1. 狠砸1億英鎊!英國首相蘇納克計劃購入數(shù)千顆AI芯片
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據(jù)報道,英國首相蘇納克(Rishi Sunak)將花費1億英鎊,用于購買數(shù)千顆高性能人工智能芯片。
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報道稱,英國政府一直在與英偉達、AMD和英特爾溝通為國家“人工智能研究資源”采購設(shè)備。這項工作由英國研究與創(chuàng)新署(UK Research and Innovation)牽頭,據(jù)悉從英偉達(Nvidia)處購買多達5000個圖形處理器(GPU)的訂單已進入后期階段。然而,人們認為這不足以滿足政府在人工智能方面的雄心,并敦促英國財政大臣杰里米·亨特(Jeremy Hunt)在未來數(shù)月?lián)艹龈噘Y金。
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2. SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向客戶提供樣品進行性能驗證
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SK海力士8月21日宣布,公司成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E,并開始向客戶提供樣品進行性能驗證。
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SK海力士強調(diào):“公司以唯一量產(chǎn)HBM3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出全球最高性能的擴展版HBM3E。并憑借業(yè)界最大規(guī)模的HBM供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度,將從明年上半年開始投入HBM3E量產(chǎn),以此夯實在面向AI的存儲器市場中獨一無二的地位?!?br />
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3. 業(yè)內(nèi)人士稱臺積電已下調(diào)未來幾個季度代工報價
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據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,由于缺乏訂單可見性和客戶訂單動力,臺積電已下調(diào)未來幾個季度的代工報價。今年 6 月初,市場曾傳出消息稱,該公司已籌劃 2024 年上調(diào)先進制程報價,且已與多家大客戶陸續(xù)完成協(xié)商溝通,漲價幾率相當高。
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如今,由于需求低迷,該公司一向堅挺的高價也撐不住了。上周,報道稱,由于受需求低迷和市場競爭的影響,臺積電及其生產(chǎn)汽車芯片的子公司世界先進下調(diào)了 8 英寸晶圓的代工價格,最高降幅達 30%。
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4. 消息稱蘋果正在開發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片,2025 年發(fā)布
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推特博主 @_orangera1n通過 X 平臺發(fā)文表示,蘋果正在研發(fā) A19 仿生芯片和 M5 系列芯片,并放出了幾個他抓取到的 CPU ID。@_orangera1n 補充說,不同的 CPU ID 可以與不同的芯片一一對應(yīng)。
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據(jù)其提供的參考網(wǎng)站顯示,目前蘋果 iPhone 14 Pro / Max 系列機型搭載的 A16 仿生處理器代號為 0×8120,iPhone 14 / Plus、iPhone 13 系列機型搭載的 A15 仿生處理器代號則是 0×8110。據(jù)此可以推算,蘋果 A19 仿生處理器的代號為 0×8150。按照計劃,蘋果將于今年秋季發(fā)布 A17 仿生處理器和 M3 處理器,按照一年一發(fā)的節(jié)奏,A19 和 M5 還需等到 2025 年。
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5. 消息稱特斯拉新款 Model 3 汽車所有雷達已被移除,售價預(yù)計在 20 萬元左右
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特斯拉正在開發(fā)新款 Model 3 汽車已經(jīng)不是什么秘密,多方消息表明該車型將于今年下半年上市。據(jù) @teslashanghai 的最新消息,特斯拉新款 Model 3 已經(jīng)結(jié)束“試生產(chǎn)階段”,生產(chǎn)提升和壓力測試將于 8 月 25 日開始。到 9 月初,預(yù)計日產(chǎn)能將達到 1200 臺左右。該博主稱,“新款 Model 3 的外觀非常吸引人,甚至比 Model S 還要漂亮,尤其是新款的大燈”。
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此外,該博主還透露,新款 Model 3 搭載了 HW3.5 的硬件而不是 HW4.0,并且“所有雷達已被移除”。由于整車制造成本較上一代“明顯下降”,采用一體化鑄造,減少了線束并采用更多新材料,預(yù)計定價會維持在 20 萬元人民幣左右。
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6. 聞泰科技昆明工廠量產(chǎn)的蘋果M2芯片MacBook Air已獲3C質(zhì)量證書
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中國質(zhì)量認證中心網(wǎng)站顯示,聞泰科技在昆明工廠量產(chǎn)的蘋果M2芯片MacBook Air已于8月4日獲3C質(zhì)量證書。網(wǎng)站顯示,該證書編號2023010902562021;申請人美國蘋果公司;制造商美國蘋果公司;生產(chǎn)商昆明聞訊實業(yè)有限公司;型號“A2681”。
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天眼查顯示,昆明聞訊實業(yè)有限公司成立于2020年1月,注冊資本5.50億元,經(jīng)營范圍包括通信設(shè)備制造、移動終端設(shè)備制造、電子元器件制造、計算器設(shè)備制造、計算機軟硬件及外圍設(shè)備制造、集成電路制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造等。昆明聞訊實業(yè)由昆明聞泰通訊有限公司100%控股,后者則由聞泰科技股份有限公司100%控股。
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今日看點丨SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E;蘋果正在開發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片
- 蘋果(207798)
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- HBM3E(733)
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2021-01-29 17:52:55
SK海力士開發(fā)出238層NAND閃存芯片
閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時事熱點行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04


SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動 8GB DRAM
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應(yīng)用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12
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941SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲器
雖然封裝不易,但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49
1322
1322海力士成功量產(chǎn)HBM2E存儲,適用于新一代AI系統(tǒng)的存儲器解決方案
7月2日消息,據(jù)外媒報道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:33
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3275美國芯片企業(yè)開發(fā)出全球最快的64位Risc-V處理器
據(jù)外媒報道指美國芯片企業(yè)Micro Magic開發(fā)出了全球最快的64位Risc-V處理器,性能比當下性能最強的ARM處理器--蘋果M1還要強,而功耗更低??紤]到中國正在努力擺脫對ARM的依賴,中國或許將會進一步加大力度開發(fā)Risc-V架構(gòu)。
2020-12-17 14:48:43
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3832SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片
韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
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2676SK海力士將向英偉達系統(tǒng)供應(yīng)HBM3
SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:25
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2219SK海力士開發(fā)出業(yè)界最快的服務(wù)器內(nèi)存模組MCR DIMM
2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:31
2118
2118瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39
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HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產(chǎn)
據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02
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1511黃仁勛甩出最強生成式AI處理器,全球首發(fā)HBM3e,比H100還快
在隨后大約1小時20分鐘的演講中,黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級芯片。黃仁勛將它稱作“加速計算和生成式AI時代的處理器”。
2023-08-09 14:48:00
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1823
SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!
SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:47
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1994SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E
sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49
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1810SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達提供樣品
該公司表示,HBM3E(HBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41
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1676SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存
HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07
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1670蘋果或?qū)⒅攸c研發(fā)A19和M5系列芯片
速、高效的操作體驗。 不僅如此,將于10月發(fā)布的新款Mac產(chǎn)品也將采用M3芯片,預(yù)計將在計算性能和能效方面邁上一個新臺階。 據(jù)了解,A17仿生芯片和M3芯片即將亮相,蘋果已經(jīng)在著手研發(fā)未來幾代芯片,其中包括A19仿生芯片和M5系列芯片ubgksbt。 關(guān)于A19仿生芯片和M
2023-08-23 10:15:20
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1875SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E
與此同時,SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13
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1515Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM
meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)器dram。據(jù)悉,對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33
1393
1393HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點
)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)。而HBM3E 是 HBM3 的擴展(Extended)版本。 ? 美光科技日前宣稱新款HBM3E同樣可以達到 1.2 TB/s的速度
2023-10-10 10:25:46
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16361.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國
NVIDIA H200的一大特點就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士),單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點),同時帶寬多達4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13
2330
2330
英偉達大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機
英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50
1622
1622SK海力士在CES 2024展示未來AI基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵技術(shù)
尤其值得關(guān)注的是,HBM3E系目前最具頂級性能的存儲器,由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預(yù)計自今明兩年起實現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn),并向廣泛的AI科技企業(yè)供應(yīng)。
2024-01-03 09:36:31
1126
1126SK海力士擬在美國建廠生產(chǎn)HBM芯片
韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠,專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片。這一舉措旨在與英偉達(NVIDIA)的AI GPU進行深度整合,共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29
1946
1946SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個月大規(guī)模生產(chǎn),專用于英偉達AI芯片
值得一提的是,半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個階段,而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個環(huán)節(jié),正在進行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45
1152
1152SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領(lǐng)先三星
在嚴格的9個開發(fā)階段后,當前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可,同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:05
1429
1429SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲器
在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品,并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08
1739
1739SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00
1306
1306SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達
近日,全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發(fā),并且已經(jīng)通過了英偉達
2024-02-25 11:22:21
1656
1656美光科技啟動高帶寬存儲芯片生產(chǎn) 為英偉達最新AI芯片提供支持
英偉達下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片,預(yù)計于今年第2季交付,有望超越現(xiàn)有的H100芯片,為美光科技貢獻更高業(yè)績。此外,龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM(高寬帶存儲器)芯片市場需求持續(xù)升溫
2024-02-27 09:33:29
1543
1543三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00
1583
1583SK海力士斥資10億美元,加碼先進芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求
據(jù)封裝研發(fā)負責人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因,實現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢,提升了SK海力士在HBM市場的領(lǐng)軍地位。
2024-03-07 15:24:17
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1193SK海力士擴大對芯片投資
SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44
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1799SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%
同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44
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2225SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位
SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21
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1675什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37
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4681
SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E
HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53
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1844美光:高帶寬存儲器芯片至2025年供應(yīng)已近飽和
現(xiàn)階段,NVIDIA在其新一代H200圖形處理器(GPU)上選擇采用了美光最新款的HBM3E芯片。過去,韓國SK海力士曾是其獨家供應(yīng)商。
2024-03-21 16:26:36
1490
1490英偉達尋求從三星采購HBM芯片
英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04
1287
1287剛剛!SK海力士出局!
來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:08
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1225SK海力士聯(lián)手TEMC開發(fā)氖氣回收技術(shù),年度節(jié)省400億韓元
SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進行純化處理,最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:59
1038
1038SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)
自 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07
1379
1379SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產(chǎn)HBM4
HBM 中扮演非常重要的角色。 包括 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)在內(nèi),SK 海力士旗下 HBM 產(chǎn)品的基礎(chǔ)裸片此前均采用自家工藝
2024-04-20 08:36:51
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492SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19
1395
1395SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:07
1054
1054SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
927
927SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09
978
978漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片
業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58
877
877SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術(shù)團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484
1484三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關(guān)注
業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20
1863
1863SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:46
1055
1055SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達80%
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30
1079
1079SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率
據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:17
1890
1890中國AI芯片和HBM市場的未來
然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:31
1726
1726SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27
1061
1061SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22
1513
1513TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品
近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:34
2168
2168SK海力士擴大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對HBM3E需求
據(jù)韓國媒體報道,為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E(高帶寬內(nèi)存第三代增強版)內(nèi)存的激增需求,全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品,同時進一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:57
1084
1084英偉達巨資預(yù)訂HBM3E,力拼上半年算力市場
在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力,始終保持著領(lǐng)先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達13億美元的預(yù)算,向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:58
1465
1465今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產(chǎn)
1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn),營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預(yù)計其
2024-08-01 11:08:11
1376
1376SK海力士DDR5芯片價格或?qū)⒋蠓蠞q
近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:46
1519
1519三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:56
1638
1638SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM
SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:15
1255
1255SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36
1646
1646SK海力士開始先進人工智能芯片生產(chǎn)
SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41
878
878SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局
今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:31
1992
1992SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)
SK海力士近日宣布了一項重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:17
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1177特斯拉或向SK海力士下1萬億韓元eSSD訂單
的eSSD也隨之成為AI芯片不可或缺的核心部分,與HBM(高帶寬內(nèi)存)芯片并駕齊驅(qū)。在數(shù)據(jù)存儲市場上,eSSD以其卓越的性能和能效比,正逐步取代傳統(tǒng)的HDD硬盤。 Solidigm,作為SK海力士旗下的NAND閃存開發(fā)子公司,憑借其領(lǐng)先的技術(shù)實力,已開發(fā)出業(yè)界最高
2024-10-25 10:19:08
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1110英偉達向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求
4。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品,具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力,對于提升計算機系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此,英偉達作為全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商,對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:48
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1202SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品
和卓越的研發(fā)能力,已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實力,更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:20
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1233SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲技術(shù)
限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
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1277SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:05
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1189SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:20
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1364特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片
近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:44
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1532SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)與量產(chǎn)部門
開發(fā)官(CDO)和首席生產(chǎn)官(CPO)領(lǐng)導(dǎo),與現(xiàn)有的三位負責營銷、技術(shù)、企業(yè)中心運營的高管共同組成公司新的領(lǐng)導(dǎo)團隊。其中,SK海力士副總裁Ahn Hyun被晉升為總裁兼首席開發(fā)官,他將負責新成立的開發(fā)部門,致力于推動未來產(chǎn)品如AI高帶寬存儲器(HBM)等
2024-12-06 10:56:46
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1145蘋果M5系列芯片量產(chǎn)及新品搭載計劃曝光
的透露,蘋果M5系列芯片中的基礎(chǔ)型號M5將在明年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。緊隨其后的是M5 Pro和M5 Max,這兩款芯片預(yù)計將在明年下半年量產(chǎn)。而最高端的M5 Ultra則要到2026年才會開始量產(chǎn)。 在產(chǎn)品搭載方面,蘋果也有著明確的計劃。據(jù)稱,明年下半年登場的MacBook Pro將首發(fā)搭載M5系列芯片
2024-12-24 10:20:42
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1442SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準備
近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動,為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:24
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1050SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章
SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-06-03 09:36:48
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1011SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
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1667英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機遇
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)據(jù)報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:31
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HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:13
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風景獨好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度,同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:00
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