91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>通信網(wǎng)絡(luò)>今日看點丨SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E;蘋果正在開發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片

今日看點丨SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E;蘋果正在開發(fā) A19 仿生處理器和 M5 系列芯片

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點推薦

SK海力士計劃明年開始量產(chǎn)HBM2E DRAM

SK海力士開發(fā)HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比,新款HBM2E擁有大約50%的帶寬和100%的額外容量。 該公司透露,SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:416585

消息稱SK海力士將向博世提供汽車存儲芯片

討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露,SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲芯片開發(fā)。 ? 與消費類設(shè)備中使用的DRAM相比,汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:017590

SK海力士正與博世洽談供應(yīng)汽車內(nèi)存

4月16日消息 據(jù)悉,SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司(Bosch)洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據(jù)稱,SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片開發(fā)。與消費類設(shè)備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906

SK海力士開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM

SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472160

SK海力士開發(fā)出下一代智能內(nèi)存芯片技術(shù)PIM

SK海力士(或‘公司’)今日宣布,公司已開發(fā)出具備計算功能的下一代內(nèi)存半導(dǎo)體技術(shù)“PIM(processing-in-memory,內(nèi)存中處理)”1)。
2022-02-16 11:04:511957

今日看點美國將四家中國公司加入SDN名單!;SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

為由,將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191910

AI訓(xùn)練不可或缺的存儲,HBM3 DRAM再升級

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:004812

追趕SK海力士,三星、美光搶進HBM3E

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看,HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3HBM3E
2023-10-25 18:25:244379

今日看點英特爾酷睿 Ultra 移動處理器發(fā)布:采用 Intel 4 工藝;極氪汽車發(fā)布首款自研“金磚”電池

努力推動人工智能半導(dǎo)體的本地生產(chǎn),近日有業(yè)內(nèi)消息稱三星、SK海力士正在商討在美國生產(chǎn)HBM。 ? SK海力士于2022年7月宣布將投資150億美元在美國建立存儲芯片封裝工廠和研發(fā)中心,不過選址至今尚未確定。業(yè)界預(yù)計,SK海力士將選擇生產(chǎn)HBM芯片,并優(yōu)先實施TSV硅
2023-12-15 11:14:451279

今日看點SK海力士砸900多億美元建半導(dǎo)體廠;消息稱聯(lián)發(fā)科天璣 9400 暫定 10 月發(fā)布

1. SK 海力士砸900 多億美元建半導(dǎo)體廠 政府相挺 ? 全球第二大存儲芯片制造商SK海力士,預(yù)計于2046年前在其龍仁(Yongin)半導(dǎo)體聚落,投入逾120兆韓元(907億美元)建造全球
2024-03-22 10:47:381595

專業(yè)回收海力士HYNIX字庫 收購海力士字庫

! 帝歐 字庫收購,價格高才是硬道理!!】】回收字庫,回收手機字庫,回收三星字庫,回收現(xiàn)代字庫,回收海力士字庫,回收鎂光字庫,回收東芝字庫,回收電子,回收芯片,回收IC,回收電子料,回收MTK芯片全新
2021-04-27 16:10:09

回收海力士字庫 收購海力士字庫

本帖最后由 dealicdz 于 2021-8-31 15:19 編輯 `海力士HYNIX字庫 高價回收 ,長期回收海力士HYNIX字庫, 帝歐電子 高價+優(yōu)勢收購手機字庫??!【高價收購海力士
2021-07-16 18:07:56

收購海力士內(nèi)存芯片

8JDMC,回收H9TP32A8JDMC H9TP32A8JDAC ,回收海力士原裝字庫,回收海力士H9DA4GH2GJBMCR-4EM ,高價求購海力士字庫,回收海力士字庫。帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)
2021-01-25 17:59:52

高價回收海力士內(nèi)存

電解電容,回收庫存電子,回收工廠庫存,回收電感,如果您有以上需要處理的庫存,歡迎來電。帝歐還長期回收以下型號:IRF7342TRPBFASM1083AXP223LPC2388FBD144NCEFES78-08GATMEGA16A-AURTL8211E-VB-CGATJ2273BBQ24261RGERMT90826AL1EP4CE6F17C8NBD37534FVPCI9080-3GTPS54320RHLRTMS320F28335PGFAADA4084-4ARUZ-RLADR127AUJZ-REEL7ADP7182AUJZ-R7DS28E01P-100+TA3983SLPTR-TMP2451DT-LF-ZTPS2044BDRG4ADS1230IPWRTXB0104PWRLIS3LV02DLK9F8G08UOM-PIB0長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2020-11-20 16:59:46

高價回收海力士內(nèi)存

電解電容,回收庫存電子,回收工廠庫存,回收電感,如果您有以上需要處理的庫存,歡迎來電。帝歐還長期回收以下型號:IRF7342TRPBFASM1083AXP223LPC2388FBD144NCEFES78-08GATMEGA16A-AURTL8211E-VB-CGATJ2273BBQ24261RGERMT90826AL1EP4CE6F17C8NBD37534FVPCI9080-3GTPS54320RHLRTMS320F28335PGFAADA4084-4ARUZ-RLADR127AUJZ-REEL7ADP7182AUJZ-R7DS28E01P-100+TA3983SLPTR-TMP2451DT-LF-ZTPS2044BDRG4ADS1230IPWRTXB0104PWRLIS3LV02DLK9F8G08UOM-PIB0長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-03-13 17:46:31

高價回收海力士內(nèi)存

電解電容,回收庫存電子,回收工廠庫存,回收電感,如果您有以上需要處理的庫存,歡迎來電。帝歐還長期回收以下型號:IRF7342TRPBFASM1083AXP223LPC2388FBD144NCEFES78-08GATMEGA16A-AURTL8211E-VB-CGATJ2273BBQ24261RGERMT90826AL1EP4CE6F17C8NBD37534FVPCI9080-3GTPS54320RHLRTMS320F28335PGFAADA4084-4ARUZ-RLADR127AUJZ-REEL7ADP7182AUJZ-R7DS28E01P-100+TA3983SLPTR-TMP2451DT-LF-ZTPS2044BDRG4ADS1230IPWRTXB0104PWRLIS3LV02DLK9F8G08UOM-PIB0長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-07-02 19:07:56

高價回收海力士內(nèi)存 深圳高價收購海力士內(nèi)存

電解電容,回收庫存電子,回收工廠庫存,回收電感,如果您有以上需要處理的庫存,歡迎來電。帝歐還長期回收以下型號:IRF7342TRPBFASM1083AXP223LPC2388FBD144NCEFES78-08GATMEGA16A-AURTL8211E-VB-CGATJ2273BBQ24261RGERMT90826AL1EP4CE6F17C8NBD37534FVPCI9080-3GTPS54320RHLRTMS320F28335PGFAADA4084-4ARUZ-RLADR127AUJZ-REEL7ADP7182AUJZ-R7DS28E01P-100+TA3983SLPTR-TMP2451DT-LF-ZTPS2044BDRG4ADS1230IPWRTXB0104PWRLIS3LV02DLK9F8G08UOM-PIB0長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-04-13 18:51:47

高價回收海力士內(nèi)存,長期收購海力士內(nèi)存

,鎂光,南亞,爾必達,華邦,三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,飛索 Spansion芯片,展訊SPREADTRUM,愛特梅爾ATMEL,英特爾intel等系列芯片...長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-08-02 17:44:42

高價回收海力士字庫

回收電感,回收電解電容,回收庫存電子,回收工廠庫存,回收電感,如果您有以上需要處理的庫存,歡迎來電。ASM1083AXP223LPC2388FBD144NCEFES78-08GATMEGA16A-AURTL8211E-VB-CGATJ2273BBQ24261RGERMT90826AL1EP4CE6F17C8NBD37534FVPCI9080-3GTPS54320RHLRTMS320F28335PGFAADA4084-4ARUZ-RLADR127AUJZ-REEL7ADP7182AUJZ-R7DS28E01P-100+TA3983SLPTR-TMP2451DT-LF-ZTPS2044BDRG4ADS1230IPWRTXB0104PWRLIS3LV02DLK9F8G08UOM-PIB0AD8221ARMZ-R7長期專業(yè)回收手機指紋、指紋芯片、定制指紋模組!
2021-01-29 17:52:55

SK海力士開發(fā)出238層NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時事熱點行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04

SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動 8GB DRAM

SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應(yīng)用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高,功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941

SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲

雖然封裝不易,但 HBM 存儲依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322

海力士成功量產(chǎn)HBM2E存儲,適用于新一代AI系統(tǒng)的存儲解決方案

7月2日消息,據(jù)外媒報道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275

美國芯片企業(yè)開發(fā)出全球最快的64位Risc-V處理器

據(jù)外媒報道指美國芯片企業(yè)Micro Magic開發(fā)出全球最快的64位Risc-V處理器,性能比當下性能最強的ARM處理器--蘋果M1還要強,而功耗更低??紤]到中國正在努力擺脫對ARM的依賴,中國或許將會進一步加大力度開發(fā)Risc-V架構(gòu)。
2020-12-17 14:48:433832

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142676

SK海力士將向英偉達系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219

SK海力士開發(fā)出業(yè)界最快的服務(wù)內(nèi)存模組MCR DIMM

2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:312118

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021511

黃仁勛甩出最強生成式AI處理器,全球首發(fā)HBM3e,比H100還快

在隨后大約1小時20分鐘的演講中,黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級芯片。黃仁勛將它稱作“加速計算和生成式AI時代的處理器”。
2023-08-09 14:48:001823

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進展情況。
2023-08-10 16:01:471994

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491810

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676

SK海力士全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670

蘋果或?qū)⒅攸c研發(fā)A19M5系列芯片

速、高效的操作體驗。 不僅如此,將于10月發(fā)布的新款Mac產(chǎn)品也將采用M3芯片,預(yù)計將在計算性能和能效方面邁上一個新臺階。 據(jù)了解,A17仿生芯片M3芯片即將亮相,蘋果已經(jīng)在著手研發(fā)未來幾代芯片,其中包括A19仿生芯片M5系列芯片ubgksbt。 關(guān)于A19仿生芯片M
2023-08-23 10:15:201875

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時,SK海力士技術(shù)團隊在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無需修改其設(shè)計或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515

Meta、英偉達相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)dram。據(jù)悉,對ai服務(wù)投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)dram。
2023-08-30 10:03:331393

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)。而HBM3EHBM3 的擴展(Extended)版本。 ? 美光科技日前宣稱新款HBM3E同樣可以達到 1.2 TB/s的速度
2023-10-10 10:25:461636

1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

NVIDIA H200的一大特點就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士),單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點),同時帶寬多達4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:132330

英偉達大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機

英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:501622

SK海力士在CES 2024展示未來AI基礎(chǔ)設(shè)施關(guān)鍵技術(shù)

尤其值得關(guān)注的是,HBM3E系目前最具頂級性能的存儲,由SK海力士于去年8月成功研發(fā)。公司預(yù)計自今明兩年起實現(xiàn)此類產(chǎn)品的大量生產(chǎn),并向廣泛的AI科技企業(yè)供應(yīng)。
2024-01-03 09:36:311126

SK海力士擬在美國建廠生產(chǎn)HBM芯片

韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠,專注于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存(HBM芯片。這一舉措旨在與英偉達(NVIDIA)的AI GPU進行深度整合,共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:291946

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個月大規(guī)模生產(chǎn),專用于英偉達AI芯片

值得一提的是,半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個階段,而 SK 海力士已經(jīng)成功走過了各個環(huán)節(jié),正在進行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:451152

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲,領(lǐng)先三星

在嚴格的9個開發(fā)階段后,當前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項目完結(jié)正是達產(chǎn)升能的標志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質(zhì)量的認可,同步啟動大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲

全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲產(chǎn)品,并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306

SK海力士預(yù)計3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達

近日,全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發(fā),并且已經(jīng)通過了英偉達
2024-02-25 11:22:211656

美光科技啟動高帶寬存儲芯片生產(chǎn) 為英偉達最新AI芯片提供支持

英偉達下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片,預(yù)計于今年第2季交付,有望超越現(xiàn)有的H100芯片,為美光科技貢獻更高業(yè)績。此外,龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM(高寬帶存儲芯片市場需求持續(xù)升溫
2024-02-27 09:33:291543

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583

SK海力士斥資10億美元,加碼先進芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求

據(jù)封裝研發(fā)負責人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因,實現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢,提升了SK海力士HBM市場的領(lǐng)軍地位。
2024-03-07 15:24:171193

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441799

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進一步強化公司在AI存儲市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

美光:高帶寬存儲芯片至2025年供應(yīng)已近飽和

現(xiàn)階段,NVIDIA在其新一代H200圖形處理器(GPU)上選擇采用了美光最新款的HBM3E芯片。過去,韓國SK海力士曾是其獨家供應(yīng)商。
2024-03-21 16:26:361490

英偉達尋求從三星采購HBM芯片

英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287

剛剛!SK海力士出局!

來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯(lián)手TEMC開發(fā)氖氣回收技術(shù),年度節(jié)省400億韓元

SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進行純化處理,最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:591038

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)

HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071379

SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標2026年投產(chǎn)HBM4

HBM 中扮演非常重要的角色。 包括 HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)在內(nèi),SK 海力士旗下 HBM 產(chǎn)品的基礎(chǔ)裸片此前均采用自家工藝
2024-04-20 08:36:51492

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191395

SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

漲價20%!三星、 SK 海力士將停止供貨這類芯片

業(yè)界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星、SK海力士全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存,下半年起將停止供應(yīng)DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導(dǎo)致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58877

SK海力士HBM4E存儲提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術(shù)團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863

SK海力士與臺積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項合作中,臺積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確?;A(chǔ)芯片的質(zhì)量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產(chǎn)品的最終品質(zhì)與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲的生產(chǎn)工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

SK海力士HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據(jù)報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171890

中國AI芯片HBM市場的未來

 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221513

TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342168

SK海力士擴大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對HBM3E需求

據(jù)韓國媒體報道,為了應(yīng)對市場對高性能HBM3E(高帶寬內(nèi)存第三代增強版)內(nèi)存的激增需求,全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量內(nèi)存產(chǎn)品,同時進一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:571084

英偉達巨資預(yù)訂HBM3E,力拼上半年算力市場

全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術(shù)實力和市場影響力,始終保持著領(lǐng)先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達13億美元的預(yù)算,向美光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:581465

今日看點蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產(chǎn)

1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn),營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲HBM芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預(yù)計其
2024-08-01 11:08:111376

SK海力士DDR5芯片價格或?qū)⒋蠓蠞q

近日,據(jù)外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調(diào)15%至20%,這一舉動在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴張,對DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461519

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561638

SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:361646

SK海力士開始先進人工智能芯片生產(chǎn)

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311992

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

SK海力士近日宣布了一項重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標志著其在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171177

特斯拉或向SK海力士下1萬億韓元eSSD訂單

的eSSD也隨之成為AI芯片不可或缺的核心部分,與HBM(高帶寬內(nèi)存)芯片并駕齊驅(qū)。在數(shù)據(jù)存儲市場上,eSSD以其卓越的性能和能效比,正逐步取代傳統(tǒng)的HDD硬盤。 Solidigm,作為SK海力士旗下的NAND閃存開發(fā)子公司,憑借其領(lǐng)先的技術(shù)實力,已開發(fā)出業(yè)界最高
2024-10-25 10:19:081110

英偉達向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

4。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品,具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力,對于提升計算機系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此,英偉達作為全球領(lǐng)先的圖形處理器(GPU)制造商,對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言,黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:481202

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

和卓越的研發(fā)能力,已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實力,更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:201233

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲技術(shù)

限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲及先進DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標志著SK海力士在高端存儲技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產(chǎn)品計劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:441532

SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)與量產(chǎn)部門

開發(fā)官(CDO)和首席生產(chǎn)官(CPO)領(lǐng)導(dǎo),與現(xiàn)有的三位負責營銷、技術(shù)、企業(yè)中心運營的高管共同組成公司新的領(lǐng)導(dǎo)團隊。其中,SK海力士副總裁Ahn Hyun被晉升為總裁兼首席開發(fā)官,他將負責新成立的開發(fā)部門,致力于推動未來產(chǎn)品如AI高帶寬存儲(HBM)等
2024-12-06 10:56:461145

蘋果M5系列芯片量產(chǎn)及新品搭載計劃曝光

的透露,蘋果M5系列芯片中的基礎(chǔ)型號M5將在明年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。緊隨其后的是M5 Pro和M5 Max,這兩款芯片預(yù)計將在明年下半年量產(chǎn)。而最高端的M5 Ultra則要到2026年才會開始量產(chǎn)。 在產(chǎn)品搭載方面,蘋果也有著明確的計劃。據(jù)稱,明年下半年登場的MacBook Pro將首發(fā)搭載M5系列芯片
2024-12-24 10:20:421442

SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準備

近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動,為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章

SK海力士宣布,519日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-06-03 09:36:481011

SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設(shè)備廠迎機遇

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)據(jù)報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:313696

HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:136874

風景獨好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動

海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片,實現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度,同時容量提升50%。運行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496

已全部加載完成