。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場(chǎng)需求增加，各存儲(chǔ)器業(yè)者為擴(kuò)大或升級(jí)3D NAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項(xiàng)支出分別年增92%與16%，達(dá)276億與319億美元，均高于各當(dāng)年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲(chǔ)
2019-01-23 09:24:56
1391 最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年年底預(yù)計(jì)正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:512672 臺(tái)灣專(zhuān)用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295966 歐盟宣布將增加4條先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)計(jì)劃，包括發(fā)光二極管和450mm晶圓等。此前，歐盟宣布建設(shè)全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）試生產(chǎn)線。該五條芯片試生產(chǎn)線項(xiàng)目是歐盟于5月23日宣布的“歐洲電子策略
2013-06-03 09:45:281000 ）亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash，業(yè)界預(yù)期未來(lái)3~4年內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)既有平衡競(jìng)局恐將被打破。
2015-10-09 09:40:15980 句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì)，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
今日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式動(dòng)工，預(yù)計(jì) 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，初期計(jì)劃以先進(jìn)的3D NAND為策略產(chǎn)品
2016-12-31 01:52:114140 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:232091 借由此案進(jìn)入3D NAND代工，更說(shuō)服東芝在臺(tái)灣設(shè)廠生產(chǎn)，此舉目的是擊破三星電子長(zhǎng)期來(lái)以存儲(chǔ)器利潤(rùn)補(bǔ)貼邏輯虧損的策略，一報(bào)大客戶高通（Qualcomm）被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24844 通過(guò)3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來(lái)，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 對(duì)相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)行了重新聚焦：壓縮了NAND部分產(chǎn)品線。 紫光存儲(chǔ)方面表示，未來(lái)隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND穩(wěn)步量產(chǎn)，相關(guān)業(yè)務(wù)將逐步轉(zhuǎn)移到長(zhǎng)江存儲(chǔ)；同時(shí)，還將增強(qiáng)DRAM部分產(chǎn)品線。 去年9月2日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)中國(guó)首款
2020-03-19 09:18:226283 據(jù)路透社報(bào)道，鎧俠Kioxia于本周四（10月29日）表示，將在日本中部新建一條NAND存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)線，以滿足智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車(chē)等領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。
2020-10-29 11:22:522536 東芝官網(wǎng)顯示，3月10日，東芝發(fā)布功率器件業(yè)務(wù)重大投資消息，表示準(zhǔn)備開(kāi)工建設(shè)300mm晶圓制造廠。據(jù)其披露，東芝將在日本石川縣加賀東芝電子公司新建一條300mm晶圓生產(chǎn)線，以提高功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，該生產(chǎn)線計(jì)劃于2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。不過(guò)，東芝未在新聞稿中披露具體投資額。
2021-03-11 09:28:134520 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題： Altium designer 的3D封裝在機(jī)械層是有線的，我的板子在機(jī)械層也畫(huà)了線來(lái)切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中，3D封裝位于機(jī)械層的線是否會(huì)影響加工效果。請(qǐng)實(shí)際操作過(guò)的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
密度，制造商開(kāi)發(fā)了3D NAND或V-NAND(垂直NAND)技術(shù)，該技術(shù)將Z平面中的存儲(chǔ)單元堆疊在同一晶圓上。
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3D NAND, 即立體堆疊技術(shù)，如果把2D NAND看成平房，那么3D
2024-12-17 17:34:06
2.5V NAND，有效降低功耗，未來(lái)EDSFF將在散熱方面會(huì)有更杰出的表現(xiàn)，同時(shí)也希望對(duì)NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長(zhǎng)江存儲(chǔ)：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個(gè)示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
為我國(guó)最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬(wàn)片晶圓，而在去年七月份紫光集團(tuán)還參與了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的投資，計(jì)劃投資1600億元，打造國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫(xiě)壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫(xiě)錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱(chēng)之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
中圖儀器WD4000晶圓硅片表面3D量測(cè)系統(tǒng)采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密 Z 向掃描模塊和高精度 3D 重建算法，Z 向分辨率最高可到 0. 1nm。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大
2024-10-25 16:46:20
Maxim近期已經(jīng)通過(guò)300mm晶圓生產(chǎn)線的模擬產(chǎn)品驗(yàn)證并開(kāi)始供貨。這一重大舉措進(jìn)一步確立了Maxim在模擬/混和信號(hào)
2010-11-12 08:56:43934 2013年9月3日——領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器解決方案供應(yīng)商奧地利微電子公司（SIX股票代碼：AMS）今日宣布投資逾2，500萬(wàn)歐元在其位于奧地利格拉茨附近的晶圓制造工廠，用以建立3D IC專(zhuān)用的生產(chǎn)線。
2013-09-03 14:55:341433 全球包括高階制程、3D NAND Flash及大陸半導(dǎo)體業(yè)者對(duì)于12寸晶圓代工產(chǎn)能需求大增，導(dǎo)致硅晶圓供應(yīng)缺口持續(xù)擴(kuò)大，近期全球三大硅晶圓廠信越（Shin-Etsu）、Sumco、德國(guó)
2016-12-21 09:30:561358 ，投資規(guī)模累計(jì)超過(guò)100億美元，這也將是格羅方德在中國(guó)最大和最先進(jìn)的晶圓制造基地。一期建設(shè)主流CMOS工藝12英寸晶圓生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2018年底投產(chǎn)；主要為0.13微米、0.18微米，從新加坡轉(zhuǎn)移至成都，產(chǎn)能2萬(wàn)片/月。
2017-02-10 14:39:173908 技術(shù)的基礎(chǔ)上， 該公司運(yùn)用其深厚的重直整合能力，開(kāi)發(fā)出X4 3D NAND技術(shù)，包括硅晶圓加工、裝置工程（在每個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上提供16個(gè)不同的資料等級(jí)）、和系統(tǒng)專(zhuān)門(mén)技術(shù)（用于整體閃存管理）。
2017-07-26 16:07:111246 的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問(wèn)題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長(zhǎng)江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠，另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:402401 集微網(wǎng)消息，1月9日，英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之后分道揚(yáng)鑣。今日臺(tái)灣DIGITIMES報(bào)道指出，業(yè)界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場(chǎng)，不僅
2018-01-10 19:43:16679 上周，隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年，英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:0010302 京東方（BOE）作為中國(guó)面板巨擘，目前已經(jīng)在四川成都和綿陽(yáng)布局了2條第6代柔性AMOLED生產(chǎn)線，其中成都線是中國(guó)第一條柔性AMOLED生產(chǎn)線，也是全球第2條量產(chǎn)的6代柔性AMOLED產(chǎn)線。而綿陽(yáng)
2018-05-02 10:32:003835 的平面閃存，3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō)，國(guó)際大廠在3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。
2018-06-20 17:17:495087 韓國(guó)第二大存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士宣布，將與中國(guó)成立新的合資企業(yè)，并于今年下半年興建新的200毫米晶圓代工生產(chǎn)線。
2018-07-17 11:33:525114 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專(zhuān)利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類(lèi)存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類(lèi)電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001863 ?由于國(guó)家政策和大基金的支持，中國(guó)大陸現(xiàn)在也把存儲(chǔ)芯片作為重點(diǎn)來(lái)抓，3D NAND也順理成章成為廣大廠商關(guān)注的重點(diǎn)，早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技（XMC）很早已經(jīng)在武漢開(kāi)工建設(shè)12英寸晶圓廠
2018-10-08 15:52:39780 再投240億美元，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地成又一個(gè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)！ 繼2016年12月30日，紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資為240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家
2018-10-15 17:07:021241 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱(chēng)紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開(kāi)展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷(xiāo)售。
2018-10-16 15:58:402936 10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)隆重舉行。
2018-10-18 09:34:1711110 華潤(rùn)12吋晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目投資約100億元，建設(shè)國(guó)內(nèi)首座本土企業(yè)的12吋功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2018-11-08 10:15:139889 全球 3D NAND 價(jià)格近來(lái)快速崩跌，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)肩負(fù)打破國(guó)內(nèi)“零”存儲(chǔ)自制率之重任，以”光速”的氣勢(shì)加入這場(chǎng)存儲(chǔ)世紀(jì)大戰(zhàn)。除了武漢 12 寸廠進(jìn)入生產(chǎn)，南京廠也將于年內(nèi)動(dòng)工，加上成都廠
2018-11-30 09:16:252791 技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563714 昨日，紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司發(fā)布信息，宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示，這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破，也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697 紫光集團(tuán)存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)略規(guī)劃，紫光宏茂自2018年4月起，開(kāi)始建設(shè)全新3D NAND封裝測(cè)試產(chǎn)線，組建團(tuán)隊(duì)，研發(fā)先進(jìn)封測(cè)技術(shù)。
2019-01-12 10:28:003677 SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同，受存儲(chǔ)器行情影響，營(yíng)收和營(yíng)益驟減，對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對(duì)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 據(jù)悉，紫光在四川的產(chǎn)業(yè)布局宏大，總投資已超2000億元，建設(shè)周期需3年-5年。而紫光在成都芯片的布局比較深入，主要包括服務(wù)器的芯片的研發(fā)，安全芯片的研發(fā)，存儲(chǔ)芯片、移動(dòng)通訊芯片的相關(guān)研。目前，紫光
2019-06-27 16:52:347562 SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進(jìn)硅芯片性能的3D納米管晶圓。
2019-07-26 14:03:463706 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過(guò)于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 根據(jù)臺(tái)積電在第二十四屆年度技術(shù)研討會(huì)中的說(shuō)明，SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù)，是一種晶圓對(duì)晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術(shù)，這是一種3D IC制程技術(shù)，可以讓臺(tái)積電具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。
2019-08-14 11:21:064993 
單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021788 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS（閃存技術(shù)峰會(huì)）首次公開(kāi)的3D NAND架構(gòu)，榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 據(jù)SEMI最新報(bào)告，2019年底，將有15個(gè)新Fab廠開(kāi)工建設(shè)，總投資金額達(dá)380億美元。在全球新建的Fab廠中，約有一半用于200毫米（8英寸）晶圓尺寸。自2000年以來(lái)，芯片廠家逐漸遷移到更高
2019-09-23 16:21:165373 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲(chǔ)器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142525 美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 近日，華潤(rùn)微電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司目前正在規(guī)劃12英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目。
2020-09-03 09:39:524875 
Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133095 上，TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講，詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444306 8英寸晶圓被認(rèn)為是落后產(chǎn)線，更關(guān)注12英寸晶圓產(chǎn)線的建設(shè)和量產(chǎn)。然而，就是這一比12英寸晶圓古老多年的產(chǎn)品，目前其產(chǎn)能依然很緊張。 供不應(yīng)求的8英寸晶圓與逐年下滑的生產(chǎn)線 目前全球代工廠產(chǎn)能爆滿，臺(tái)
2020-11-23 14:00:393711 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493617 日前，有媒體報(bào)道稱(chēng)，消息人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓，并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片，不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875 生產(chǎn)線三維建模解決方案就是通過(guò)模型、虛實(shí)聯(lián)動(dòng)和三維建模等先進(jìn)技術(shù)，以一個(gè)3D立體模型展現(xiàn)出來(lái)，可以讓我們很直觀的看到生產(chǎn)線的運(yùn)作以及對(duì)數(shù)據(jù)的監(jiān)控。商迪3D運(yùn)用3D建模技術(shù)可以讓工業(yè)3D模型管理系統(tǒng)
2021-03-06 10:15:352040 日前，有媒體報(bào)道，雖然目前許多大廠都紛紛投資于建設(shè)12英寸晶圓廠，不過(guò)8英寸晶圓的需求依舊強(qiáng)烈，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)在一則報(bào)告中表示：預(yù)計(jì)到2024年之前，全球的8英寸晶圓生產(chǎn)線將會(huì)新增25條，今年8
2022-04-13 16:11:552342 根據(jù)合作框架協(xié)議，中芯國(guó)際將在當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">建設(shè)12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目，產(chǎn)品主要應(yīng)用于通訊、汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、工業(yè)等領(lǐng)域。項(xiàng)目擬選址西青開(kāi)發(fā)區(qū)賽達(dá)新興產(chǎn)業(yè)園內(nèi)。規(guī)劃建設(shè) 產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線，可提供28納米~180納米不同技術(shù) 節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。
2022-08-29 11:31:413729 NAND價(jià)格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報(bào)價(jià)后，市場(chǎng)價(jià)格快速反轉(zhuǎn)走跌，第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上，相當(dāng)于從年初高點(diǎn)下跌約達(dá)50%，由于終端備貨消極，晶圓廠報(bào)價(jià)持續(xù)探底，市場(chǎng)預(yù)估第4季NAND晶圓價(jià)格跌幅將再季減20%。
2022-11-01 12:36:27887 NAND Flash。2007年，東芝推出3D NAND，三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊（stack）和架構(gòu)，存儲(chǔ)密度隨時(shí)間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:352730 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 SuperViewW1白光3D輪廓測(cè)量?jī)x適配芯片制造生產(chǎn)線，致力于滿足時(shí)下半導(dǎo)體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測(cè)量需求，助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。
2022-12-19 15:44:511608 
最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360 W系列白光3D輪廓測(cè)量?jī)x適配芯片制造生產(chǎn)線，致力于滿足時(shí)下半導(dǎo)體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測(cè)量需求，助力半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。
2022-12-19 09:16:291 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
來(lái)源：天成先進(jìn) 2024年12月30日，天成先進(jìn)12英寸晶圓級(jí)TSV立體集成生產(chǎn)線正式投產(chǎn)! 本次投產(chǎn)聚焦三大類(lèi)型，共計(jì)六款產(chǎn)品，產(chǎn)品基于天成先進(jìn)“九重”晶圓級(jí)三維集成技術(shù)體系，圍繞“縱橫(2.5D
2025-01-02 10:54:221466 一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號(hào)傳輸距離等優(yōu)勢(shì)，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機(jī)械強(qiáng)度
2025-10-14 15:24:56317 
在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3D NAND存儲(chǔ)器。三星也在此前表示，將在
2024-06-29 00:03:008061
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