3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進(jìn)。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數(shù)量來實現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)和多值存儲技術(shù)(用于在一個存儲單元中存儲多個
2019-08-10 00:01:00
8135 9月2日,長江存儲正式對外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布,他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品,該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前,他們推出了96層第5代3D NAND,但低價促使他們削減了產(chǎn)量,而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 Kioxia(原東芝存儲),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示,旺宏將在
2019-12-14 09:51:29
5966 IM Flash 技術(shù)有限責(zé)任公司是英特爾與美光科技的合資公司,日前,該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術(shù)用于NAND閃存ICs制造中。
2013-05-29 16:44:45
1729 由于技術(shù)上仍存在挑戰(zhàn),使得3D IC一直都成為半導(dǎo)體業(yè)界想發(fā)展,卻遲遲到不了的禁區(qū)。盡管如此,國際半導(dǎo)體材料協(xié)會SEMI仍樂觀認(rèn)為,系統(tǒng)化的半導(dǎo)體技術(shù)仍將是主流趨勢,這意味著 3D IC的發(fā)展將不會停下腳步。但在3D IC技術(shù)仍未成熟的現(xiàn)階段,2.5D IC是最好的替代方案。
2013-07-22 10:25:53
1037 7月24日國外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23
1561 一周之前,三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間,同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:16
1488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:51
2858 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了,TechInsights的拆解團(tuán)隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:43
7470 句點,加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢,主要的生產(chǎn)廠商,以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:06
44661 
目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動力擴大產(chǎn)能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 各大原廠已經(jīng)在2016年研發(fā)了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒,由于技術(shù)不成熟以及2D NAND生產(chǎn)線替換問題,如今3D NAND的良品率并不高,總產(chǎn)量也不夠高,因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場價格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:38
3369 3D NAND Flash。中國已吹響進(jìn)軍3D NAND Flash沖鋒號,若能整合好跨領(lǐng)域人才和技術(shù),中國3D NAND Flash有望彎道超車。
2017-02-07 17:34:12
9182 
蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍,單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍,讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:04
2003 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:04
2528 通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來,促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:52
13248 
集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國閃存市場峰會(CFMS2018)在深圳舉行,長江存儲總經(jīng)理楊士寧博士以“創(chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長江存儲Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢和長江存儲3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:07
5992 Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:29
3528 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:39
2049 
11月12日消息今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:16
3599 3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00
,2021年中國3D打印的市場規(guī)模已經(jīng)達(dá)到261.5億元,同比增長34.1%。隨著各項技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步與應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大,預(yù)計到2024年將有望突破400億元,達(dá)到一個新的發(fā)展高度。這一增長趨勢不僅歸因于
2024-12-26 14:43:27
3D顯示技術(shù)的原理是什么?3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用?3D拍好了到底怎么樣傳輸?
2021-05-31 06:53:03
3D效果圖開始經(jīng)歷了一百多年的歷史,3D顯示技術(shù)不斷完善,不斷應(yīng)用在影院、電視等領(lǐng)域。3D顯示技術(shù)發(fā)展歷程二、3D顯示技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀2014-2019年我國3D顯示市場規(guī)模由252.63億元增長
2020-11-27 16:17:14
的存儲成本。在認(rèn)識到不斷縮小的光刻技術(shù)的擴展局限性之后,需要一種新的方法來增加每個設(shè)備的密度,同時降低每 GB 的相對成本,此時便出現(xiàn)了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點:盡管NAND閃存市場需求在一定程度上受到了經(jīng)濟形勢的影響,但美光市場卻逆勢增長,其市場份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
,大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加,一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達(dá)40%-45%,而美光NAND技術(shù)從40nm到16nm,再到64層3D技術(shù),一直為市場提供更好的產(chǎn)品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
的變化。 需求不足跌價成必然2018年NAND閃存之所以大降價,一個關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),實現(xiàn)了從32層/48層堆棧到64層堆棧的飛躍,使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
衍生了一些新的技術(shù),來助力其閃存產(chǎn)品向3D方向發(fā)展。其中,就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術(shù)3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
,一次成形加工漸漸取代粗切削機床加工,傳統(tǒng)加工工藝轉(zhuǎn)為鍛造自動化生產(chǎn)線節(jié)能型鍛造加工勢在必行。鍛造行業(yè)由于存在目前難以克服的高溫、粉塵、噪聲、振動等嚴(yán)重危害操作者健康的缺點,基于職業(yè)健康安全管理使能,使得鍛造生產(chǎn)實現(xiàn)自動化成為行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。
2021-09-18 11:31:24
3D已經(jīng)成為半導(dǎo)體微細(xì)加工技術(shù)到達(dá)物理極限之后的必然趨勢,目前正處于3D工藝的探索期。在這一過程中,以及今后在實現(xiàn)3D工藝的發(fā)展趨勢中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式到底如何演義,會
2012-05-15 10:43:25
1295 據(jù)報道,蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元,單個
2017-04-12 01:07:11
1359 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出,這項技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。
2017-05-03 01:02:50
1621 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示,到今年三季度,三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11
860 現(xiàn)在,西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)(下半年出樣,2018年開始量產(chǎn)),除了TLC類型外,其還會支持QLC,這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40
937 技術(shù)的基礎(chǔ)上, 該公司運用其深厚的重直整合能力,開發(fā)出X4 3D NAND技術(shù),包括硅晶圓加工、裝置工程(在每個存儲節(jié)點上提供16個不同的資料等級)、和系統(tǒng)專門技術(shù)(用于整體閃存管理)。
2017-07-26 16:07:11
1246 的廠商競爭,以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)
2017-10-13 20:33:26
6 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年,主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重,而且相較于2D NAND技術(shù),64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用,使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00
918 上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時,有外媒報道,英特爾將于紫光合作,在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年,英特爾將會
2018-01-16 14:37:55
5172 
以往僅搭載16GB、32GB容量的智能手機已無法滿足當(dāng)前由數(shù)據(jù)驅(qū)動的新興移動應(yīng)用需求,從而為3D NAND快閃存儲器的進(jìn)展鋪路…
智能手機使用者不斷尋求更好的移動體驗,除了提升裝置的處理
2018-06-07 07:44:00
1021 
層數(shù)的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高,要想達(dá)到140層堆疊就必須使用新的基礎(chǔ)材料。而且在堆疊層數(shù)增加的時候,存儲堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:48
51340 無論是3D堆疊還是QLC的推出,這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?,國際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對2D NAND來說,是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:49
5087 近日,英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤,加強擴大3D NAND供應(yīng)。
2018-08-01 17:44:54
1237 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:03
1683 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:39
5421 作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:00
2244 ,同時恐激化各家原廠展開96層
3D NAND技術(shù)競爭,然而市場更多的是關(guān)心
NAND Flash價格走向?qū)⑷绾巍?/div>
2018-08-22 16:25:46
2599 在價格和競爭壓力期間,3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗,相互競爭下一代技術(shù)。
2018-08-27 16:27:18
9528 今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14
759 32-48層,廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中,三星最早量產(chǎn)了3D NAND,其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39
780 讓英特爾頭痛的是,3D XPoint市場規(guī)模仍然很小,這讓他們無法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒有高產(chǎn)量,其生產(chǎn)成本將會保持很高,可能高于DRAM。然而,英特爾必須以低于DRAM的價格出售3D XPoint,才會吸引消費者。這意味著英特爾必須賠錢來建立市場。
2018-10-16 15:47:03
4677 11月15日, 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技(MAXIO)再下一城,正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒,并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:31
8411 影響了PC市場,中美之間的貿(mào)易戰(zhàn)也帶來了負(fù)面影響,以致于Q3旺季不旺,NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值僅為170億,環(huán)比只增長了4.4%,但NAND閃存價格卻降了10-15%。展望Q4季度,需求會持續(xù)走弱,NAND產(chǎn)品降價趨勢還會加劇。 集邦科技旗下半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新報告指出,隨
2018-11-20 10:14:14
886 國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:12
2056 (高級駕駛輔助系統(tǒng))、先進(jìn)信息娛樂系統(tǒng)以及自動駕駛的計算機。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù),產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND,以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長的容量需求。
2019-05-14 13:45:11
4201 現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:00
3069 ,這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:02
1788 據(jù)悉,長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:00
5147 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09
1144 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:24
1455 隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大,主流存儲技術(shù)也在迅速向前推進(jìn)中。3D NAND閃存從2014年的24層,到2016年的48層,到2017年的64層,再到2018年的96層,以及明年的1XX層,技術(shù)更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:11
1141 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預(yù)計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:32
1449 美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32
1180 有關(guān)國產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破,相信很多人都在翹首期待,希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品,而當(dāng)長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時候,我們知道,真正的國產(chǎn)存儲即將出現(xiàn)了!
2019-10-31 11:37:07
1248 3D NAND的出現(xiàn)也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分,為了提高其容量、降低成本,NAND的制造工藝也在不斷進(jìn)步,厚度開始不斷降低,但
2019-11-14 15:52:18
1166 根據(jù)國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:49
5929 長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:00
3612 從2016到2018連續(xù)三年,增材制造或者說3D打印行業(yè)的薪資增長都高于平均水平。但現(xiàn)在情況已不再如此,因為隨著3D打印行業(yè)的日趨成熟,薪水待遇開始走下坡路。
2020-04-30 16:29:06
2228 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:09
1627 3D NAND的論文數(shù)量最多,因此,筆者就各家NAND型閃存(以下簡稱為:“NAND”)廠家的現(xiàn)狀、未來的技術(shù)藍(lán)圖(Roadmap)展開論述。
2020-07-30 11:14:45
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Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:16
2690 Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:34
2586 據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
3038 9月24日,在以“3D視覺技術(shù)與應(yīng)用”為主題的第三十屆“微言大義”研討會上,奧比中光副總裁陳摯博士受邀出席并發(fā)表了《3D視覺的新趨勢和成熟的商業(yè)化落地實踐》主題演講。 “微言大義”研討會由麥姆斯
2020-10-10 09:50:20
2606 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:21
2924 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀(jì)錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:57
2623 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:55
3696 日前,TechInsights高級技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講,詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:18
3722 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:13
3095 上,TechInsights 高級技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講,詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲器的未來。TechInsights 是一家對包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:44
4306 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:49
3617 發(fā)展至今,NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:37
4583 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:15
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長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:21
8286 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足,不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上,尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:25
1510 全球存儲市場對高密度 NAND 閃存的需求不斷增長。目前,這一需求已通過許多發(fā)展得到滿足,不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上,而且尤其是在過去十年中一直處于存儲討論和發(fā)展中心的 3D NAND 架構(gòu)
2022-07-28 10:12:49
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一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機構(gòu)Yole發(fā)布的報告顯示,2020年起,NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長,2021年,NAND閃存市場份額達(dá)到了近670億美元(見圖1),同年
2022-12-26 18:13:09
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我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4227 全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝,這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46
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3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:56
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這種存儲技術(shù)的成功與其不斷擴展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年,NAND 閃存行業(yè)就會顯著提高位存儲密度,以增加的 Gbit/mm2表示。
2023-06-27 10:38:34
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三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:29
3142 增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因為支持傳統(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計將在不久的將來達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26
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2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲器)的一種。
2024-03-17 15:31:39
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目前,鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù),他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存,這項產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
2024-04-07 15:21:57
1351 2030年實現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”,包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:00
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