9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示,旺宏將在
2019-12-14 09:51:29
5966 IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司,日前,該公司表示目前正在策劃如何及何時(shí)將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:45
1729 2012至2016年全球3D IC市場(chǎng)的年復(fù)合成長(zhǎng)率為19.7%,成長(zhǎng)貢獻(xiàn)主要來(lái)自行動(dòng)運(yùn)算裝置的記憶體需求大幅增加,3D IC 可以改善記憶體產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與可靠度,并可協(xié)助減低成本與縮小產(chǎn)品尺寸。
2013-07-23 17:32:42
1722 )亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash,業(yè)界預(yù)期未來(lái)3~4年內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)既有平衡競(jìng)局恐將被打破。
2015-10-09 09:40:15
980 紅色供應(yīng)鏈來(lái)勢(shì)洶洶,外界原本認(rèn)為,陸廠要到四五年后才能在存儲(chǔ)器搶下一席之地,不過(guò)有分析師預(yù)測(cè),陸廠研發(fā)腳步迅速,可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。
2016-05-10 09:56:54
1428 
近日中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計(jì)劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND,及它的投資240億美元的計(jì)劃。
2016-05-24 10:29:50
1676 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了,TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。
2016-07-13 10:32:43
7470 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:06
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隨著國(guó)家存儲(chǔ)器基地落戶湖北,該省的產(chǎn)業(yè)鏈條也在加速完善,以沖擊中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)第四極。
2016-10-27 10:13:00
803 目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 要做好3D打印材料這篇大文章,縮小與國(guó)際差距。 2016年3D打印線材迭代更新 打破產(chǎn)業(yè)瓶頸指日可待 近幾年來(lái),3D打印行業(yè)的發(fā)展可謂是如火如荼,但在發(fā)展過(guò)程中,其限制因素也逐漸暴露3D打印材料。
2016-11-26 09:08:11
1034 今日,由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式動(dòng)工,預(yù)計(jì) 2018年建成投產(chǎn),2020年完成整個(gè)項(xiàng)目,初期計(jì)劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品
2016-12-31 01:52:11
4140 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)(SSD),NAND Flash需求正快速成長(zhǎng),各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:12
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2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:24
1161 近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:23
2091 孕育了很長(zhǎng)時(shí)間的藍(lán)牙Mesh將兩種mesh網(wǎng)絡(luò)模式相結(jié)合,提供可控的泛洪,僅允許類似的設(shè)備(比如家里所有通過(guò)藍(lán)牙連接的照明設(shè)備)之間以“鋪蓋”的方式互相通信,而非近距離范圍內(nèi)的所有藍(lán)牙設(shè)備。藍(lán)牙Mesh的廣泛應(yīng)用指日可待,尤其在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。
2017-09-27 14:33:47
4645 通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái),促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:52
13248 
Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:29
3528 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃,美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:15
4889 什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,NAND閃存顆粒根據(jù)存儲(chǔ)原理分為SLC、MLC、TLC和QLC,從結(jié)構(gòu)上又可分為2D、3D兩大類
2024-12-17 17:34:06
成功,認(rèn)真投入3D技術(shù)研發(fā),而且正要進(jìn)入量產(chǎn)的一個(gè)工廠--武漢存儲(chǔ)基地,原本計(jì)劃的是一個(gè)10萬(wàn)片產(chǎn)能的平面一層工廠,現(xiàn)在可以做15萬(wàn),2019年這個(gè)廠也將真正進(jìn)入量產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在積極趕上。`
2018-09-20 17:57:05
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的rom來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane,而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
汽車(chē)是除了航天航空外應(yīng)用3D打印最為密集的行業(yè)之一,據(jù)SmarTech預(yù)測(cè),到2023年這個(gè)市場(chǎng)有望達(dá)到22.7億美元,折合為人民幣則將近150億。
2016-11-28 09:54:11
1415 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn),韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出,海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì),位在利川(Icheon)的M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:11
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存儲(chǔ)介質(zhì)革命是當(dāng)今“雙輪驅(qū)動(dòng)”存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新源泉之一,未來(lái)是閃存的時(shí)代,3D NAND被寄予厚望,投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目日前也在武漢動(dòng)工,無(wú)不表明3D NAND制造在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的重要性。
2017-01-09 17:29:12
781 iphone 8 流傳會(huì)取消Home 鍵,這個(gè)專利也許會(huì)帶來(lái)關(guān)鍵技術(shù)。另一方面早前有蘋(píng)果專利利用孔洞技術(shù),令一些放在手機(jī)前方的元件例如前置鏡頭、話筒等等隱藏在屏幕之后,兩個(gè)專利加上來(lái),iphone 8全屏幕無(wú)邊框指日可待。
2017-02-15 11:03:33
1010 
的廠商競(jìng)爭(zhēng),以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲(chǔ)器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 骨之所以沒(méi)有隨著其他骨骼3D打印技術(shù)的進(jìn)步而被一同推向市場(chǎng),主要原因在于其質(zhì)地與普通骨骼十分不同。迄今為止,成功植入骨折或骨骼畸形患者體內(nèi)的3D打印骨骼大多都是金屬材質(zhì),而用于制作3D打印軟骨的主要
2017-11-09 17:31:36
1251 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長(zhǎng)江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠,另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:40
2401 在2017年就在傳言的攜號(hào)轉(zhuǎn)網(wǎng)和無(wú)限流量服務(wù)一直未能到來(lái),但是。2018年隨著5G時(shí)代的到來(lái),對(duì)消費(fèi)者的終端設(shè)備或應(yīng)用將會(huì)有更好的體驗(yàn)方式,同時(shí)攜號(hào)轉(zhuǎn)網(wǎng)和無(wú)限流量也將指日可待。
2018-01-12 12:03:39
9289 在國(guó)家企業(yè)資本和政策雙加持下,我國(guó)的人工智能產(chǎn)業(yè)越發(fā)繁榮,同時(shí)英偉達(dá)作為我們首要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,國(guó)內(nèi)涌出一大波的AI初創(chuàng)公司,比如科大訊飛,寒武紀(jì),中國(guó)實(shí)力在不斷增強(qiáng),中國(guó)AI芯片企業(yè)離掀翻英偉達(dá)指日可待。
2018-01-22 10:10:27
3742 
NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng),但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00
800 位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝,這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:00
2457 萬(wàn)勇透露,武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地計(jì)產(chǎn)能10萬(wàn)片/月的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房,首個(gè)芯片會(huì)在2018年點(diǎn)亮,明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國(guó)務(wù)院批復(fù)的武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地,規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:00
4018 4月11日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:00
10302 位于湖北武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)4月11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝,這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-04-27 11:52:00
5224 的平面閃存,3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝,技術(shù)工藝差別較大,而且相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō),國(guó)際大廠在3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。
2018-06-20 17:17:49
5087 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展,2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈,其中,三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱,東芝存儲(chǔ)器(TMC)96層3D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨,代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開(kāi)序幕。
2018-08-05 11:50:16
1646 在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(國(guó)家存儲(chǔ)器基地),紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露,中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:14
6351 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:39
5421 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:00
2770 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù),2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中,NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品,2015年?duì)I收達(dá)到267億美元,占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:00
1863 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露,該公司已切入3D NAND Flash開(kāi)發(fā),預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn),并進(jìn)軍固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)。
2018-09-17 16:30:30
2159 近日,備受業(yè)界關(guān)注的“2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)”在深圳開(kāi)幕,來(lái)自三星、美光、西部數(shù)據(jù)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、慧榮科技、群聯(lián)電子以及江波龍等全球存儲(chǔ)界大廠以及英特爾、谷歌等科技界巨頭的代表們齊聚一堂,圍繞“全球閃存市場(chǎng)的最新發(fā)展、技術(shù)的演進(jìn)以及行業(yè)應(yīng)用”等話題展開(kāi)了深度探討。
2018-09-27 16:19:31
2199 ?由于國(guó)家政策和大基金的支持,中國(guó)大陸現(xiàn)在也把存儲(chǔ)芯片作為重點(diǎn)來(lái)抓,3D NAND也順理成章成為廣大廠商關(guān)注的重點(diǎn),早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技(XMC)很早已經(jīng)在武漢開(kāi)工建設(shè)12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39
780 根據(jù)紫光官方的消息,10月12日,紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝,將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線,并開(kāi)展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:40
2936 目前,生物3D技術(shù)已經(jīng)從傳統(tǒng)僅注重結(jié)構(gòu)和形狀的制造,拓展到構(gòu)建體外細(xì)胞結(jié)構(gòu)體和生物裝置,并應(yīng)用于再生醫(yī)學(xué)、病理學(xué)、藥理學(xué)和藥物檢測(cè)模型,以及基于細(xì)胞和微流體裝置的細(xì)胞、組織、器官等高級(jí)生物和醫(yī)療器械產(chǎn)品。
2018-10-28 09:46:34
5315 全球 3D NAND 價(jià)格近來(lái)快速崩跌,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)肩負(fù)打破國(guó)內(nèi)“零”存儲(chǔ)自制率之重任,以”光速”的氣勢(shì)加入這場(chǎng)存儲(chǔ)世紀(jì)大戰(zhàn)。除了武漢 12 寸廠進(jìn)入生產(chǎn),南京廠也將于年內(nèi)動(dòng)工,加上成都廠
2018-11-30 09:16:25
2791 技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:46
7716 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47
1294 昨日,紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司發(fā)布信息,宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示,這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破,也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:00
5697 2019新年伊始,紫光“官宣”旗下紫光宏茂微電子成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。
2019-01-11 09:56:31
5732 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:12
2056 現(xiàn)在,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示,公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:00
3069 根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:00
2725 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過(guò)于求的現(xiàn)象,制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:39
3096 據(jù)中新網(wǎng)8月3日?qǐng)?bào)道, 國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)二階段工程項(xiàng)目中低壓配電系統(tǒng)已經(jīng)受電成功,終端機(jī)臺(tái)的電力供給得到保證,芯片的目標(biāo)量產(chǎn)指日可待。
2019-08-05 15:48:30
3214 在存儲(chǔ)領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)廠商一直沒(méi)有太多發(fā)言權(quán),但如今隨著中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)的不斷發(fā)展,已經(jīng)取得了相當(dāng)不俗的成就,近日根據(jù)報(bào)道,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)二階段工程項(xiàng)目中低壓配電系統(tǒng)日前已受電成功,終端機(jī)臺(tái)的電力供給得到保證,芯片的目標(biāo)量產(chǎn)指日可待。
2019-08-06 16:25:30
971 長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)
2019-09-03 10:07:02
1788 據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:32
1643 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:16
2374 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41
1115 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:00
5147 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09
1144 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:24
1455 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:05
3808 1 月 16 日訊,據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 副董事長(zhǎng)楊道虹表示,2019 年,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-16 14:06:02
1539 根據(jù)消息報(bào)道,西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布,他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功,第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開(kāi)始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn),今年下半年可能會(huì)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:34
5210 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露,該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃,美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:52
2011 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:15
2895 據(jù)通用技術(shù)集團(tuán)消息,經(jīng)過(guò)前期科學(xué)有序的疫情防控和復(fù)工復(fù)產(chǎn)準(zhǔn)備,日前武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地施工生產(chǎn)加速推進(jìn),現(xiàn)場(chǎng)300余名工人已經(jīng)投入到各項(xiàng)工作。
2020-04-15 16:20:42
1980 隨著武漢重啟,新興建設(shè)承建的國(guó)家級(jí)高科技重點(diǎn)項(xiàng)目武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地,經(jīng)過(guò)前期科學(xué)有序的疫情防控和復(fù)工復(fù)產(chǎn)準(zhǔn)備,日前,項(xiàng)目施工生產(chǎn)加速推進(jìn),現(xiàn)場(chǎng)300余名工人已經(jīng)投入到各項(xiàng)工作。
2020-04-16 10:06:40
4435 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:09
1627 Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:16
2690 近日,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開(kāi)工,據(jù)悉,國(guó)家存儲(chǔ)器基地的項(xiàng)目是由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),這項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。
2020-09-18 14:54:18
3051 存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:55
3696 日前,TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講,詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:18
3722 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:13
3095 上,TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講,詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:44
4306 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:49
3617 發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:37
4583 打孔屏一直遭到很多網(wǎng)友的反感,但這也是沒(méi)有辦法的辦法,畢竟屏下攝像頭還有很多的物理障礙需要突破。手機(jī)行業(yè)巨頭三星在很早的時(shí)候就開(kāi)始研究 UDC 技術(shù),并有多項(xiàng)技術(shù)專利獲批。三星再曝屏下攝像頭新專利,消滅打孔屏指日可待。
2021-01-08 10:35:28
3041 。這也標(biāo)志著由中國(guó)超高清視頻產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟推出的HDR Vivid標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始商用落地。據(jù)悉,目前已有包括上游芯片、內(nèi)容制作、顯示終端在內(nèi)的多家超高清產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)共同推進(jìn)CUVA HDR應(yīng)用進(jìn)程,HDR Vivid標(biāo)準(zhǔn)全面商用指日可待。
2021-02-03 08:55:00
5458 由此可見(jiàn),距時(shí)速600KM/H高速磁懸浮列車(chē)落地實(shí)用指日可待。但雖說(shuō)時(shí)速600KM/H高速磁懸浮列車(chē)正在來(lái)的路上,具體中國(guó)居民啥時(shí)候能乘坐它出行呢?對(duì)此問(wèn)題,日前,官方作出了回應(yīng)。
2021-04-23 08:07:04
1699 NAND Flash。2007年,東芝推出3D NAND,三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊(stack)和架構(gòu),存儲(chǔ)密度隨時(shí)間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:35
2730 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4227 最近,三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示,計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:05
2015 據(jù)悉,東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加,如果層數(shù)增加,就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49
1360 在3D實(shí)現(xiàn)方面,存儲(chǔ)器比邏輯更早進(jìn)入實(shí)用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝,所有公司都放棄了小型化,轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲(chǔ)單元的三維堆疊,以提高每芯片面積的位密度。它被稱為“ 3D(三維)NAND ” 。
2023-12-02 16:38:40
2967 
2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲(chǔ)器)的一種。
2024-03-17 15:31:39
2376 
在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:14
4822 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲(chǔ)器。三星也在此前表示,將在
2024-06-29 00:03:00
8061
評(píng)論