1. 臺積電2nm小規(guī)模試產(chǎn)
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臺積電將于2025年量產(chǎn)其2nm工藝,日本SMC社長高田芳樹近日表示,臺積電已經(jīng)在其2nm芯片試產(chǎn)線上采用SMC的水冷式冷卻器進行小規(guī)模生產(chǎn)。
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SMC宣布,該公司已向臺積電出貨用于2nm芯片試產(chǎn)的冷水機組。SMC正推出專門針對先進半導(dǎo)體工藝的冷水機組產(chǎn)品,旨在使冷水機業(yè)務(wù)營收翻倍。高田芳樹透露,三星電子對SMC的冷水機組也非常感興趣。據(jù)了解,SMC作為冷水機組的領(lǐng)先制造商,在芯片制造市場占據(jù)主導(dǎo)地位,市場份額高達40%左右。
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2. 全球首條搭載無FMM技術(shù)的第8.6代AMOLED生產(chǎn)線開工
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9月25日,合肥國顯科技有限公司舉行第8.6代AMOLED生產(chǎn)線開工活動。合肥國顯將打造全球首條搭載無FMM技術(shù)(ViP)的第8.6代AMOLED生產(chǎn)線,這是全球最先進的高世代AMOLED產(chǎn)線,其建設(shè)將進一步挖掘AMOLED的增長潛力,加速駛?cè)胫谐叽缧滤{海,重塑全球AMOLED面板供應(yīng)格局。
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該產(chǎn)線落地合肥新站高新區(qū),總投資550億元,設(shè)計產(chǎn)能每月3.2萬片玻璃基板(尺寸為2290mm×2620mm)。合肥國顯負責(zé)該產(chǎn)線的投資、建設(shè)和運營,該公司將由維信諾、合肥市投資平臺出資。維信諾和合肥國顯在創(chuàng)新技術(shù)轉(zhuǎn)化方面將大力協(xié)同,為創(chuàng)新高地再添彩,為新型顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展再助力。
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3. 英特爾正式推出Gaudi3 AI芯片:比英偉達H100慢,成本更低
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英特爾近日正式推出用于AI工作負載的Gaudi3加速器。新芯片的速度比英偉達廣受歡迎的H100和H200 GPU(用于AI和HPC)要慢,因此英特爾將其Gaudi3的成功押注于其較低的價格和較低的總擁有成本(TCO)。
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英特爾的Gaudi3處理器使用兩個芯片,包含64個張量處理器核心(TPC,帶有FP32累加器的256x256 MAC結(jié)構(gòu))、8個矩陣乘法引擎(MME,256位寬矢量處理器)和96MB片上SRAM緩存,帶寬為19.2TB/s。此外,Gaudi3集成24個200GbE網(wǎng)絡(luò)接口和14個媒體引擎,后者能夠處理H.265、H.264、JPEG和VP9,以支持視覺處理。該處理器配備128GB HBM2E內(nèi)存,分為八個內(nèi)存堆棧,可提供3.67TB/s的巨量帶寬。
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4. 英偉達RTX 4090 GPU在歐洲漲價,庫存基本售罄
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英偉達Ada Lovelace系列在全球大部分地區(qū)供應(yīng)充足,尤其是中端和中高端產(chǎn)品。另一方面,旗艦GPU RTX 4090似乎并不像其他GPU那樣供應(yīng)充足,至少在世界某些地區(qū)是這樣。根據(jù)最新報告,大多數(shù)供應(yīng)商似乎都想脫手這款GPU,歐洲區(qū)庫存基本售罄。
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據(jù)報道,德國許多零售店以高于制造商建議零售價的價格出售這款GPU。RTX 4090的供應(yīng)量看起來與往常一樣平均。近一年對GPU價格的監(jiān)測數(shù)據(jù)顯示,RTX 4090的當前價格已上漲25%。
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5. SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
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SK海力士26日宣布,公司全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E新品,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM*產(chǎn)品中最大**的36GB(千兆字節(jié))容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供產(chǎn)品,繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后,僅時隔6個月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實力。
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SK海力士強調(diào):“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E),? 公司是唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。公司業(yè)界率先成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品,不僅滿足了人工智能企業(yè)日益發(fā)展的需求,同時也進一步鞏固了SK海力士在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位?!?br />
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6.華為 Mate 70 系列被曝整機已量產(chǎn),定于 11 月上市
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報道稱,華為 Mate 70 系列整機已經(jīng)量產(chǎn),此前定于 11 月上市。供應(yīng)鏈人士稱,“零部件已經(jīng)在供貨,快的話 10 月底也有可能,目前手機整機已經(jīng)生產(chǎn)很多了?!?br />
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博主 @剎那數(shù)碼、@數(shù)碼閑聊站 等人都認為華為 Mate 70 系列會在第四季度晚些時候,也就是 11 月左右發(fā)布,搭載全新麒麟 5G SoC,首發(fā)鴻蒙 HarmonyOS NEXT 正式版?,F(xiàn)有爆料顯示,華為 Mate 70 系列采用了 1.5K LTPO 屏幕、 5000 萬像素的 OV50K 主攝 + 超大可變光圈,配備 5000~6000mAh 的新型硅負極電池(榮耀第三代青海湖電池硅含量已突破 10%,擁有行業(yè)最高 24.7% 的電池整機體積比)。此外,華為 Mate 70 非凡大師版手機采用全陶瓷后蓋,已拋棄雙拼結(jié)構(gòu)。
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今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
- 臺積電(175242)
- 華為(261259)
- SK海力士(41198)
- HBM3E(733)
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sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?!?/div>
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1808SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達提供樣品
該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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1676SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存
HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
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1669SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E
與此同時,SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
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1515香農(nóng)芯創(chuàng):與華為沒有業(yè)務(wù)往來,與SK海力士合作關(guān)系正常
sk海力士最近就華為mate 60 pro可能使用sk海力士存儲芯片的半導(dǎo)體解體疑惑表示,美國政府對華為采取限制措施后,沒有與華為進行交易,目前正在展開調(diào)查。
2023-09-14 09:28:01
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2826SK海力士官宣終止與華為的合作
近期,有關(guān)韓國SK海力士為華為提供關(guān)鍵芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)某拆解視頻顯示,華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK海力士”標識,但未能獲取到有關(guān)存儲芯片核心信息的詳細資料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工藝目前還沒有定論。
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30841.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國
NVIDIA H200的一大特點就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士),單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點),同時帶寬多達4.8TB/s。
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英偉達大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機
英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
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1621SK海力士在CES 2024展示未來AI基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵技術(shù)
尤其值得關(guān)注的是,HBM3E系目前最具頂級性能的存儲器,由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預(yù)計自今明兩年起實現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn),并向廣泛的AI科技企業(yè)供應(yīng)。
2024-01-03 09:36:31
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1126傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備
數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進一步加大對DRAM的投資力度。
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1580SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個月大規(guī)模生產(chǎn),專用于英偉達AI芯片
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1152SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領(lǐng)先三星
在嚴格的9個開發(fā)階段后,當前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可,同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
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1429SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器
在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品,并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
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2024-02-23 14:12:00
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1306SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達
近日,全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發(fā),并且已經(jīng)通過了英偉達
2024-02-25 11:22:21
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1656HBM市場火爆!美光與SK海力士今年供貨已告罄
美光指出,專為AI、超級計算機設(shè)計的HBM3E預(yù)計2024年初量產(chǎn),有望于2024會計年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營收。Mehrotra對分析師表示,“2024年1~12月,美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:15
1036
1036三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G
“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25
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1877三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00
1583
1583三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM
近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21
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1820美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展
其 HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51
1493
1493
美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41
1886
1886
SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%
同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44
2225
2225SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21
1675
1675SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E
HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
1844
1844英偉達尋求從三星采購HBM芯片
英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04
1287
1287NVIDIA預(yù)定購三星獨家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存
據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11
989
989三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內(nèi)存
據(jù)最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06
1180
1180剛剛!SK海力士出局!
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08
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1225三星電子HBM存儲技術(shù)進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09
1912
1912三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM
12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:09
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1352
SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)
自 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07
1374
1374SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產(chǎn)HBM4
HBM 中扮演非常重要的角色。 包括 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)在內(nèi),SK 海力士旗下 HBM 產(chǎn)品的基礎(chǔ)裸片此前均采用自家工藝
2024-04-20 08:36:51
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492SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19
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1392SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:07
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1054SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21
1338
1338SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
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927SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09
978
978SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:35
1030
1030SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術(shù)團隊負責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484
1484三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責(zé)英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20
1863
1863SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負責(zé)晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:46
1055
1055SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達80%
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30
1079
1079SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率
據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:17
1888
1888中國AI芯片和HBM市場的未來
然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:31
1726
1726美光HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來發(fā)展
美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13
1659
1659SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27
1061
1061SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22
1511
1511SK海力士擴大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對HBM3E需求
據(jù)韓國媒體報道,為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E(高帶寬內(nèi)存第三代增強版)內(nèi)存的激增需求,全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品,同時進一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:57
1084
1084英偉達巨資預(yù)訂HBM3E,力拼上半年算力市場
在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力,始終保持著領(lǐng)先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達13億美元的預(yù)算,向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:58
1465
1465SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達到56.1%
)提交了一份關(guān)于3D DRAM(三維動態(tài)隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術(shù)上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29
1745
1745SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:22
1473
1473SK海力士加速布局HBM市場,產(chǎn)能擴增應(yīng)對爆發(fā)式增長
的一次公開場合中明確指出,隨著ChatGPT等AI應(yīng)用的興起,HBM市場需求呈現(xiàn)出爆炸性增長態(tài)勢,預(yù)計其復(fù)合年增長率(CAGR)將高達70%。這一預(yù)測不僅彰顯了SK海力士對HBM市場前景的堅定信心,也預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:49
1125
1125SK海力士與Amkor攜手推進硅中介層合作,強化HBM市場競爭力
在半導(dǎo)體行業(yè)日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現(xiàn)其前瞻布局與技術(shù)創(chuàng)新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(wù)(OSAT)大廠Amkor就硅中介層(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51
1223
1223今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產(chǎn)
1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn),營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預(yù)計其
2024-08-01 11:08:11
1375
1375SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:11
1743
1743標普上調(diào)SK海力士評級至BBB,看好其HBM領(lǐng)域主導(dǎo)地位
近日,國際知名評級機構(gòu)標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發(fā)行人信用及發(fā)行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩(wěn)定的評級展望。此次上調(diào)評級,主要基于SK海力士在高性能內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的顯著“主導(dǎo)地位”以及全球內(nèi)存市場的積極復(fù)蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:32
1042
1042SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領(lǐng)存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也為未來的移動設(shè)備性能提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-08-10 16:52:08
3027
3027三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:56
1635
1635SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36
1644
1644美光12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付
美光科技近期宣布,其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付,標志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進內(nèi)存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:37
1553
1553SK海力士開始先進人工智能芯片生產(chǎn)
SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41
876
876SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1984
1984SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)
SK海力士近日宣布了一項重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:17
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1176英偉達向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片,這款芯片被命名為HBM
2024-11-05 10:52:48
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1202SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:20
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1231SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲技術(shù)
限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
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1276SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05
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1189SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:20
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1364SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴大到 16~17 萬片
? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? 消息人士稱,博通計劃從 SK 海力士采購
2024-12-21 15:16:46
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SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準備
近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動,為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:24
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1050SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對AI芯片市場旺盛需求
SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領(lǐng)先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:09
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1308SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
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1667英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機遇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)據(jù)報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:31
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HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達,國內(nèi)廠商積極布局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時,美光已經(jīng)為英偉達供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:00
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5533HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:13
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風(fēng)景獨好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度,同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:00
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