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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>繼Intel、臺積電推出3D芯片封裝后,三星宣布新一代3D芯片技術(shù)

繼Intel、臺積電推出3D芯片封裝后,三星宣布新一代3D芯片技術(shù)

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AD16的3D封裝庫問題?

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什么叫3D微波技術(shù)

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NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸,正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
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3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨(dú)霸局面打破

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兩張圖看懂Intel3D邏輯芯片封裝技術(shù)

在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架構(gòu),還推出了業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros。這全新的3D封裝技術(shù)首次引入了3D堆疊的優(yōu)勢,可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片
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英特爾為你解說“Foveros”邏輯芯片3D堆疊技術(shù)

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英特爾邏輯芯片3D堆疊技術(shù)“Foveros” 將實現(xiàn)世界流性能

英特爾近日向業(yè)界推出了首款3D邏輯芯片封裝技術(shù)“Foveros”,據(jù)悉這是在原來的3D封裝技術(shù)次利用3D堆疊的優(yōu)點在邏輯芯片上進(jìn)行邏輯芯片堆疊。也是芯片互連橋接2D封裝技術(shù)之后的又個顛覆技術(shù)。
2018-12-14 16:16:453316

完成全球首顆3D IC封裝技術(shù),有望持續(xù)獨(dú)攬?zhí)O果大單

條龍布局再突破,完成全球首顆3D IC封裝技術(shù),預(yù)計2021年量產(chǎn)。
2019-04-23 08:56:383342

完成全球首顆3D IC封裝技術(shù)

條龍布局再突破,完成全球首顆3D IC封裝技術(shù),預(yù)計2021年量產(chǎn)。
2019-05-04 09:12:002846

重磅 | 封裝廠集體失業(yè)?完成首顆3D封裝,領(lǐng)先業(yè)界

完成全球首顆 3D IC 封裝,預(yù)計將于 2021 年量產(chǎn)。
2019-04-24 10:55:203083

完成全球首顆 3D IC 封裝

此次揭露 3D IC 封裝技術(shù)成功,正揭開半導(dǎo)體工藝的新世代。目前業(yè)界認(rèn)為,此技術(shù)主要為是為了應(yīng)用在5納米以下先進(jìn)工藝,并為客制化異質(zhì)芯片鋪路,當(dāng)然也更加鞏固蘋果訂單
2019-04-25 14:20:284993

:已完成全球首個3D IC封裝,預(yù)計2021年量產(chǎn)

日前在臺說法會上,聯(lián)席CEO魏哲家又透露了已經(jīng)完成了全球首個3D IC封裝,預(yù)計在2021年量產(chǎn),據(jù)悉該技術(shù)主要面向未來的5nm工藝,最可能首發(fā)3D封裝技術(shù)的還是其最大客戶蘋果公司。
2019-04-25 15:15:103734

新思科技宣布自家設(shè)計平臺已通過最新系統(tǒng)整合芯片3D芯片堆棧技術(shù)的認(rèn)證

新思科技宣布新思科技設(shè)計平臺(Synopsys Design Platform)已通過最新系統(tǒng)整合芯片3D芯片堆棧(chip stacking)技術(shù)的認(rèn)證,其全平臺的實現(xiàn)能力,輔以具備高彈性
2019-05-07 16:20:353668

揭露3D IC封裝技術(shù)成功,揭開半導(dǎo)體制程的新世代

完成全球首顆 3D IC 封裝,預(yù)計將于 2021 年量產(chǎn)。
2019-05-27 15:30:483395

三星3D相機(jī)注冊新商標(biāo) Note10或有3D TOF相機(jī)?

三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標(biāo),據(jù)推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
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Global Foundries 12nm工藝的3D封裝安謀芯片面世

對于3D封裝技術(shù),英特爾去年宣布了其對3D芯片堆疊的研究,AMD也談到了在其芯片上疊加3D DRAM和SRAM的方案。
2019-08-13 10:27:533414

晶圓對晶圓的3D IC技術(shù)

根據(jù)在第二十四屆年度技術(shù)研討會中的說明,SoIC是種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù),是種晶圓對晶圓(Wafer-on-wafer)的鍵合(Bonding)技術(shù),這是3D IC制程技術(shù),可以讓具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。
2019-08-14 11:21:064993

、Intel推出3D封裝,引領(lǐng)代工封測廠跟進(jìn)

依現(xiàn)行3D封裝技術(shù),由于必須垂直疊合HPC芯片內(nèi)的處理器及存儲器,因此就開發(fā)成本而言,比其他兩者封裝技術(shù)(FOWLP、2.5D封裝)高出許多,制程難度上也更復(fù)雜、成品良率較低。
2019-08-15 14:52:143391

3D封裝成半導(dǎo)體巨頭發(fā)展重點 封裝技術(shù)在臺技術(shù)版圖中的重要性已越來越突出

近日,全球第二大晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布,采用12nm FinFET工藝,成功流片了基于ARM架構(gòu)的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領(lǐng)域,將與英特爾、等公司道競爭異構(gòu)計算時代的技術(shù)主動權(quán)。
2019-08-21 16:22:405228

國際大廠們之間的“3D堆疊大戰(zhàn)”

困于10nm的Intel也在這方面尋找新的機(jī)會,其在去年年底的“架構(gòu)日”活動中,推出其業(yè)界首創(chuàng)的3D邏輯芯片封裝技術(shù)——Foveros,F(xiàn)overos首次引入3D堆疊的優(yōu)勢,可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊
2020-01-28 16:10:004118

3D封裝技術(shù)定義和解析

,如今3D封裝已從芯片堆疊發(fā)展到封裝堆疊,擴(kuò)大了3D封裝的內(nèi)涵。 3D封裝的形式有很多種,主要可分為填埋型、有源基板型和疊層型等3類。填埋型維立體封裝出現(xiàn)上世紀(jì)80年,它是將元器件填埋在基板多層布線內(nèi)或填埋、制作在基板內(nèi)部,它不但能靈活方便
2020-05-28 14:51:447076

新型2.5D3D封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體業(yè)界,幾家公司正在競相開發(fā)基于各種下一代互連技術(shù)的新型2.5D3D封裝。
2020-06-16 14:25:058484

三星宣布硅驗證3D IC封裝技術(shù)可投入使用

日前,三星電子宣布,由三星為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)工藝節(jié)點專門研發(fā)的硅驗證3D IC封裝技術(shù),eXtended-Cube,簡稱為X-cube,已經(jīng)可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057

X-Cube?3D 系列推進(jìn) 3D 封裝工藝發(fā)展

前有的 CoWoS,Intel 的 Foveros,現(xiàn)在三星也公布了自家的 3D 封裝技術(shù) X-Cube。顯而易見的是,未來我們買到的電子產(chǎn)品中,使用 3D 封裝技術(shù)芯片比例會越來越高。
2020-08-24 14:39:253046

、英特爾和三星均在加速3D封裝技術(shù)的部署

近日,中國臺灣工業(yè)技術(shù)研究院研究總監(jiān)Yang Rui預(yù)測,將在芯片制造業(yè)再占主導(dǎo)地位五年,此后3D封裝將成為主要工藝挑戰(zhàn)。
2020-09-09 16:57:461592

攜手三星發(fā)布了3D硅堆棧以及先進(jìn)的封裝技術(shù)和服務(wù)

不過,三星并不會看著絕塵而去,而是在加緊研制先進(jìn)工藝的同時,在芯片封裝方面也與展開競爭。
2020-09-17 15:40:022354

三星為什么部署3D芯片封裝技術(shù)

三星計劃明年開始與封裝先進(jìn)芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163742

將增加到6座芯片封測工廠 新投產(chǎn)兩座3D Fabric 封裝技術(shù)工廠

官網(wǎng)的信息顯示,他們目前有 4 座先進(jìn)的芯片封測工廠,新投產(chǎn)兩座之后,就將增加到 6 座。 據(jù)國外媒體報道,計劃在明后兩年投產(chǎn)的兩座芯片封裝工廠,將采用 3D Fabric 先進(jìn)封裝技術(shù)
2020-09-25 17:06:45840

和Google合作 推動3D芯片制程工藝生產(chǎn)

他們未來的3nm工廠,預(yù)計2022年下半年3nm工藝就會投產(chǎn)。 當(dāng)然隨著半導(dǎo)體工藝的逐漸發(fā)展,工藝的升級也逐漸困難,所需的投入也越來越大,報團(tuán)合作也越來越多,拉了Google和AMD過來合作。 正在和Google合作,以推動3D芯片
2020-11-30 15:50:101146

芯片代工商加快部署3D封裝 但與專業(yè)芯片封測廠商依舊是合作伙伴

11月10日消息,據(jù)國外媒體報道,、三星等主要芯片代工商,都在加快部署3D封裝技術(shù),以求盡快投產(chǎn),計劃明后兩年投產(chǎn)的兩座芯片封裝工廠,都將采用3D Fabric封裝技術(shù)。 在臺三星
2020-11-10 18:20:412583

美光宣布了其第五3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920

3D全息顯示時代將到來!三星打造全息屏幕原型 2D屏上現(xiàn)3D圖像

在屏幕顯示技術(shù)上,三星確實擁有不俗的實力,但過往的技術(shù)也只是基于2D平面顯示,而在三星看來,未來是屬于3D的。三星已經(jīng)朝著全息圖邁出了堅實的步,它的原型薄板設(shè)備能以4K分辨率顯示3D圖像,并具有
2020-11-13 10:17:543302

3D封裝芯片計劃2020年量產(chǎn)

11月19日消息,據(jù)報道,與Google等美國客戶正在同測試,合作開發(fā)先進(jìn)3D堆棧晶圓級封裝產(chǎn)品,并計劃2022年進(jìn)入量產(chǎn)。將此3D堆棧技術(shù)命名為“SoIC封裝”,可以垂直與水平的進(jìn)行芯片鏈接及堆棧封裝
2020-11-20 10:56:302854

谷歌和AMD幫助測試和驗證3D堆棧封裝技術(shù),有望成為首批客戶

11月23日消息,據(jù)國外媒體報道,谷歌和AMD,正在幫助測試和驗證3D堆棧封裝技術(shù),將成為芯片封裝技術(shù)的首批客戶。 外媒是援引消息人士的透露,報道谷歌和AMD正在幫助測試3D
2020-11-23 12:01:582191

正在打造支持3D堆棧封裝技術(shù)建設(shè)的工廠

近日,據(jù)外國媒體報道谷歌和AMD,正在幫助測試和驗證3D堆棧封裝技術(shù),將成為芯片封裝技術(shù)的首批客戶。報道中提到,正在打造支持3D堆棧封裝技術(shù)建設(shè)的工廠,預(yù)計明年建成。
2020-11-23 16:21:062515

開發(fā)3D芯片技術(shù),首批客戶AMD、谷歌

如今的高端半導(dǎo)體芯片越來越復(fù)雜,傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)無法滿足,Intel、、三星等紛紛研發(fā)了各種2.5D3D封裝技術(shù),將不同IP模塊以不同方式,整合封裝芯片內(nèi),從而減低制造難度和成本
2020-11-26 17:59:481778

在臺灣進(jìn)行3D硅片制造技術(shù)研發(fā)

如今的高端半導(dǎo)體芯片越來越復(fù)雜,傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)無法滿足,Intel、三星等紛紛研發(fā)了各種2.5D、3D封裝技術(shù),將不同IP模塊以不同方式,整合封裝芯片內(nèi),從而減低制造難度和成本。
2020-11-27 09:09:091805

研發(fā)3D芯片,谷歌和AMD成首批客戶

如今的高端半導(dǎo)體芯片越來越復(fù)雜,傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)無法滿足,Intel、、三星等紛紛研發(fā)了各種2.5D3D封裝技術(shù),將不同IP模塊以不同方式,整合封裝芯片內(nèi),從而減低制造難度和成本。
2020-11-27 10:38:381667

開發(fā)SoIC新3D封裝技術(shù),中芯國際考慮跟隨

據(jù)日經(jīng)亞洲評論報道,正與谷歌等美國科技巨頭合作,開發(fā)新的芯片封裝技術(shù)。新3D SoIC 封裝技術(shù)。 隨著摩爾定律放緩,縮小晶體管之間的空間變得越來越困難,封裝技術(shù)的創(chuàng)新變得尤為重要。
2020-12-30 15:17:153236

三星于先進(jìn)封裝的戰(zhàn)火再起

三星于先進(jìn)封裝的戰(zhàn)火再起。2020年,三星推出3D封裝技術(shù)品牌X-Cube,宣稱在7納米芯片可直接堆上SRAM內(nèi)存,企圖在先進(jìn)封裝拉近與的距離。幾天之后,總裁魏哲家現(xiàn)身,宣布推出自有先進(jìn)封裝品牌3D Fabric,最新的SoIC(系統(tǒng)集成芯片)備受矚目。
2021-01-04 10:37:091760

三星將首發(fā)高通3D超聲波指紋識別技術(shù)

高通官方推特確認(rèn),三星Galaxy S21系列首發(fā)高通第二3D超聲波指紋識別技術(shù)。
2021-01-15 09:13:03961

3D封裝競賽愈演愈烈

日前,計劃通過在日本建立家研究機(jī)構(gòu)來開發(fā)3D SoIC封裝材料,從而與多家公司建立協(xié)同效應(yīng)。強(qiáng)調(diào)3D SoIC將成為2022年起的主要增長引擎之
2021-02-19 15:54:162605

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六162層3D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局,美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù),三星也稱將在2021年推出第七V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

2.5D/3D芯片-封裝-系統(tǒng)協(xié)同仿真技術(shù)研究

(Signal Integrity, SI)、電源完整性 (Power Integrity, PI) 及可靠性優(yōu)化。總結(jié)了目前 2.5D/3D 芯片仿真進(jìn)展與挑戰(zhàn),介紹了基于芯片模型的 Ansys 芯片-封裝-系統(tǒng) (CPS) 多物理場協(xié)同仿真方法,闡述了如何模擬芯片在真實工況下達(dá)到優(yōu)化 芯片
2022-05-06 15:20:4219

為什么選擇3D,3D芯片設(shè)計要點分析

然已經(jīng)有很多關(guān)于 3D 設(shè)計的討論,但對于 3D 的含義有多種解釋。然而,這不僅僅是語義,因為每個封裝選項都需要不同的設(shè)計方法和技術(shù)。
2023-03-27 13:01:381147

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142

日本計劃量產(chǎn)2nm芯片,著眼于2.5D3D封裝異構(gòu)技術(shù)

日本的半導(dǎo)體公司rafidus成立于2022年8月,目前正集中開發(fā)利用2.5d3d包裝將多個不同芯片組合起來的異構(gòu)體集成技術(shù)。Rapidus當(dāng)天通過網(wǎng)站表示:“計劃與西方企業(yè)合作,開發(fā)新一代3d lsi(大規(guī)模集成電路),并利用領(lǐng)先技術(shù),批量生產(chǎn)2納米及以下工程的芯片?!?/div>
2023-07-21 10:32:311652

三星將于2024年量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示,計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第93d nand。預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨(dú)立的程序之后,將其起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015

基于HFSS的3D芯片互連封裝MMIC仿真設(shè)計

相對于傳統(tǒng)平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應(yīng)用,維(3D)多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優(yōu)勢,正逐步在先進(jìn)電路與系統(tǒng)中得到應(yīng)用。而3D封裝引入的復(fù)雜電磁耦合效應(yīng),在傳統(tǒng)
2023-08-30 10:02:075731

推出3Dblox 2.0標(biāo)準(zhǔn),促進(jìn)3D芯片架構(gòu)設(shè)計

半導(dǎo)體公司在2022年提出了3dblox開放型標(biāo)準(zhǔn),以簡化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的3d芯片設(shè)計和模式化。電表示,在大規(guī)模生態(tài)系統(tǒng)的支持下,3dblox成為未來3d芯片開發(fā)的核心設(shè)計動力。
2023-09-28 10:51:071479

三星2024年將推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT

三星計劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級互連技術(shù)),能以更小尺寸的封裝,將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499

智原推出2.5D/3D先進(jìn)封裝服務(wù), 無縫整合小芯片

來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 ASIC設(shè)計服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation)宣布推出其2.5D/3D先進(jìn)封裝服務(wù)。通過獨(dú)家的芯片中介層
2023-11-20 18:35:421107

當(dāng)芯片變身 3D系統(tǒng),3D異構(gòu)集成面臨哪些挑戰(zhàn)

當(dāng)芯片變身 3D 系統(tǒng),3D 異構(gòu)集成面臨哪些挑戰(zhàn)
2023-11-24 17:51:071969

三星電子在硅谷設(shè)立新實驗室,開發(fā)下一代3D DRAM芯片

三星電子近日宣布,已在美國硅谷開設(shè)個新的研發(fā)(R&D)實驗室,專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。這新實驗室將由三星的Device Solutions America(DSA)運(yùn)營,并負(fù)責(zé)監(jiān)督公司在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)活動。
2024-01-29 11:29:251376

三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實驗室

三星電子,全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負(fù)責(zé)三星在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306

三星電子在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實驗室

近日,三星電子宣布在硅谷設(shè)立下一代3D DRAM研發(fā)實驗室,以加強(qiáng)其在存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該實驗室的成立將專注于開發(fā)具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。
2024-01-31 11:42:011285

三星已成功開發(fā)16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

昆泰芯推出新一代3D Hall搖桿專用芯片KTH577X

昆泰芯科技有限公司近日正式發(fā)布了其全新一代3D Hall搖桿專用芯片——KTH577X,這款芯片將為用戶帶來前所未有的操控體驗。
2024-06-03 11:02:211848

三星加強(qiáng)半導(dǎo)體封裝技術(shù)聯(lián)盟,以縮小與差距

據(jù)最新報道,三星電子正積極加強(qiáng)其在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域的聯(lián)盟建設(shè),旨在縮小與全球半導(dǎo)體制造巨頭之間的技術(shù)差距。為實現(xiàn)這目標(biāo),三星預(yù)計將在今年進(jìn)步擴(kuò)大其2.5D3D MDI(多芯片集成)聯(lián)盟,計劃新增十名成員。
2024-06-11 09:32:551121

三星將于今年內(nèi)推出3D HBM芯片封裝服務(wù)

近日,據(jù)韓國媒體報道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存(HBM)的3D封裝服務(wù)。這重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

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