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為什么三星就能做出3nm的嵌入式芯片

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2021-07-06 19:32:41

三星量產(chǎn)全球速度最快嵌入式存儲(chǔ)芯片

7月28日消息,三星上周五表示,公司已量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這將是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片三星將提供16GB、32GB、64GB種規(guī)格的產(chǎn)品。
2013-07-29 09:56:171223

三星進(jìn)軍5nm、4nm、3nm工藝_首次應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)

5nm、4nm、3nm工藝,直逼 這兩年,三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔,雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:004661

英特爾及三星展示嵌入式MRAM在邏輯芯片新技術(shù)

在第 64 屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上,全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
2018-12-21 11:17:393985

3nm!緊逼臺(tái)積電,三星挑戰(zhàn)摩爾定律極限

三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕,目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn),下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線圖,緊逼臺(tái)積電,而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
2019-05-12 11:50:075053

3nm!三星 GAA工藝超越 FinFET,領(lǐng)先臺(tái)積電

3nm!!!
2019-05-17 11:44:056784

三星發(fā)布3nm節(jié)點(diǎn)工藝!GAAFET!

三星3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么?
2019-05-17 15:38:5412185

一圖看懂三星14nm工藝到3nm工藝的區(qū)別

在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上,三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖,2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了,而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝,領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間,領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335

三星用 GAA工藝挑戰(zhàn)物理極限 推進(jìn)3nm工藝

三星率先發(fā)布3nm工藝路線圖,領(lǐng)先于臺(tái)積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:435336

三星發(fā)布新一代3nm閘極全環(huán)工藝 在GAA工藝上獲得領(lǐng)先地位

發(fā)布了新一代3nm閘極全環(huán)(GAA,Gate-All-Around)工藝。與7nm技術(shù)相比,三星3GAE工藝將減少45%的面積,降低50%的功耗,提升35%的性能。三星表示第一批3nm芯片主要面向智能手機(jī)及其他移動(dòng)設(shè)備。
2019-05-30 15:53:464391

三星嵌入式存儲(chǔ)芯片 全球量產(chǎn)速度最快

三星最新宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片三星將提供16GB、32GB和64GB種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-07-02 11:46:151133

三星公布首款單芯片嵌入式通用閃存

三星電子公布了全球首款單芯片1TB UFS2.1閃存,該款嵌入式閃存標(biāo)志著智能存儲(chǔ)將邁入TB級(jí)別。
2019-07-03 11:15:34971

三星和英特爾將加快嵌入式商用腳步

全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)在上周舉辦的第64屆國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)上,發(fā)表嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)。
2019-07-03 16:58:55670

新思科技助力三星5nm/4nm/3nm工藝再加速

近日,全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破,這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485069

三星將于今年內(nèi)完成4nm工藝開(kāi)發(fā) 2020年完成3nm工藝開(kāi)發(fā)

盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議,公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展,其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。
2019-09-12 10:44:033454

三星和英特爾將加快嵌入式MRAM的研發(fā)腳步

全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)在第64屆國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM)上,發(fā)表嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)。
2019-10-02 12:45:00997

三星量產(chǎn)全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片

三星宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)首款eMMC 5.0存儲(chǔ)產(chǎn)品。這是全球速度最快的嵌入式存儲(chǔ)芯片,三星將提供16GB、32GB和64GB種規(guī)格的產(chǎn)品。
2019-10-18 14:30:401575

三星擬率先使用3nm,比較5nm性能提升30%能耗降低一半

但在下一代的 3nm 芯片制造工藝方面,臺(tái)積電可能會(huì)有來(lái)自三星的挑戰(zhàn),后者擬率先使用這一先進(jìn)的工藝制造芯片。
2020-01-03 14:49:274252

三星3nm制程2022年量產(chǎn),整體表現(xiàn)比預(yù)期好

報(bào)道稱(chēng),與三星電子的5nm工藝相比,3nm制程能將芯片尺寸縮小35%,功耗降低50%,性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372

三星6nm工藝已量產(chǎn)出貨,3nm GAE工藝也將研發(fā)完成

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后,三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度,日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨,今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848

三星6nm工藝量產(chǎn)已出貨,3nm GAE工藝即將問(wèn)世

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033600

臺(tái)積電將會(huì)為3nm工藝技術(shù)選擇什么線路

在2019年的日本SFF會(huì)議上,三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo),與現(xiàn)在的7nm工藝相比,3nm工藝可將核心面積減少45%,功耗降低50%,性能提升35%。
2020-02-06 14:54:431762

受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期

近日,DigiTimes在一份報(bào)告中稱(chēng),三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492452

三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實(shí)現(xiàn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn),三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632

三星3nm工藝投產(chǎn)延遲,新技術(shù)讓芯片功耗下降約50%

4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230

三星直接跳過(guò)4nm先進(jìn)工藝,將要批量生產(chǎn)3nm工藝

,轉(zhuǎn)而批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這一舉動(dòng)可能使三星領(lǐng)先臺(tái)積電,但這也充滿(mǎn)了風(fēng)險(xiǎn)。 三星跳過(guò)了最初計(jì)劃投*資的 4nm 高級(jí)工藝,而完全放棄了其投*資計(jì)劃。這個(gè)決定最終可能會(huì)在其領(lǐng)域花費(fèi)大量的客戶(hù)訂單,但是同時(shí)這可能是因?yàn)樘^(guò)了一代芯片技術(shù),其他技術(shù)的開(kāi)
2020-07-08 16:07:212550

三星跳過(guò)4nm制程轉(zhuǎn)向3nm制程量產(chǎn),要真正反超臺(tái)積電存在諸多挑戰(zhàn)

芯片先進(jìn)制程的賽場(chǎng)上,放眼全球,僅剩臺(tái)積電、英特爾、三星。目前,臺(tái)積電和三星在7nm以下的競(jìng)爭(zhēng)備受關(guān)注。根據(jù)報(bào)道,三星將直接跳過(guò)4nm先進(jìn)制程,轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn),此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺(tái)積電
2020-07-06 15:31:542666

3nm制程戰(zhàn)爭(zhēng)日趨激烈 臺(tái)積電勢(shì)與三星一較高下

新晶圓廠,新晶圓廠并打算以3nm制程切入,力壓臺(tái)積電亞利桑納州5nm廠。市場(chǎng)人士分析,三星舉動(dòng)使3nm制程的戰(zhàn)爭(zhēng)日趨激烈。對(duì)三星來(lái)勢(shì)洶洶,臺(tái)積電似乎胸有成竹,有機(jī)會(huì)能在3nm制程的競(jìng)賽中立于不敗之地。 市場(chǎng)人士指出,雖然在5nm制程方面,三星已經(jīng)趕上了
2021-02-02 14:03:531767

揭秘3nm GAE MBCFET 芯片的制造細(xì)節(jié)

三星電子和臺(tái)積電目前都計(jì)劃開(kāi)展 3nm 制程工藝研發(fā)。據(jù)外媒 TomsHardware 消息,三星在 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE
2021-03-15 16:56:455166

三星擬2022年量產(chǎn)3nm,爭(zhēng)取追上臺(tái)積電

在半導(dǎo)體晶圓代工上,臺(tái)積電一家獨(dú)大,從10nm之后開(kāi)始遙遙領(lǐng)先,然而三星的追趕一刻也沒(méi)放松,今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電,2022年將量產(chǎn)3nm工藝。
2020-11-17 16:03:322058

三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電,2022年將量產(chǎn)3nm工藝

三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上,因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管,是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的,而臺(tái)積電比較保守,3nm還是用FinFET,2nm上才會(huì)使用GAA工藝。
2020-11-19 11:36:301777

臺(tái)積電與三星的下一個(gè)“賽點(diǎn)”鎖定3nm

這一年半導(dǎo)體業(yè)的諸多巨變,埋下了日后草蛇灰線的因子,但追趕先進(jìn)工藝的步伐不曾放緩。作為可在先進(jìn)工藝上一較長(zhǎng)短的臺(tái)積電與三星,下一個(gè)“賽點(diǎn)”也鎖定在了3nm
2020-12-28 09:34:352248

臺(tái)積電和三星3nm制程遭遇挑戰(zhàn),研發(fā)進(jìn)度推遲

1月3日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝,均已提升到了5nm,更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中,臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠更是已經(jīng)建成,計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),明年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
2021-01-04 09:04:582737

臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸,量產(chǎn)時(shí)間恐將推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道,業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱(chēng),臺(tái)積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:103024

臺(tái)積電計(jì)劃今年3nm工藝將完成試生產(chǎn)

外媒報(bào)道,臺(tái)積電和三星3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此,臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。
2021-01-05 09:39:262358

臺(tái)積電研發(fā)3nm工藝遇阻

近日,外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱(chēng),目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺(tái)積電和三星3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn),因此,最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會(huì)相應(yīng)的推遲。
2021-01-05 16:50:202727

中國(guó)晶圓代工巨頭臺(tái)積電,2022年量產(chǎn)3nm芯片

日前,業(yè)內(nèi)人士透露,目前臺(tái)積電FinFET和三星GAA在3nm工藝的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到瓶頸。這有可能導(dǎo)致兩家專(zhuān)業(yè)晶圓代工巨頭量產(chǎn)3nm芯片的時(shí)間被推遲。
2021-01-07 15:42:233694

臺(tái)積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年,臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商,均把芯片制程工藝提升至5nm,而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中,不過(guò),最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852

三星在5nm3nm芯片實(shí)現(xiàn)了跳躍發(fā)展

隨著三星在先進(jìn)制造節(jié)點(diǎn)上繼續(xù)與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),這家韓國(guó)巨頭的努力將使其排名達(dá)到第四位。據(jù)報(bào)道,三星從5nm3nm芯片開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)了跳躍發(fā)展,但仍被排除在全球前的半導(dǎo)體制造商之外。
2021-02-04 14:55:192654

AMD或?qū)?nm3nm芯片代工訂單交給三星電子

2月4日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,此前曾有猜測(cè),在長(zhǎng)期代工合作伙伴臺(tái)積電無(wú)法提供充足產(chǎn)能支持的情況下,芯片供應(yīng)商AMD,可能將5nm3nm芯片代工訂單,轉(zhuǎn)交給三星電子。
2021-02-05 10:59:232213

三星會(huì)成為美國(guó)第一個(gè)擁有3nm工藝的企業(yè)?

進(jìn)行,它將在2023年第四季度上線。不過(guò),值得關(guān)注的是:三星尚未說(shuō)明新晶圓廠將設(shè)計(jì)用于哪個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。三星會(huì)成為美國(guó)第一個(gè)擁有3nm工藝的企業(yè)嗎?
2021-02-19 17:33:552117

三星正式宣布3nm成功流片,性能將完勝臺(tái)積電

據(jù)外媒最新報(bào)道,三星宣布,3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片! 據(jù)悉,三星3nm制程采用的是GAA架構(gòu),性能上完勝臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報(bào)導(dǎo),三星3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444638

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

目前從全球范圍來(lái)說(shuō),也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間,據(jù)外媒報(bào)道,三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 (Gate-all-around,GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:543387

三星公布3nm技術(shù) 有望拿下AMD和高通兩個(gè)美國(guó)客戶(hù)

近日,根據(jù)媒體的消息報(bào)道,三星公司已經(jīng)公布了關(guān)于3nm技術(shù),并且有望拿下AMD和高通兩個(gè)美國(guó)客戶(hù),三星公司計(jì)劃于2022年上半年開(kāi)始推出3納米產(chǎn)品,目前三星公司官方表示他們已經(jīng)在開(kāi)發(fā)下一代的DDR6內(nèi)存了。
2021-11-22 16:19:122059

三星丟失大客戶(hù)高通,3nm工藝量產(chǎn)能否如期而至

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)三星3nm領(lǐng)先臺(tái)積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報(bào)道,因?yàn)閾?dān)心三星的良率過(guò)低,大客戶(hù)高通已將3nm AP處理器代工訂單交給臺(tái)積電。
2022-03-01 09:16:591676

三星3nm芯片良品率僅達(dá)2成,與臺(tái)積電的差距更大了

據(jù)報(bào)道,三星電子計(jì)劃在2022年上半年量產(chǎn)3nm制程芯片,但是近期業(yè)界頻頻傳出良率低、量產(chǎn)延遲等批評(píng)的聲音,據(jù)推測(cè)三星可能會(huì)將其技術(shù)用于自己的3nm芯片生產(chǎn),之后再考慮爭(zhēng)取外部客戶(hù)的訂單。 一直
2022-04-18 11:40:403110

三星將中斷12nm DRAM芯片開(kāi)發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報(bào)道稱(chēng),三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開(kāi)發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過(guò)12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星做出過(guò)類(lèi)似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740

三星率先實(shí)現(xiàn)3nm制程工藝量產(chǎn),或?qū)②s超臺(tái)積電

三星與臺(tái)積電同為全球頂尖晶圓代工大廠,近幾年三星的各種評(píng)價(jià)卻開(kāi)始落后于臺(tái)積電,差距也被逐漸拉大,不過(guò)三星沒(méi)有放棄,還是宣稱(chēng)要超越臺(tái)積電。 據(jù)媒體報(bào)道稱(chēng),三星3nm工藝已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)了,而臺(tái)積電
2022-05-22 16:30:312674

要來(lái)了!全球首個(gè)3nm工藝將在下周量產(chǎn),三星欲借此彎道超車(chē)臺(tái)積電

以往人們的印象中,在芯片制造領(lǐng)域三星一直都是遜色于臺(tái)積電的,臺(tái)積電一直都是全球芯片制造領(lǐng)域第一的企業(yè),三星多年都排在第二的位置,沒(méi)能將其超越。 不過(guò)據(jù)日前消息稱(chēng),三星將在下周正式量產(chǎn)3nm工藝
2022-06-23 11:02:071492

成功彎道超車(chē)!三星明天將開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝,搶先臺(tái)積電一步占領(lǐng)市場(chǎng)

今日,據(jù)媒體報(bào)道,三星3nm制程芯片將在明天開(kāi)始量產(chǎn)。 作為晶圓代工界常年第二的三星,一度被臺(tái)積電壓一頭,超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上,不僅要搶在臺(tái)積電前面
2022-06-29 17:01:531839

三星3nm芯片開(kāi)始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大

日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開(kāi)始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱(chēng),其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開(kāi)始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了,根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布,4D(GAA)架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開(kāi)始生產(chǎn)。 4D(GAA)架構(gòu)制程是3
2022-06-30 20:21:522069

2nm、3nm制程什么意思

nm指的是納米,2nm、3nm就是2納米和3納米,而建2nm3nm廠指的就是建造一座制造2納米芯片3納米芯片的工廠!
2022-07-01 15:57:2432943

三星電子率先實(shí)現(xiàn)3nm工藝量產(chǎn) 臺(tái)積電今年計(jì)劃擴(kuò)招10000人

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)近日,三星電子宣布率先實(shí)現(xiàn)3nm工藝量產(chǎn),不過(guò)對(duì)此臺(tái)積電并不擔(dān)心,AMD、英特爾、蘋(píng)果和博通等核心客戶(hù)均沒(méi)有轉(zhuǎn)單三星的意思,而是排隊(duì)等待臺(tái)積電量產(chǎn)消息。不過(guò),作為全球最大的晶圓代工廠商,臺(tái)積電也有自己的煩惱,新人難留就是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2022-07-04 10:09:281740

3nm工藝指的是什么 3nm工藝是極限了嗎

3nm工藝是繼5nm技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電、三星都已經(jīng)宣布了3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)可在2022年實(shí)現(xiàn)。
2022-07-07 09:44:0431030

三星即將公布首顆3nm芯片,或?qū)⑴まD(zhuǎn)訂單數(shù)量

在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域,三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭,不過(guò)在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片,在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周,三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示,這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102256

三星正式宣布3nm芯片出貨,首位客戶(hù)為一家中國(guó)企業(yè)

今日,三星正式宣布了第一批3nm芯片出貨的消息,首位客戶(hù)是一家中國(guó)企業(yè)。 今天上午,三星在首爾舉辦了發(fā)貨儀式,多位高管出席,儀式上正式宣布了首批3nm芯片出貨,并表示首位客戶(hù)是一家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯片
2022-07-25 16:25:143213

三星宣布首批3nm芯片正式出貨

7月25日上午,三星在韓國(guó)首爾南部的華城舉辦典禮,宣布首批3nm芯片正式出貨。
2022-07-26 10:15:582923

三星已找到第二家3nm芯片客戶(hù) 產(chǎn)能開(kāi)始供不應(yīng)求

30日宣布全球首發(fā)量產(chǎn)3nm工藝,并在7月底出貨,他們的3nm首家客戶(hù)是一家中國(guó)礦機(jī)芯片廠商PanSemi(上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司)。 礦機(jī)芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,因此很適合新工藝拿來(lái)練手,不過(guò)礦機(jī)芯片的需求并不高,因此三星并不能指望礦機(jī)公司帶動(dòng)3nm工藝產(chǎn)能
2022-08-11 08:53:311958

蘋(píng)果iPhone 15系列僅Pro版使用3nm工藝A17芯片

  蘋(píng)果的A17處理器采用臺(tái)積電的3nm工藝制造,該工藝使用當(dāng)前成熟的FinFET而不是GAA技術(shù),與三星3nm工藝相比,GAA技術(shù)略顯保守。臺(tái)積電相信目前的FinFET工藝具有更好的成本和能效。
2022-08-18 10:03:374484

三星3nm率先使用GAA 是否更具競(jìng)爭(zhēng)力

而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開(kāi)帷幕。
2022-08-18 11:57:192173

iPhone成為三星與臺(tái)積電的轉(zhuǎn)折 3nm成為三星趕超最大希望

三星確實(shí)也在緊追臺(tái)積電的步伐,去年也量產(chǎn)了4nm芯片,高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產(chǎn)。
2022-09-21 11:54:421196

iPhone15系列或采用3nm蘋(píng)果A17芯片 臺(tái)積電代工

據(jù)報(bào)道,將于2023年下半年推出的iPhone15系列將搭載蘋(píng)果A17仿生芯片,本芯片將有臺(tái)積電代工,采用3nm工藝。據(jù)了解,目前唯一能與臺(tái)積電在先進(jìn)技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)的是三星電子,然而三星3nm工藝制程上落后臺(tái)積電,三星第二代3nm工藝最快要到2024年,因此蘋(píng)果A17將由臺(tái)積電代工。 
2022-10-10 15:20:563517

芯片制程到3nm后如何突破良率難題?

芯片晶圓代工產(chǎn)品舉行了出廠儀式。才過(guò)4個(gè)月不到,韓國(guó)媒體Naver就爆出,三星3nm制程的良率非常低,不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問(wèn)題也遲遲沒(méi)有得到改善。 其實(shí),三星電子從2000年初就已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開(kāi)始,將其正式應(yīng)用到3納米工藝,并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455

三星3nm良率已經(jīng)超過(guò)臺(tái)積電?

目前三星在4nm工藝方面的良率為75%,稍低于臺(tái)積電的80%。然而,通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展,三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:424327

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn) 首家客戶(hù)及芯片型號(hào)被曝光

大約一年前,三星正式開(kāi)始采用其 SF3E(3nm 級(jí)、早期全柵)工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片,但沒(méi)有無(wú)晶圓廠芯片設(shè)計(jì)商證實(shí)其產(chǎn)品使用了該節(jié)點(diǎn)。
2023-07-19 17:13:331817

三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始,首個(gè)客戶(hù)是中國(guó)礦機(jī)芯片公司

三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。
2023-07-20 11:20:003104

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)

一篇拆解報(bào)告,稱(chēng)比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290

三星3nm GAA完整晶圓遭遇難產(chǎn),良率僅50%

三星向中國(guó)客戶(hù)提供了第一個(gè)3nm gaa,但新的報(bào)告顯示,這些芯片的實(shí)際形態(tài)并不完整,缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉,由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片,因此三星轉(zhuǎn)包工廠的收益率只有臺(tái)灣產(chǎn)產(chǎn)的50%。3nm gaa雖然比f(wàn)infet優(yōu)秀,但在生產(chǎn)效率上存在問(wèn)題。
2023-10-12 10:10:201487

三星為新客戶(hù)代工3nm服務(wù)器芯片:GAA結(jié)構(gòu),SiP封裝

半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司ad technology于10月10日宣布,與海外客戶(hù)簽訂了利用gaa(全環(huán)繞柵極)結(jié)構(gòu)的3nm基礎(chǔ)2.5d服務(wù)器芯片設(shè)計(jì)合同,并委托三星進(jìn)行設(shè)計(jì)。使用sip封裝工藝整合hbm高帶寬內(nèi)存。
2023-10-17 14:18:001534

全球首顆3nm電腦來(lái)了!蘋(píng)果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代

前兩代M1和M2系列芯片均采用5nm制程工藝,而M3系列芯片的發(fā)布,標(biāo)志著蘋(píng)果Mac電腦正式進(jìn)入3nm時(shí)代。 3nm利用先進(jìn)的EUV(極紫外光刻)技術(shù),可制造極小的晶體管,一根頭發(fā)的橫截面就能容納兩百萬(wàn)個(gè)晶體管。蘋(píng)果用這些晶體管來(lái)優(yōu)化新款芯片的每個(gè)組件。
2023-11-07 12:39:131461

三星代工獲AMD大單!

內(nèi)情人士透露,AMD採(cǎi)用Zen 5c架構(gòu)的新一代芯片包含眾多型號(hào),其中低階芯片將由三星4nm制程代工,高階芯片則由臺(tái)積電3nm制程代工。業(yè)界認(rèn)為臺(tái)積電3nm制程技術(shù)在完整性、整合度及效能表現(xiàn)上還不夠成熟,因此對(duì)AMD而言三星4nm制程與臺(tái)積電3nm制程技術(shù)相當(dāng)。
2023-11-17 16:37:291129

三星3nm良率 0%!

來(lái)源:EETOP,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報(bào)道,表示三星3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題,在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機(jī)的Exynos
2024-02-04 09:31:131431

三星電子3nm工藝良率低迷,始終在50%左右徘徊

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng),三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念,并沒(méi)有明確指出具體的工藝類(lèi)型。知情者透露,盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過(guò)60%
2024-03-07 15:59:191611

三星電子開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)

據(jù)外媒報(bào)道,三星電子已開(kāi)始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around(GAA)工藝的片上系統(tǒng)(SoC),預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24:321250

三星3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器實(shí)現(xiàn)首次流片

據(jù)行業(yè)內(nèi)部可靠消息,三星已成功完成了其先進(jìn)的3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)的設(shè)計(jì),并通過(guò)自家代工部門(mén)實(shí)現(xiàn)了這一重要產(chǎn)品的首次流片。這一里程碑的進(jìn)展不僅標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)突破,也進(jìn)一步
2024-05-09 09:32:48851

消息稱(chēng)三星第二代3nm產(chǎn)線將于下半年開(kāi)始運(yùn)作

三星電子近日宣布,將在7月的巴黎Galaxy Unpacked活動(dòng)中,向全球展示其最新研發(fā)的3nm技術(shù)芯片Exynos W1000。這款尖端芯片將首次應(yīng)用于下一代Galaxy系列智能手表Galaxy Watch7和高端智能手機(jī)Galaxy S25,標(biāo)志著三星在智能設(shè)備核心技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。
2024-05-14 10:27:39776

臺(tái)積電3nm工藝穩(wěn)坐釣魚(yú)臺(tái),三星因良率問(wèn)題遇冷

近日,全球芯片代工領(lǐng)域掀起了不小的波瀾。據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電在3nm制程的芯片代工價(jià)格上調(diào)5%之后,依然收獲了供不應(yīng)求的訂單局面。而與此同時(shí),韓國(guó)的三星電子在3nm工藝上卻遭遇了前所未有的尷尬,其3nm工藝至今未能獲得任何大客戶(hù)的青睞。
2024-06-22 14:23:431704

三星3nm芯片良率低迷,量產(chǎn)前景不明

近期,三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn),其最新的Exynos 2500芯片3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷,目前仍低于20%,遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星半導(dǎo)體制造能力的質(zhì)疑,同時(shí)也使得該芯片未來(lái)能否順利應(yīng)用于Galaxy S25系列旗艦智能手機(jī)充滿(mǎn)了不確定性。
2024-06-24 18:22:362240

三星首款3nm可穿戴設(shè)備芯片Exynos W1000發(fā)布

在科技日新月異的今天,三星再次以其卓越的創(chuàng)新能力震撼業(yè)界,于7月3日正式揭曉了其首款采用頂尖3nm GAA(Gate-All-Around)先進(jìn)工藝制程的可穿戴設(shè)備系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC
2024-07-05 15:22:032514

臺(tái)積電3nm今年底投片,蘋(píng)果成第一家客戶(hù)!三星GAA和臺(tái)積電FinFET,誰(shuí)更有競(jìng)爭(zhēng)力?

及M3系列處理器,都會(huì)導(dǎo)入臺(tái)積電3nm芯片。 ? 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星3nm之爭(zhēng)似
2022-08-18 08:25:003948

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