多年以來(lái)，在純邏輯制程方面，英特爾都可以理直氣壯地聲稱其工藝領(lǐng)先所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。2007年英特爾在45nm節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入HKMG工藝（High-K絕緣層+金屬柵極），直到2010年左右，HKMG才在整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)界普及。2011年英特爾在22nm節(jié)點(diǎn)引入FinFET工藝，直到2014年大部分競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手才實(shí)現(xiàn)了FinFET工藝。從22nm推進(jìn)到14nm，英特爾理應(yīng)比其他廠商更順利一些，因?yàn)橛⑻貭栔恍枰s小工藝尺寸，而其他廠商既要導(dǎo)入FinFET工藝，又要縮減尺寸，但是英特爾在14nm上卻栽了大跟頭。

　　英特爾在2007、2009和2011年分別進(jìn)入45nm、32nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)，14nm工藝按計(jì)劃應(yīng)該在2013年推出，但是英特爾直到2014年才推出14nm工藝，比計(jì)劃晚了好幾個(gè)季度。

　　三星則跳過(guò)了20nm，在2014年底直接進(jìn)入14nm工藝，只比英特爾晚了一點(diǎn)點(diǎn)。三星最早的14nm工藝被稱為“14LPE”，在“14LPE”之后，三星將推出提升性能的“14LPP”工藝。三星也將14nm工藝授權(quán)給GlobalFoundries，從而使IC設(shè)計(jì)公司有更多的14nm工藝選擇。

　　臺(tái)積電對(duì)抗14nm工藝的制程被其稱為“16FF”，這種16nm FinFET工藝在2014年末引入，2015年量產(chǎn)。2015年下半年臺(tái)積電還將量產(chǎn)一款提高性能的“16FF+”工藝。

　　有兩點(diǎn)需要說(shuō)明一下。英特爾公布的工藝導(dǎo)入日期是英特爾處理器導(dǎo)入新工藝的時(shí)間，而晶圓代工廠公布的工藝導(dǎo)入日期是系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）導(dǎo)入新工藝的時(shí)間。由于系統(tǒng)級(jí)芯片比處理器要支持更多的設(shè)備，所以系統(tǒng)級(jí)芯片所采用的工藝一般比處理器更復(fù)雜。相同的工藝節(jié)點(diǎn)，英特爾的系統(tǒng)級(jí)芯片工藝導(dǎo)入時(shí)間一般比處理器工藝導(dǎo)入時(shí)間晚一年。第二點(diǎn)，晶圓代工廠的14nm工藝指只縮減了前道工藝的尺寸，后道工藝還是20nm工藝的水平，英特爾的前道工藝與后道工藝都進(jìn)行了縮減，因此英特爾的工藝尺寸比其他晶圓廠都要小。 顯然晶圓代工廠在14nm工藝的遷移比英特爾更順利，這種狀況對(duì)于這些晶圓代工廠意味著什么呢？

　　28nm

　　28nm時(shí)臺(tái)積電是晶圓代工廠的領(lǐng)頭羊，蘋(píng)果因此把應(yīng)用處理器的訂單從三星轉(zhuǎn)移到了臺(tái)積電。14nm/16nm節(jié)點(diǎn)上，蘋(píng)果的業(yè)務(wù)仍然是臺(tái)積電最大的收入來(lái)源，但是蘋(píng)果把代工業(yè)務(wù)分給了三星和臺(tái)積電，而且三星的訂單更早一些。高通也把部分訂單從臺(tái)積電挪到三星。顯而易見(jiàn)，三星14nm的順利量產(chǎn)使得它從臺(tái)積電那里搶了不少生意。

　　14nm

　　14nm工藝推遲對(duì)于英特爾的影響難以判斷，英特爾僅有很少的代工業(yè)務(wù)，因此至少現(xiàn)在代工方面對(duì)于英特爾沒(méi)有實(shí)質(zhì)影響。英特爾最主要的業(yè)務(wù)是PC處理器，在這個(gè)市場(chǎng)和AMD歷經(jīng)多年拼殺，終于憑借先進(jìn)的工藝和制造優(yōu)勢(shì)迫使AMD賣掉了晶圓廠?，F(xiàn)在英特爾在PC處理器市場(chǎng)近乎壟斷地位，從現(xiàn)在的市場(chǎng)來(lái)看，14nm工藝推遲對(duì)于英特爾的PC業(yè)務(wù)不會(huì)有實(shí)質(zhì)性影響。工藝延緩或許對(duì)財(cái)務(wù)會(huì)造成不利影響，但是英特爾整個(gè)2014年的毛利仍然很高，所以這方面的影響也可以忽略。

　　10nm

　　本來(lái)根據(jù)英特爾的計(jì)劃，10nm工藝應(yīng)該在2015年推出，但是現(xiàn)在至少要推遲到2016年下半年或者2017年上半年。與14nm類似，英特爾在10nm跳票嚴(yán)重。

　　三星已經(jīng)展示了10nm的晶圓，并表示他們將在2017年量產(chǎn)10nm工藝。

　　臺(tái)積電也在緊攻10nm工藝，宣稱將在2016年第二季度試產(chǎn)10nm工藝，并在2016年末正式開(kāi)始量產(chǎn)?；旧线@三家公司在10nm工藝進(jìn)度上是前后腳的關(guān)系。 三星和臺(tái)積電誰(shuí)能夠在10nm工藝競(jìng)賽中領(lǐng)先，誰(shuí)就能夠得到更多蘋(píng)果的代工業(yè)務(wù)?，F(xiàn)在三星和臺(tái)積電在10nm工藝開(kāi)發(fā)上進(jìn)展都非常好，不過(guò)GlobalFoundries的10nm工藝進(jìn)展則是一個(gè)謎，GlobalFoundries最近把IBM的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)買了下來(lái)，通過(guò)IBM的資源，GlobalFoundries現(xiàn)在開(kāi)始開(kāi)發(fā)自己的10nm工藝。

　　英特爾的10nm工藝何時(shí)量產(chǎn)難以預(yù)測(cè)。英特爾剛剛收購(gòu)了Altera，10nm工藝對(duì)于生產(chǎn)Altera的產(chǎn)品很重要。工藝推遲肯定會(huì)影響到英特爾的財(cái)務(wù)狀況，但是對(duì)于英特爾PC處理器的影響很難看清楚。

聯(lián)發(fā)科刷存在感

與高通驍龍820、三星Exynos 8890還有蘋(píng)果A10 Fusion相比，今年的聯(lián)發(fā)科似乎少了些存在感。不過(guò)按照計(jì)劃聯(lián)發(fā)科將在明年上半年祭出HelioX30和Helio X35兩款重量級(jí)產(chǎn)品，而現(xiàn)在的最新消息是二者會(huì)采用臺(tái)積電的10nm工藝，性能方面相比之前應(yīng)該有較大提升。

據(jù)了解，HelioX30曾準(zhǔn)備使用16nm工藝，或許是為了增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力聯(lián)發(fā)科才調(diào)整為10nm工藝。這顆旗艦級(jí)芯片將為10核心設(shè)計(jì)，集成兩顆主頻為2.8GHz的Cortex-A73高性能核心，四顆2.2GHz Cortex-A53核心與四顆2.0GHz Cortex-A35核心，兼顧了高性能與節(jié)能需要。而在其他方面，HelioX30將支持最高8GB LPDDR4內(nèi)存以及Cat.12網(wǎng)絡(luò)，GPU則從之前的ARM Mali系列改用兼容谷歌Daydream VR的Imagination PowerVR系列。

至于Helio X35應(yīng)該定位要低于HelioX30，二者架構(gòu)方面基本一致，但Helio X35的核心主頻要低一些，主要面向中高端設(shè)備。按照計(jì)劃，HelioX30和Helio X35的量產(chǎn)工作將在今年年末至明年年初啟動(dòng)，搭載這兩款處理器的設(shè)備則會(huì)稍晚一點(diǎn)到來(lái)。