英飛凌科技股份公司近日宣布推出滿足汽車行業(yè)的動(dòng)力總成和安全應(yīng)用的各種要求的全新32位多核單片機(jī)系列。
2012-05-22 09:33:13
4713 英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管。基于全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2012-07-15 01:23:461633 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:002072 問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:402439 
本文提供了來(lái)自英飛凌的兩個(gè)文件Infineon_therm.sin 和 OptiMOS_n.sin，其中在OptiMOS_n.sin這個(gè)單個(gè)模板中文件中包含了286個(gè)模型。
2023-12-06 11:32:462458 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:531994 
MOSFET柵極與源極之間加一個(gè)電阻?這個(gè)電阻有什么作用?
2024-12-26 14:01:056179 
本應(yīng)用筆記介紹了通過(guò)利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-12-06 11:33:288967 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。源極底置是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批
2020-02-18 17:50:082025 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371997 【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361578 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432169 
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門(mén)級(jí)和門(mén)級(jí)居中
2023-12-12 18:04:371464 
? 【 2024 年 3 月 13 日 ， 德國(guó)慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC
2024-03-14 11:07:581205 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國(guó)慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進(jìn)功率MOSFET 技術(shù)—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
【 2024 年 6 月 18 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合
2024-06-18 17:51:281177 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產(chǎn)品。 ? 官網(wǎng)產(chǎn)品列表 來(lái)源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領(lǐng)域的產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋10V到300V區(qū)間，主打一個(gè)高性能和高性價(jià)比。OptiMOS系列的特點(diǎn)包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用，像通信應(yīng)
2025-02-27 00:58:002676 
。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。 圖源：英飛凌 ? 在功率晶體管中集成SBD的做法，此前在SiC MOSFET中，業(yè)界有不少的研究。三菱在2013年提出了集成SBD的SiC MOSFET相關(guān)專利，并在2023年推出采用這種新型器件的SiC功率模塊。 ? 為什么
2025-04-28 00:19:003071 
的MOSFET設(shè)計(jì)，就無(wú)法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級(jí)里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對(duì)于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
，和推薦的印制電路板(PCB)占用面積。在為應(yīng)用選擇合適的器件時(shí)，首先從最大額定值表開(kāi)始考慮。最大額定值表中指定了最大漏源電壓和柵源電壓。這是在決定一個(gè)功率MOSFET是否適用于設(shè)計(jì)時(shí)首先要看的地方。例如，智能手機(jī)
2018-10-18 09:13:03
MOSFET內(nèi)部的柵極電阻，RG=RUp+RG1+RG2為G極串聯(lián)的總驅(qū)動(dòng)電阻。圖1：功率MOSFET驅(qū)動(dòng)等效電路實(shí)際的應(yīng)用中功率MOSFET所接的負(fù)載大多為感性負(fù)載，感性負(fù)載等效為電流源，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理（1）：開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗(yàn)電路（2）：MOSFET 的電壓和電流波形（3
2021-09-05 07:00:00
理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。七、功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理1）開(kāi)通
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
回復(fù)：功率MOSFET管主要參數(shù)包括：耐壓BVDSS、RDS(on)、VGS(th)、Crss、Ciss，高壓應(yīng)用還要考慮Coss。半橋和全橋
2025-11-19 06:35:56
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數(shù)介紹V(BR)DSS（有時(shí)候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過(guò)漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
防止場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)接電感負(fù)載時(shí)，在截止瞬間產(chǎn)生感應(yīng)電壓與電源電壓之和擊穿場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，一般功率場(chǎng)效應(yīng)管 (MOSFET)在漏極與源極之間內(nèi)接一個(gè)快速恢復(fù)二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
程師的這些要求。英飛凌幾年前開(kāi)發(fā)的OptiMOS?3技術(shù)相對(duì)于現(xiàn)有的其他MOSFET技術(shù)，可使通態(tài)電阻RDS(on) 大幅降低60%。另外還可大幅降低CGS （柵極至源極）和 CGD （柵極至漏極）電容
2018-12-06 09:46:29
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
Architect工具可對(duì)變壓器、功率MOSFET、功率二極管、傳輸電纜等進(jìn)行定制建模，而且建模信息主要利用器件手冊(cè)和器件實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；因而定制設(shè)計(jì)的器件模型較為精確，較為真實(shí)反映器件的真實(shí)性能。 該課程主要
2017-04-12 20:43:49
應(yīng)用角度來(lái)看，驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個(gè)電壓型控制的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱之為VGS）來(lái)決定。 從圖1模型來(lái)看，有幾個(gè)參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
/DC開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)。2009年加入英飛凌科技（中國(guó)）有限公司。任系統(tǒng)應(yīng)用工程師，負(fù)責(zé)英飛凌功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和方案推廣。演講內(nèi)容介紹：英飛凌新的OptiMOS產(chǎn)品為MOSFET分離器件設(shè)立了一個(gè)
2012-07-13 10:50:22
轉(zhuǎn)換器拓?fù)鋱D，其中Cgs、Cgd和 Cds分別為開(kāi)關(guān)管MOSFET的柵源極、柵漏極和漏源極的雜散電容，Lp、Lkp、Lks和Cp分別為變壓器的初級(jí)電感、初級(jí)電感的漏感、次級(jí)電感的漏感和原邊線圈的雜散
2018-10-10 20:44:59
大量回收IGBT模塊 新舊收購(gòu)IGBT模塊 全新IGBT模塊回收 長(zhǎng)期高價(jià)收購(gòu)個(gè)人和廠家積壓或過(guò)剩庫(kù)存的電子料,收購(gòu)三極管,回收貼片三極管,可控硅,場(chǎng)效應(yīng)管,寧波收購(gòu)IGBT模塊 長(zhǎng)期回收二手
2022-01-01 19:06:43
大部分功率 MOSFET 都是增強(qiáng)型的。（可能因?yàn)閷?shí)際的制作工藝無(wú)法達(dá)到理論要求吧，看來(lái)理論總是跟實(shí)際有差距的，哈哈）MOSFET 是電壓控制型器件，三極管是電流控制型器件，這里說(shuō)的優(yōu)缺點(diǎn)當(dāng)然是要跟
2019-11-17 08:00:00
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開(kāi)關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
能/風(fēng)力發(fā)電產(chǎn)生的電源轉(zhuǎn)換至能夠與電力系統(tǒng)並聯(lián)的電源，能夠讓這些新式發(fā)電裝置發(fā)揮更佳的效能。此處所指之高頻切換電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，乃是利用半導(dǎo)體功率元件以「高頻切換方式」，結(jié)合各式能量轉(zhuǎn)換元件，如變壓器、儲(chǔ)
2018-12-05 09:46:52
達(dá)100A的電流處理能力等特性，使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級(jí)的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹(shù)立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)，應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列（RC指
2010-01-25 08:44:191090 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:471055 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51813 用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:181196 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411473 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22748 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41898 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021772 e絡(luò)盟日前宣布新增來(lái)自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月24日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族，它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動(dòng)等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292863 
2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091448 新年伊始，Allegro祝各位朋友新的一年健康快樂(lè)，事業(yè)有成！今天Allegro這里介紹的是符合ISO-26262標(biāo)準(zhǔn)的全新N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器AMT49105，新產(chǎn)品能夠簡(jiǎn)化電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并通過(guò)集成所需的功率模擬系統(tǒng)而減小PCB面積。
2019-01-10 14:29:514414 英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導(dǎo)通電阻的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿足高性能的需求；加入增強(qiáng)模式，可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513853 
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級(jí)別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:176007 
與雙極型晶體管（三極管）的射極跟隨器相比，源極跟隨器的輸出阻抗非常低，特別適合于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載（阻抗低的負(fù)載）的驅(qū)動(dòng)，同時(shí)MOSFET普遍功率比較大，具有很好的抗熱擊穿性能。
2019-12-30 09:20:1234838 
在上篇文章中，介紹了功率MOSFET的基本參數(shù)Rds（on）、VBR（DSS）、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù)，本文仍然選用英飛凌公司的功率MOSFET為例，型號(hào)為
2020-07-14 11:34:073791 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251416 
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589885 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:37
20 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念， 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381561 英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199 
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056085 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:531669 
MOSFET和IGBT等的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題，那就是帶有驅(qū)動(dòng)器源極引腳（所謂的開(kāi)爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗”中，將介紹功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果以及使用注意事項(xiàng)。
2023-02-09 10:19:181670 
未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708 實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。
2023-02-17 18:11:013331 在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會(huì)從源極流入器件。通過(guò)改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-21 17:52:553591 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡(jiǎn)稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別。 首先，讓我們一起了解一下MOSFET
2024-01-31 13:39:453609 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:412195 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來(lái)了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:291432 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021124 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進(jìn)的OptiMOS? MOSFET技術(shù)，專為滿足汽車電子產(chǎn)品中對(duì)熱效率和空間利用有嚴(yán)苛要求的場(chǎng)合設(shè)計(jì)。
2024-04-15 15:49:331564 
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅(jiān)固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器，這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動(dòng)電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動(dòng)MOS電壓驅(qū)動(dòng)型功率晶體管，如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?，無(wú)需額外的專用電源來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:171228 【 2024 年 6 月 26 日 ， 德國(guó)慕尼黑 訊 】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)（SJ）MOSFET
2024-06-26 18:12:00938 
英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性價(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX，OTCQX： IFNNY）近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品組合，進(jìn)一步豐富了該系列的產(chǎn)品線，旨在響應(yīng)大眾
2024-09-30 16:15:581766 近日，英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V，并配備了D2PAK 7引腳封裝，是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。
2024-10-23 17:27:101205 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺(tái)的功率部分。它是一個(gè)帶功率
2024-10-24 08:03:521298 英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
和高性能計(jì)算方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模塊通過(guò)提升系統(tǒng)性能并結(jié)合英飛凌一貫的穩(wěn)健性，為AI數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的功率密度，降低總體擁有成本（TCO
2025-03-19 16:53:22737 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188 。今天就來(lái)詳細(xì)聊聊英飛凌的OptiMOS? 5 Linear FET 2，也就是型號(hào)為IPT017N10NM5LF2的這款100V MOSFET，看看它有哪些特性和優(yōu)勢(shì)。 文件下載： Infineon
2025-12-19 09:35:06504 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討英飛凌（Infineon
2025-12-19 10:20:16207 ，近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術(shù)，為我們帶來(lái)了諸多驚喜。今天，我們就來(lái)深入探討這一技術(shù)及其在三相功率逆變器板上的應(yīng)用。 文件下載： Infineon
2025-12-20 10:35:06518
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