消費級SSD產(chǎn)品,滿足高階用戶的需求

長江存儲此次全新發(fā)布的致鈦SC001Active和致鈦PC005Active均搭載創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)3D NAND高品質(zhì)原廠顆粒。
2020-09-27 16:17:443380

SATA協(xié)議的SC001 Active的評測

NAND顆粒:再次強調(diào)一下長江存儲在閃存上的基礎(chǔ)創(chuàng)新的Xtacking架構(gòu)的3D NAND技術(shù),同比于其他3D NAND技術(shù)的突出特點主要是,可在兩片獨立的晶圓上分開加工負(fù)責(zé)I/O傳輸及記憶單元的電路
2020-11-13 14:57:406809

臺電科技聯(lián)合長江存儲發(fā)布固態(tài)硬盤騰龍系列DS10 I/O速度比肩DDR4

。 今天,國內(nèi)存儲品牌臺電科技聯(lián)合長江存儲,發(fā)布臺電純國產(chǎn)化固態(tài)硬盤騰龍系列DS10。 臺電騰龍系列DS10將采用長江存儲全新一代64層TLC閃存顆粒。該顆粒采用由長江存儲自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)技術(shù),通過對存儲單元與外圍電路的獨立加工,將傳統(tǒng)常規(guī)的的1Gp
2020-11-18 11:27:082864

長江存儲推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking有什么優(yōu)勢?

11月18日報道 今日,在“2020北京微電子國際研討會暨IC WORLD學(xué)術(shù)會議”上,長江存儲科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示,長江存儲推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking具有速度快、工藝結(jié)實
2020-11-18 15:26:575004

長江存儲的首款消費級固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

長江存儲基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費級固態(tài)品牌致鈦存儲于日前正式與我們見面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關(guān)于致鈦存儲的技術(shù),而就在近日,長江存儲通過
2020-11-24 09:56:484526

長江存儲科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者,長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

Mate40旗艦機搭載長江存儲64層3D NAND

此外,楊士寧還展示了Xtacking技術(shù),表示:在這一方面,長江存儲也是走在國際最前沿的;長江存儲的技術(shù)也是非常先進(jìn)的,以后可以委托給中芯國際;同時也要感謝國產(chǎn)同行的支持。他還表示,目前只有帶有Xtacking標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國產(chǎn)閃存芯片。
2020-11-30 11:20:013979

全球六大廠商壟斷競爭,長江存儲有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競爭,中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來中國的長江存儲有望打破國外在NAND FLASH的壟斷競爭格局。
2021-01-11 14:18:334603

麻省理工科技評論2021年“十大突破性技術(shù)發(fā)布會成功舉辦

? 2 月 24 日,《麻省理工科技評論》2021 年 “十大突破性技術(shù)發(fā)布會在杭州余杭區(qū)未來科技城舉辦。 從 2001 年開始,《麻省理工科技評論》每年都會進(jìn)行 “十大突破性技術(shù)” 的評選
2021-03-03 14:11:042714

《麻省理工科技評論》宣布2021年“全球十大突破性技術(shù)

正如比爾·蓋茨所說,看過這些突破性技術(shù)之后,你會覺得 “美好的未來,值得我們?yōu)橹畩^斗”。 日前,《麻省理工科技評論》2021“全球十大突破性技術(shù)”在杭州發(fā)布。今年也是《麻省理工科技評論》“全球十大
2021-03-10 17:11:172777

《麻省理工科技評論》發(fā)布了最新的2021年10大突破性技術(shù)的概念

《麻省理工科技評論》一直關(guān)注新興技術(shù)的發(fā)展及商業(yè)化落地,自2001年起每年都會評選出年度“十大突破性技術(shù)”,希望借此對擁有極大潛力實現(xiàn)商業(yè)化的、并可對未來世界帶來極大影響的新興科技做出最有力的研判。
2021-03-11 13:57:153433

凌力爾特在慕尼黑上海電子展上于 BMW i3 車型中演示了突破性的無線電池管理系統(tǒng)

凌力爾特在慕尼黑上海電子展上于 BMW i3 車型中演示了突破性的無線電池管理系統(tǒng)
2021-03-20 14:11:3814

線性科技在漢諾威展會上展示寶馬i3突破性無線電池管理系統(tǒng)

線性科技在漢諾威展會上展示寶馬i3突破性無線電池管理系統(tǒng)
2021-04-21 17:30:577

13位專家深度點評2021年“十大突破性技術(shù)

2021 年 2 月 24 日,MIT Technology Review 一年一度的 “十大突破性技術(shù)” 榜單正式發(fā)布。自 2001 年起,該雜志每年都會評選出當(dāng)年的 “十大突破性技術(shù)”,這份在
2021-07-02 14:21:376630

四大突破性技術(shù)、多款旗艦新品重磅亮相!2023德施曼全球新品發(fā)布會完美收官!

。此次大會德施曼重磅發(fā)布了四大突破性技術(shù),同時多款旗艦新品重磅首發(fā)!四大突破性技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)科技創(chuàng)新此次發(fā)布會最受關(guān)注的無疑是已經(jīng)被媒體前期部分劇透的四大突破性技術(shù)
2023-04-17 17:57:401813

ADI公司突破性的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI公司突破性的微機電系統(tǒng)(MEMS)開關(guān)技術(shù).pdf》資料免費下載
2023-11-27 09:52:201

Baraja宣布突破性多普勒RMCW激光雷達(dá)集成組件開始供貨

據(jù)麥姆斯咨詢報道,總部位于澳大利亞的光譜掃描激光雷達(dá)(LiDAR)解決方案創(chuàng)新廠商Baraja近日宣布,突破性多普勒RMCW頻譜掃描激光雷達(dá)所有集成組件的A樣件(A-Samples)現(xiàn)已開始供貨。
2023-12-04 17:22:311465

2024 年“十大突破性技術(shù)”榜單

初,《麻省理工科技評論》(MITTechnologyReview)發(fā)布2024年“十大突破性技術(shù)”榜單,這份榜單突出了一些可能對世界產(chǎn)生顯著影響的技術(shù)。在最新的20
2024-01-16 08:27:352400

長江存儲:QLC閃存已完成4000次P / E擦寫,采用第三代Xtacking技術(shù)

值得注意的是,長江存儲首席技術(shù)官(CTO)霍宗亮指出,NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇,并有望在2023~2027年間實現(xiàn)21%的復(fù)合增長率以及20%的累計設(shè)備平均容量增長。
2024-03-28 13:57:572348

里瑞通推出突破性晶片液冷技術(shù)

在云計算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,里瑞通(Digital Realty)一直是技術(shù)創(chuàng)新的引領(lǐng)者。近日,該公司宣布推出了一項突破性的晶片液冷技術(shù),為高密度部署支持領(lǐng)域帶來了新的發(fā)展。
2024-05-31 11:22:401077

顛覆!硅光“黑馬”打造革命光學(xué)IO技術(shù),可取代芯片內(nèi)銅線

來源: Evelyn維科網(wǎng)光通訊 近日,位于加利福尼亞州的硅光子初創(chuàng)公司Ayar Labs透露,革命的光學(xué)I/O技術(shù)即將面世: 這一突破性成果可以取代芯片內(nèi)部的銅線,在芯片內(nèi)部進(jìn)行更快的通信。它
2024-08-13 15:20:101693

為空間受限的應(yīng)用提供突破性的動力

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為空間受限的應(yīng)用提供突破性的動力.pdf》資料免費下載
2024-08-26 14:28:100

致態(tài)發(fā)布首款PCIe 5.0旗艦產(chǎn)品TiPro9000:順序讀取速度14000MB/s

的14GB/s。 晶棧Xtacking 4.0架構(gòu)首發(fā)為TLC顆粒,擁有更高的存儲密度、更快的I/O速度、更高的品質(zhì)可靠(未公開具體層數(shù)),再加上DRAM獨立緩存、SLC智能緩存技術(shù),致態(tài)TiPro9000
2024-12-25 10:43:10990

新型激光技術(shù)有望大幅提升芯片制造效率

據(jù)國外媒體報道,美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室(LLNL)正在研發(fā)一種基于銩元素的拍瓦(petawatt)級激光技術(shù),該技術(shù)有望取代當(dāng)前極紫外光刻(EUV)工具中使用的二氧化碳激光器,并將光源效率提升
2025-02-10 06:22:16731

鋰離子電容技術(shù):開啟能源儲存和應(yīng)用革命,邁向清潔綠色未來

和應(yīng)用的革命。1.鋰離子電容技術(shù)有望在汽車領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。目前,電動汽車的發(fā)展受到了電池容量和充電速度的限制。然而,鋰離子電容技術(shù)具有高容量和快速充放電特性,可大大提
2025-05-16 08:23:00644

今日看點:消息稱已有模組企業(yè)調(diào)整原定產(chǎn)品規(guī)劃;華為將發(fā)布 AI 領(lǐng)域突破性技術(shù)

華為將發(fā)布 AI 領(lǐng)域突破性技術(shù) 業(yè)內(nèi)消息指出,華為將于 11 月 21 日發(fā)布一項 AI 領(lǐng)域的突破性技術(shù),該技術(shù)有望解決當(dāng)前算力資源利用效率低下的行業(yè)難題。 ? 華為此次發(fā)布突破性技術(shù)能夠顯著
2025-11-17 10:47:361193

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

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